Zn1—xCdxSe／ZnSe应变层超晶格光学特性

分析了用分子束外延法生长在ＧａＡｓ（１００）衬底上的Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ应变层超晶格光学特性，对光致发光谱的温度地详细的研究，光致发光谱的峰位和线形温度效应的结果与理论分析相一致，从光致发光谱的发光强度得出了该样品的激活能     

一种提高多孔硅发光稳定性的有效方法

报道了对多孔硅进行后处理的一种新方法，即真空中微波等离子体辅助的硫钝化处理，傅里叶变换红外谱表明，经处理的样品表面主要是被SiSx和SiOy所覆盖，与未经处理的样品相比，其发光强度增加约3．5倍，PL峰蓝移了40nm，而且在空气条件下存放60d后发光强度没有变化，表明这种方法是增加多孔硅发光强度和提高稳定性的有效方法之一。     

稀磁半导体Zn—xMnxSe／GaAs外延膜光学特性研究

研究了用热壁外延法在GaAs衬底上生长的不同x含量的Zn1-xMnxSe薄膜，通过X射线衍射和喇曼光谱的研究表明，晶体的质量取决于Mn的含量，随着Mn的含量的增高，晶体的质量下降。     

无序系统中电子激发态的色散能量输运（Ⅱ）

从ＥＥＳＥＴ的主方程的格林函数解入手，采用合理的位形退耦近似，第一次给出了适合于短时低浓度区域的平均平方位移与扩散系数的含时闭合的解析形式，与现有的其它理论所给出的渐近级数展开结果一致，与实验结果一致。     

多孔硅的微结构与光致发光谱

采用扫描电子显微镜（ＳＥＭ），原子力显微镜（ＡＦＭ）和光致荧光光谱（ＰＬ），对多孔硅的微结构和光致可见发射进行了研究，结果表明，多孔硅的发光机理与其微结构之间有着密切的联系，多孔硅是大量的晶体结构的柱状或球状硅组成的，并且呈现一种有序结构，人们较普遍认为，多孔硅的有效发光是起源于电化学腐蚀过程形成的纳米结构－硅量子线或量子点，本实验的结果与这一模型的相吻合。     

X射线吸收谱精细结构分析的理论探讨

ＥＸＡＦＳ是研究多元物质中任一组元临近结构的有效手段。本文在分析ＥＸＡＦＳ的物理机制的基础上，对Ｘ射一吸收精细结构分析的和手段进行了深入的理论上的研究及探讨，取得了满意的结果。     

热壁外延生长ZnSe薄膜的质量研究

研究了热壁外延法（ＨＷＥ）在经两种不同处理方法的ＧａＡｓ衬底上生长的ＺｎＳｅ薄膜质量，俄歇电子能谱图（ＡＥＳ）分析表明，经Ｓ纯化的ＧａＡｓ表面大约由一层单原子层所覆盖，从而减少了ＺｎＡｓ／ＧａＡｓ界面态密度，用喇曼光谱的空间相干模型，对不同处理方法的ＧａＡｓ上生长的ＺｎＳｅ处延膜的一级ＬＯ声子喇谱形变化进行分析，定量判断出ＺｎＳｅ外延膜质量的优劣，分析认为，经Ｓ纯化ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ具有较好的质量     

广义主方程与连续时间无规行走的严格,一般和渐近解

（１）首次系统地和明显地给出ＧＭＥ和ＣＴＲＷ在Ｌａｐｌａｃｅ－Ｆｏｕｉｅｒ表象的严格解以及时间－动量的一般解和渐近解；（２）讨论了上述各种形式的解的应用并给出了平均平方位移的各种表达形式。     

硼原子空位复合体扩散的理论研究

研究了硼原子－空位复合体的结构和扩散方式，激活能和扩散系数以及产生非平衡偏聚的条件，推测硼原子－空位复合体的结构是由一个置换硼原子和一个空位所组成，空位仅绕着硼原子运动，并且只与近邻原子发生交换，硼原子－空位复位导致硼的非平衡偏聚的模型较好地解释了硼在钢中的扩散机制和偏聚机理。     

研究夫琅和费单缝衍射光强分布的一种新方法

采用振幅矢量的一种新方法，得出和夫琅和费单缝衍射光强分布的规律和光强计算公式。此方法形象，直观，推导过程和计算方法简洁明了，物理意义是显而易见的。