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1.
高纯锗探测器(HPGe)对于低本底稀有事例探测的发展具有重要的意义.本文介绍了HPGe的工作原理及其制备工艺,分析了对探测器起关键作用的钝化层和死层部分,并讨论了降低本底的关键技术.对于HPGe应用于包括暗物质探测和无中微子双贝塔衰变的稀有事例探测实验的进展,重点介绍了应用HPGe的CDEX、SuperCDMS、GERDA、MAJORANA等国际领先的稀有事例探测合作组相关实验技术和物理进展,进一步分析了HPGe用于下阶段国际稀有事例探测的发展方向.   相似文献   
2.
用Monte Carlo程序(MCNP)模拟主探头外包NaI(Tl)晶体构成阱型反Compton谱仪的输出谱. 通过调整FU卡参数, 实现对外探测器中脉冲高度的筛选, 给出反Compton抑制谱和Compton电子谱, 验证MCNP的FU卡在反符合测量中的使用方法, 并分析外探测器厚度对反Compton谱的影响.  相似文献   
3.
高速光电子器件是大容量光通信系统和宽带微波光子系统的基础,器件的高频响应测量对于实现电光和光电转换具有重要的意义.为此,基于光外差理论提出了移频外差方法用于实现从光域光谱到电域电谱的映射,在电域获得光谱和电谱的联合分析.实验中,通过配置电域谱线的频率关系,利用移频外差将所需光载波和边带从光域映射到电域,实现了高速马赫-曾德尔调制器、相位调制器和光电探测器的自校准高频测试,获得了马赫-曾德尔调制器的调制指数、半波电压和啁啾参数、相位调制器的调制指数、半波电压以及光电探测器的响应度等多种高频参数.结果表明,该方法具有宽频段、高分辨率、多参数、自校准测试的优点.  相似文献   
4.
该文描述了碲化镉(CdTe)探测器,硅漂移探测器和外加一层转换闪烁体硅探测器(SiS)的设计与制作方法这些硅及CdTe芯片制作工艺及其连接方法是在芬兰的Micronova中心完成的与硅工艺不同的是,CdTe工艺必须在低于150 ℃的温度下完成我们因此专门为CdTe探测器开发了一种低温原子层淀积的氧化铝(Al2O3)薄膜工艺,大小为(10×10×1) mm3的CdTe晶圆由一种无接触的光刻工艺完成.探测器性能是由电流 电压(I V),电容 电压(C V)、瞬间电流方法和精确微质子数方法来检测的实验结果与具有材料和缺陷参数的TCAD模拟结果相符  相似文献   
5.
传统光纤自动切换保护装置存在光功率在线监控精度低、保护倒置模式不可自适应配置等缺点,为此,设计了一种新型的光纤自动切换在线检测仪。新方法利用熔融拉锥型工艺将输入端进行90%︰5%︰5%分光,90%光作为业务光透传,5%光进行功率测量,5%光用于光保护倒置电路设计。光功率测量采用独立光路,并使用低暗电流、高响应度的InGaAs-PIN光电探测器进行光电转换,功率在线检测误差精度设计小于0.2 dBm;使用嵌入式单片机控制,光保护装置内置在线可调电压DAC,迟滞比较器的比较电压动态可调,从而实现任意功率自适应跳变的功能,解决传统光纤自动切换不可配置的缺点。  相似文献   
6.
在使用高纯锗γ谱仪测量样品的放射性活度时,探测器对γ射线的探测效率是影响测量准确度的一个重要因素.目前使用的两种得到探测效率的方法——标准样品法和蒙特卡洛法,因为各自的局限性,都存在一定的系统误差.结合两种方法,提出并建立了一种能够消除前两种方法系统误差,获得更准确的探测效率的新方法,即用蒙特卡洛方法计算待测样和标准样的探测效率的比值,再乘以实验测量得到的标准样的探测效率,得到待测样品的探测效率.所建方法的正确性通过蒙特卡洛软件计算的模拟实验得到了验证,并证明了新方法能够完全消除标准样品法的系统误差,并且在绝大多数情况下消除了蒙特卡洛法的系统误差.  相似文献   
7.
基于BESⅢ合作组的离线软件框架BOSS,利用该合作组产生的1 225 M单举J/Ψ事例,研究在BESⅢ探测器上实现测量到超子辐射稀有衰变过程Ξ(1 530)-→γΞ-的分支比的可能性.以无信号事例的单举J/Ψ事例样本为背景样本,以纯信号蒙特卡罗事例为信号样本,控制信号事例,在分别假设观测到Ξ(1 530)-→γΞ-衰变过程信号显著水平为3σ和5σ的情况下,得到该衰变过程对应的分支比.  相似文献   
8.
结合GIS和RS技术,应用地理探测器方法定量分析岷江上游土壤类型、坡度、年降雨量、植被密度、地层岩性等9个影响因子在泥石流活动中的作用及相互作用关系.结果表明:泥石流具有空间异质性,对泥石流贡献率大于10%的主要影响因子有年降雨量、坡度、距断裂带距离、植被密度和土地利用类型.交互作用探测表明9个影响因子间的交互作用主要是非线性增强,其中年降雨量、距断裂带距离和坡向3种影响因子对泥石流的交互作用较强.  相似文献   
9.
本文报道了基于InAs/GaSb二类超晶格实现长波、甚长波及窄带长波/甚长波双色红外探测器的研究,生长的材料具有极高的材料质量.长波探测器单管器件在77 K条件下50%截止波长为9.6μm,峰值响应为3.2 A/W,峰值量子效率为51.6%;甚长波红外探测器单管器件在77 K条件下50%截止波长为14.5μm,量子效率为14%,热噪声限制的探测率为4.3×109 cm Hz1/2 W-1.通过改变偏压极性实现双色探测的窄带型长波/甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器两端器件,偏压小于0 V时在长波区工作,偏压大于40 mV时,在甚长波区工作.具体来说,偏压为-0.1 V时,器件光响应50%截止波长为10μm;而偏压为40 mV时,器件光响应50%截止波长为16μm.对于长波光响应,δλ/λ为44%,对于甚长波响应,δλ/λ为46%.甚长波对长波的串音为9.9%,长波对甚长波的串音为11.8%.  相似文献   
10.
新型低维结构锑化物红外探测器的研究与挑战   总被引:1,自引:0,他引:1  
红外光电探测器已经历了半个多世纪的发展,先后出现了机械扫描式单元及线列探测器和凝视型红外焦平面探测器两代探测器技术,并形成了一个庞大的红外探测器器件家族.近年来人们逐渐提出了以高探测率、大面阵、低成本、多光谱为技术特点的第三代红外探测器概念.锑化物红外探测材料以其具备的优越光电性能:量子效率高,暗电流小,微带带隙可调,均匀性高、成本低等,成为第三代红外焦平面探测器的最优选材料.本文回顾了近年来国内外第三代红外探测器材料与器件的研究发展历程,重点阐明了锑化物II类超晶格红外探测材料在技术上的优势及其国内外发展现状.通过分析个多个重点研究机构的技术发展历程,阐明了锑化物材料与器件研究的发展趋势,面临的挑战以及今后数年内该领域的研究重点.  相似文献   
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