In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱二维电子气的零场自旋分裂

用分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)方法在半绝缘InP衬底上生长In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱样品。在In0.52Al0.48As势垒层中进行元素Si的δ掺杂,元素Si电离的电子转移到量子阱中,在量子阱中形成二维电子气(two-dimensional electron gas,2DEG)。对该样品在低温下进行了磁输运测试,得到了2DEG纵向电阻(磁电阻)和横向电阻(Hall电阻)在不同温度下随磁场的变化曲线。观察到磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡和由零场自旋分裂引起的SdH振荡在低场下的拍频效应。也观察到Hall电阻出现量子Hall效应所特有的Hall平台。对Hall电阻在低场部分的直线拟合获得2DEG的Hall浓度,并根据Hall浓度和零场电导获得2DEG的Hall迁移率。对磁电阻曲线的快速傅立叶变换(fast Fourier trans-form,FFT)分析获得的2DEG浓度与Hall浓度一致。对拍频节点进行分析,获得了2DEG的自旋轨道耦合常数,并由此得到了零场自旋分裂能、自旋弛豫时间、自旋进动长度等实现自旋器件的相关参数。     

等长辐射树T_(nm)的优美性

本文给出等长m的n辐射树T_(nm)的一种优美标号如下从而证明了这类树的优美性.     

数列空间的代数扩张及其与Z—变换的同构性

本文用类似于Mikusinski算符理论的思想处理数列空间,在其中定义加法乘法后;进行代数扩张,扩张域S称为广数域.理论与z-变换有某种同构关系,从而可视为z-变换的一种代数基础.也象米氏算符一样,可用以解常系数线性差分方程和速推方程.在S上还可以建立新的分析理论,将于另文探讨.     

非原生掺杂半绝缘磷化铟(InP)及其应用对比

过去的几年中,由于1.31和1.55 μm波长半导体激光器在光纤通信领域得到了广泛的应用。磷化锢(InP)衬底材料的研究和规模化生产因此受到了极大的推动,并已逐步成为继硅(Si)和砷化镓(GaAs)之后又一重要的化合物半导体材料.与GaAs相比,InP晶体具有高的饱和电场漂移速度、良好的导热性和较强     

树集{Tn}的一种递归构造

本文研究出树集{T_n}的一种递归构造.按此构造可由已知的{T_1}、{T_2}……{T_(n-2)}的图,用递归方法较容易的作出树集{T_m}的全部图.作为方法举例本文继文[1]中所列的{T_1}～{T_(12)}的图作出了{T_(12)}及{T_(14)}的全部图.     

In0.28Ga0.72As/GaAs量子点超晶格的生长

量子点(QD)正引起人们很大的兴趣,这是因为理论上指出它有很好的器件应用前景.和量子阱相比,量子点在三个方向都受到限制,从而具有一系列独特的性质,如声子瓶颈效应等等.目前,利用Stranski-Krostanow生长模式原位生长QD,已取得了很大的成功.在Stranski-Krostanow生长模式中,先是逐层的二维生长(即浸润层),当达到一定的临界厚度,为了容纳外延层和衬底间的应力,变为岛状生长.由于当外延层厚度进一步增加,位错和应变弛豫会从岛边产生.     

大形变铁素体钢丝α→γ→α相变织构遗传现象

利用扫描电子显微镜(SEM)和电子背散射衍射技术(EBSD)研究了冷拔铁素体钢丝经奥氏体化热处理后的遗传织构,以及相变过程中晶体位向变化的特点.结果表明:随着应变量的上升,大形变冷拔铁素体钢丝的〈110〉丝织构强度上升;奥氏体化热处理后,等轴状铁素体组织保留了部分〈110〉丝织构,发生织构遗传;遗传织构强度受到热处理工艺参数影响,提高奥氏体化保温温度或延长保温时间,能使择优的奥氏体晶粒发生长大,进而使相变后铁素体〈110〉织构强度增加.经过α→γ→α相变后,组织中50°与60°晶界所占比例明显高于理论分布,这些晶界符合K-S关系下同一密排面变体或孪晶间位向关系,说明发生变体选择现象,相变倾向于以同一密排面上变体或孪晶的形式发生,这有利于织构的遗传及遗传织构稳定性的提升.     

我国MBE GaAs基材料如何从实验室走向产业化

以分子束外延（MBE）GaAs基微结构材料为基础制作的HEMT,PHEMT等器件在信息产业中已广泛应用,在国外并已进入产业化。20世纪80年代中期以来,中科院半体所研制的MBE GaAs基材料,已被成功地用于制备出一系列新型半导体器件;其HEMT,PHEMT微结构材料的实用化性能指标已经基本达到国际一流产品的水平;并对MBE GaAs材料如何走向产业化进行了探讨。     

高温退火处理的磷化铟中的深能级缺陷

用深能级瞬态谱(DLTS)研究了高温退火处理后磷化铟中的深能级缺陷. 在退火前以及纯磷和磷化铁气氛下, 退火后低阻磷化铟中的深能级缺陷的数量和浓度明显不同, 磷化铁气氛下退火后的磷化铟中只有0.24和0.64 eV两个缺陷, 而纯磷气氛下退火后的磷化铟中可测到0.24, 0.42, 0.54和0.64 eV 4个缺陷, 退火前的原生磷化铟样品中有的只有0.49和0.64 eV两个缺陷, 有的只有0.13 eV一个缺陷. 根据这些结果, 讨论了退火气氛对缺陷的产生和抑制作用的物理机理.