等离子体淀积薄膜中射频缺陷研究

根据理论和实验结果的分析,提出了平板式等离子体生长Si_3N_4时存在两种主要射频缺陷;一是固定正电荷中心,主要起源于Si—O和Si—Si断键;另一是负电荷中心,它是Si—H离化所致.这两种缺陷只有在一定条件下退火方可完全消除.     

用电光晶体测量超快电磁辐射脉冲的几个问题

讨论普遍情况下超快电磁辐射脉冲E₀(t)(THz辐射场)及其电光采样测量值E_m(t)的函数关系.并对THz辐射场与飞秒(fs)探测光束在同一介质内传播时的群速度失配以及辐射场自身色散效应的影响作了分析.     

一个新LiNbO3晶体探测器理论计算方法

对一种新的用于超快电磁脉冲检测的晶体探测器,首次给出一个普遍情况下的理论计算方法,用此方法,不需要将任意辐射场下产生的折射率二次方程标准化,而可以在原主轴坐标系中直接将测量值△φ与辐射场强E₀。连系起来.根据辐射场在晶体中分布与超快脉冲群速度失配,还给出了探测器制作的尺寸要求。     

两种载流子发射的CC-DLTS信号分析及其应用

界面态由于直接影响了MOS器件的阈值电压,沟道迁移率,频率特性而具有实际意义.最近M.Sohulz等^[1]提出的恒电容深能级瞬态谱仪技术(CC-DLTS)引起人们极大兴趣.