Ni Co Cr合金共沉积工艺

通过线性扫描、循环伏安和交流阻抗谱分析,研究了柠檬酸镀液中Ni-Co-Cr合金共沉积的电化学行为,并利用扫描电镜和X射线衍射对镀层的表面形貌和结构进行了表征.结果表明,Cr3+与Ni2+,Co2+离子有相互促进放电、加速共沉积的作用,Co为异常沉积.当添加剂为10 g/L,糖精为1 g/L,p H值为2.5,镀液温度为30℃时,阴极极化较大,有利于得到Cr含量高的Ni-Co-Cr合金镀层.所得镀层表面光亮平整,为非晶态结构.     

超级电容器RuO_2·nH_2O电极材料的热处理工艺

以RuCl_3·3H_2O水溶液为电沉积液,采用直流一示差脉冲组合电沉积技术制备超级电容器用钽基RuO_2·nH_2O薄膜阴极材料.借助扫描电镜、X射线衍射仪和电化学分析仪,研究RuO_2·nH_2O薄膜的微观形貌、物相结构、循环伏安和充放电性能.实验结果表明:RuCl_3H_2O先驱体经热处理后转变成RuO_2·nH_2O薄膜,呈不定形结构时能获得较大的比电容;随着热处理温度的升高,薄膜材料的附着力提高,RuO_2·nH_2O薄膜由不定形结构向晶体结构转变,随之薄膜的比电容下降;在300℃热处理的RuO_2·nH_2O薄膜电极材料,其比电容为466 F/g,薄膜与钽基体的附着力为11.3 MPa,薄膜的单位面积质量为2.5 mg/cm~2,1 000次充放电循环后比电容为循环前的93.1%.     

电沉积制备钯微/纳米结构材料

利用准二维电沉积法, 通过控制不同浓度的PdCl2溶液和沉积电压, 在硅衬底上制备出了钯微/纳米结构材料, 分别用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对沉积物的形貌和结构进行了表征. 结果表明, 随着溶液浓度和沉积电压的不同, 沉积物呈现出准阵列、“树枝”状和膜状三种形貌, 溶液的离子浓度和生长电势对于沉积物形貌具有决定性的影响, 这些钯微/纳结构材料均由钯纳米颗粒构成, 属于面心立方结构.     

添加剂MPS和SPS及其与PEG、Cl -组合对铜镀层晶面取向的影响

高择优取向的铜镀层具有优异的性能,镀层晶面择优取向受多种因素的影响,添加剂是影响铜镀层晶面取向的因素之一。在酸性CuSO4电解液中分别加入添加剂MPS（3-巯基-1-丙烷磺酸钠）和SPS（聚二硫二丙烷磺酸钠）,及其他们与PEG（聚乙二醇）、Cl－组合的添加剂,在这系列电解液中,采用恒电流沉积方法,在0．040 A／cm2和0．150 A／cm2两个电流密度下,制备出了不同取向的铜镀层。X射线衍射实验结果表明：高电流密度0．150 A／cm2,添加 MPS＋Cl－和 SPS＋Cl－得到了（220）全择优取向的Cu镀层。而添加MPS或SPS,或其他添加剂组合,如MPS＋PEG、MPS＋PEG＋Cl－、SPS＋PEG、SPS＋PEG＋Cl－,得到不同取向择优的镀层。优化添加剂组合是在电沉积过程中尽早实现高择优取向生长的有效方法。     

镁合金表面脉冲电沉积Zn过渡层的研究

采用电沉积方法在镁合金表面制备了一种环境友好型Zn过渡层.利用SEM、XRD研究了直流和脉冲电沉积方式对Zn过渡层形貌及微观结构的影响,采用电化学方法研究了Zn过渡层的耐蚀性.结果表明,Zn过渡层在镁合金表面电沉积Sn-Ni合金过程中是必不可少的.在相同的厚度下,脉冲电沉积方式的应用更有利于制备平整致密、无孔且耐蚀性高的Zn过渡层.只有以脉冲Zn为过渡层才能获得良好的后续Sn-Ni合金镀层.     

适于MEMS器件的低应力Ni-W纳米晶薄膜的制备

以高强度、高耐腐蚀性Ni-W合金为研究对象,探讨了柠檬酸胺-HEDP体系中,各种电沉积工艺参数以及热处理条件对Ni-W合金薄膜应力的影响规律及其在微喷嘴模具上的应用.研究结果表明,在优化的工艺条件下,可获得应力为230 MPa、硬度高达988 HV、无裂纹的纳米晶Ni-W薄膜材料,为其在MEMS微器件、微模具制备上的应用提供了有效途径.     

Pb0.5Sn0.5电沉积不同生长阶段的形貌变化和微观成分分析

制备了准二维的Pb0.5Sn0.5合金电沉积物,并利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、和电子探针(EPMA)微区成分分析研究了沉积物的形貌变化和微观成分.通过研究发现,整个沉积过程经历了3个阶段.每一阶段的形貌特征和微观成分有明显的区别.分析表明生成不同形貌和微观成分的3个阶段各有其不同的主要的生长控制因素,分别是电化学反应、电场屏蔽效应和生长前端的离子浓度周期性变化.     

MnO2—WC复合镀层的制备

本文报道在石墨电极上制备ＭｎＯ２－ＷＣ复合镀层的合适工艺条件的研究结果，实验结果表明，复合镀层的结构形貌和其中ＷＣ的含量与电解液组成，电沉积条件等有关，在控制合适的民解液组成和电沉积条件下可以制备出较好的ＭｎＯ２－ＷＣ复合镀层，具有作为阳极材料应用的价值。     

电化学沉积Cu-In-Se薄膜

采用电化学沉积方法在钼箔上制备Cu-Se、In-Se和Cu-In-Se薄膜,对电沉积的工艺参数进行了测试,发现Cu-In-Se是一种诱导共沉积,虽然沉积膜不具备化学计量比,但具有一定的光电性能.     

铅锡合金沉积物的显微组织

将离子浓度比为5∶5的铅锡电沉积分形生长沉积物制备成金相样品，用金相显微镜观察了它们的显微组织。结果表明，在此情况下，铅锡电沉积生成物由两相组成，即铅锡共晶相和铅基固溶相，两相呈交替层状分布。