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利用高分辨X射线衍射方法,分析了采用金属有机物汽相沉积生长的AlxGa1-xN／GaN薄膜的晶体结构和应变状态。通过（002）和（105）面的倒易空间映射,分析获得AlxGa1-xN／GaN外延层的应变程度,并且计算了不同A1组分的AlxGa1-xN／GaN在倒易空间图上的弛豫方向;同时利用Vegard原理,推导了在双轴应变下A1组分的计算方程式,得出完全应变情况下A1组分为30％,与卢瑟福背散射实验结果比较符合。 相似文献
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系统研究了掺Si的n型GaN的表面形貌、电学性质和光学性质。GaN薄膜采用金属有机化学气相沉积系统（MOCVD）制备,通过选择不同掺杂流量的siH4,使n型载流子浓度变化范围为3×10^16-5．4×10^18cm^-3。原子力显微镜研究发现随掺杂浓度的增加样品表面形貌变粗糙,表面位错坑密度增加,表明了晶体质量下降。变温霍尔效应获得载流子浓度随温度的变化曲线（n-1/T）,拟合得到不同Si掺杂量下,Si杂质在GaN中的电离激活能在12～22meV之间变化,它是施主波函数的相互作用增强所造成。通过研究迁移率随温度（μ-T）的关系曲线,认为载流子输运过程受不同温度下的散射机制影响。光致发光谱研究了室温下GaN薄膜带边发光和黄带,发现带边发光峰的移动是伯斯坦-莫斯效应和能带重整化效应共同作用的结果,并拟合得到了能带收缩效应系数-1．07×10^-8eV／cm,指出黄带的产生和变化与不同Si掺杂浓度下Ga空位的浓度相关。 相似文献
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研究了利用有机化学气相沉积外延方法在c面宝石（α-A1203）衬底上两步法外延生长的氮化铝薄膜．缓冲层采用氮化铝成核层．原位反射谱表明氮化铝成核过程有别于氮化镓缓冲层成核，在优化的条件下显示出单一晶面取向．同时，X射线衍射分析表明氮化铝初始成核过程中，缓冲层存在着压应变；随着成核时间的增加及退火，压应变逐渐得到驰豫．结合透射光谱分析发现，在外廷层的生长过程中，较高的的Ⅴ/Ⅲ比能够提高氮化铝薄膜的晶体质量，但是生长速率下降，可能是由于三甲基铝与氨气的寄生反应加剧造成的；另外，对氮化铝外延层进行适度的Si掺杂能够在一定程度上改善薄膜表面形貌． 相似文献
4.
利用有限元法对立式氢化物气相外延系统工艺参数进行了优化, 发现在新设计的立式氢化物气相外延反应器中, 存在衬底与气体入口的最佳距离, 在最佳距离位置上, 沉积的均匀性最好. 在设定的条件下模拟的结果表明这个距离为5 cm. 在此基础上, 模拟得到了优化的生长参数. 模拟的结果还表明重力方向与GaCl气体出口方向的夹角的大小, 对GaN沉积的速率和均匀性影响很大. 重力方向与GaCl气体出口方向相反时得到的计算结果与两者方向相同时得到的计算结果比较, 尽管GaN沉积速率有所下降, 但是沉积均匀性却得到了极大的改善. 此外还讨论了浮力效应对GaN沉积的影响. 相似文献
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