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1.
本文介绍了一种采用光控变容二极管来细分干涉条纹技术。光控变容二极管(OVC)是一种新型半导体器件。用计算机系统采集并处理数据,能够计数和细分干涉条纹,并已获得较高的灵敏度(超过1/90条)。该技术的优点在于它的可靠性,经济性、简单而且速度高。  相似文献   
2.
基于高阻表面的表面波波导在微波系统中被广泛用于传输表面波能量或者导引表面波至别处,但大多数表面波波导都存在如下问题:(1)导波路径是固定不变的,不能依据实际情况实时改变导波路径;(2)工作频段都很高,几乎都在X波段或以上频段.这两个问题限制了表面波波导的应用范围,尤其第一个问题意味着需要为每一条导波路径设计一个波导,将极大地提高设计加工成本.本文先设计了一个花瓣形开槽的正方形高阻单元,并加载了四个变容二极管(SMV1408),通过调整变容二极管的反向偏置电压从20V下降到0.2V,实现了在常用的S波段单元阻抗从j390Ω增加至j1710Ω;然后基于该可调高阻单元提出了可重构表面波波导概念,并通过HFSS仿真证明了该概念的可行性.该波导可以同时形成多条导波路径,并可实时调整导波路径;同时为了抑制表面波能量泄漏,利用我们之前的研究成果对导波路径的设计提出了相应的建议,仿真结果很好地验证了我们建议的有效性.  相似文献   
3.
为解决目前市面上毫米波倍频器制作工艺与体积之间的矛盾,设计了一款工艺简单、体积小、效率高、成本低的毫米波无源三倍频器。该倍频器在印制电路板上采用砷化镓变容二极管的反向并联电路结构,能有效抑制偶次谐波,改善输入阻抗特性;并在电路中增加空闲电路,大大提高了倍频信号的输出功率;最后通过仿真软件对倍频器进行优化和仿真,结果表明该倍频器效率高达55.78%、基波抑制大于50 dBc。  相似文献   
4.
为了调制射频信号在传输过程中引入的相移, 设计了中心频率为4.0 GHz的反射型线性360°模拟移相器, 利用分支线型定向耦合器和变容二极管实现360°移相。为了增加工作带宽, 采用两个双分支定向耦合器级联构成三分支定向耦合器。同时采用带有串联传输线和短路终端的反射终端电路, 使电路更易调节, 以获得最佳线性度和最大带宽。最终给出了移相器的线性度和插入损耗的仿真和测试结果。结果表明, 该移相器移相范围为360°, 带宽为200 MHz, 中心频率移相误差小于15°, 插入损耗波动小于3.5 dB。  相似文献   
5.
运用电磁场及电路分析理论确定了一种比较合理的纵向排列结构体效应压控振荡器的等效电路模型.提出了分析其频率特性的方法,并利用分析结果,结合毫米波固态源的要求,设计了双管纵向排列的变容二极管电调谐体效应压控振荡器,机调带宽大于1GHz,电调带宽大于550MHz,输出功率大于75mW.而且具有较好的稳定性和可靠性。  相似文献   
6.
研究应用于K波段相控阵收发系统的差分反射负载型无源移相器的设计方法.基于TSMC 90 nm CMOS工艺实现了一个5 bit移相器,其反射负载由电感和变容二极管并联组成.测试结果表明,该移相器的移相误差在23~25 GHz频带内小于6°,在22~26 GHz频带内小于15°.又基于相同工艺提出了一个改进的6 bit移相器,采用品质因数相对较高的叉指电容阵列替代传统的变容二极管,通过开关控制实现电容值的改变.仿真结果表明,改进版移相器的移相误差在23~25 GHz频带内小于4°,在22~26 GHz频带内小于8°.   相似文献   
7.
压控变容二极管电容特性的解析表达式   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用场论说推导出非线性电容特性的普遍公式,并根据生产厂家给出的实验特性曲线,用Matlab程序进行曲线拟合。得出MMVL105GT1变容二极管的非线性电容作为电压的函数解析式,为工程上使用变容二极管的解析表达式提供了理论依据。  相似文献   
8.
程控移相器广泛应用于微波系统中,在导弹仿真系统中应用尤为广泛,它的准确性、延迟性直接关系到整个导弹仿真系统的仿真结果,C波段程控移相器就是为此目的而设计的。程控移相器用程序控制移相器的偏置电路,运行程序可迅速地得到所需的相度数。移相器设计时注意了线性度的补偿。测试结果表明,该移相器比普通电控移相器延迟小,准确度高,线性良好。  相似文献   
9.
对超突变结器件的杂质分布模型进行了研究并加以改进,导出不同杂质分布的新的电容电压方程,方程中的主要参数与实际工艺参数一致.理论结果与实验曲线符合得很好,证明假设的杂质分布模型是合理的,由此导出的电容电压方程是正确的和实用的。  相似文献   
10.
运用电磁场和电路分析方法确定了一种合理的纵向排列波导腔毫米波耿氏压控振荡器的等效电路模型,提出了分析其频率响应的方法,并利用计算机分析的结果,设计成功Ka波段波导腔变容管调谐的耿氏振荡器。  相似文献   
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