电子束纳米分辨率光刻

本文侧重分析电子束纳米光刻中的若干限制因素，包括电子光学系统中的象差、电子束与抗蚀剂的相互作用（散射与二次电子效应）、衬底条件等，并对已用于进行纳米分辨率电子束光刻中的一些方法进行了归纳，讨论了其应用前景．     

电子束在胶层及衬底中散射轨迹的MonteCarlo模拟并从背散射系数看LB抗蚀层优越性

用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法研究了电子束曝光中电子与胶层及衬底中原子相互作用情况，提出了一个高能电子在多层介质间散射的“折射”模型，模拟了不同条件下在硅衬底或覆铬硅片上用Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔｔ（ＬＢ）技术和旋涂法制备的聚甲基丙烯酸甲酯（ＰＭＭＡ）抗蚀层及衬底中电子的散射轨迹，并计算了背散射系数。结果证明：在相同的电子束能下，电子在ＬＢ抗蚀层中存在较小的背散射系数，并且采用较低或较高的能量曝光，均可达到减小背散射的目的。     

电子束纳米分辨率分刻

本文侧重分析电子束纳光刻中的若干限制因素，包括电子光学系统中的象差、电子束与抗蚀剂的相互作用（散射与二次电子效应）、衬底条件等，并对已用于进行纳米分辨率电子束刻中的一些方法进行了归纳，讨论了其应用前景。