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非晶态固体的形成理论是非晶态物理的一个重要研究方面,它在指导获得优质的非晶态材料方面有着重要的意义.本文根据Turnbull和Uhlmann的结晶理论,再考虑σ=0.32△H_m和η=Aexp[B/R (T-T_0)]可得出晶体的成核率I和生长率u为: 相似文献
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本文对掺Mn的硫系玻璃Ge_(15)Te_(81)S_2Sb_2样品,进行了电导率与温度关系、ESR信号和X衍射强度曲线的测量,并研究了Mn杂质对非晶态半导体导电和结构的影响。 相似文献
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本文主要研究了Mn杂质在非晶半导体As_(35)Te_(55)Si_(10)中引起的缺陷态及对电导特性的影响。实验结果表明:在所有掺Mn的样品中,均显示出低温变程跳跃电导;随掺Mn量的增大变程跳跃电导更加明显,而且使变程跳跃电导向更低的温度方向推移。这些结果同Hauser等人在a-(As_2Te_3)_(1-x)Mn_x薄膜样品中所观测的结果几乎完全一致,文中对这种观象作了初步的讨论。 相似文献
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