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以射频(RF)磁控溅射法分别在Si(111)和Pt(111)/Ti/SiO2/Si基底上溅射沉积LaNiO3(LNO)薄膜电极,沉积过程中基底温度为370℃,然后对沉积的LNO薄膜样品进行快速热退火处理(500℃/10min)。X射线衍射(XRD)分析表明:Si(111)基底上LNO电极表现出高度的(100)取向,而Pt(111)/Ti/SiO2/Si基底上LNO电极则表现较强的(111)择优取向。然后在(100)LNO薄膜电极上生长PZT铁电薄膜,通过合适溅射工艺参数的选择,成功地制备了高度(100)取向的PZT铁电薄膜。 相似文献
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PC机与多单片机主从分布式系统的计算机通信 总被引:2,自引:0,他引:2
本文介绍了机动车动态称重计费系统中由PC/XT为主机,多个单片机为从机所构成的主从分布式系统的计算机通信,并给出了该多机通信系统的硬件结构和多机通信软件的设计。 相似文献
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实验采用射频磁控溅射工艺,在较低的衬底温度(370℃)、纯Ar气氛中和在(111)Pt/Ti/S iO2/S i衬底上用陶瓷靶Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)制备具有完全钙钛矿结构的多晶PZT(52/48)铁电薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性,然后在大气环境中对沉积的PZT薄膜进行快速热退火处理。用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)和Auger电子能谱(AES)测量其组分,X射线衍射仪(XRD)分析PZT薄膜的相结构和结晶取向,RT66A标准铁电测试系统分析Pt/PZT/Pt/Ti/S iO2/S i电容器的电学特性。结果表明:PZT铁电薄膜具有较高的剩余极化(Pr=44.9μC/cm2)和低的漏电流(10-8A量级)。 相似文献
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