串并联个数和温度对光伏电池结电容的影响研究

研究光伏电池的动态参数对设计光伏发电系统相应后级控制器至关重要.从分析光伏电池物理机理出发,推导出光伏电池单体/模组/阵列的结电容与偏置电压之间的较精确表达式;在提取模型中等效串联电阻和饱和电流的值的基础上,使用LambertW函数推导出偏置电压与输出电压之间的显式表达式;采用工程数学模型结合本征载流子浓度表达式推导了结电容与温度的较精确关系式;分别在不同串并联个数和温度下对结电容的影响做了仿真分析.仿真结果与部分文献的实验结果相吻合,验证了理论的正确性.     

电容储能高功率脉冲成形网络浪涌过程分析

针对电容储能高功率脉冲成形网络工作过程中存在的电流和电压冲击问题,建立了脉冲成形网络的等效电路.采用理论分析和数值计算的方法,研究了电路放电时的瞬态过程,分析了冲击电流和浪涌电压产生的机理,讨论了抑制电流和电压冲击的措施.研究表明:硅堆结电容的存在使硅堆所在的回路具有二阶电路的特性,负载的非线性或时序放电过程会引起硅堆两端反向电压的振荡.通过在硅堆旁并联一定阻值的电阻,使系统处于过阻尼状态,可以起到抑制电压振荡的目的.实验验证了方法的有效性,为硅堆的保护提供了一种新的技术途径.     

PIN管结电容的代换测量与回归分析

通过一组标准电容的代换测量，建立了测量电压与电容量的函数关系，并采用插值算法和回归分析得到结电容与偏压的特性曲线，该方法有效地克服了杂散电容及电路噪声对没蛳精度的影响，测试误差主要取决于标准电容的精度。     

利用正向电压下的导纳检测半导体二极管的新方法

提出了一种利用正向电压下的导纳—电压(A—V)特性检测半导体二极管的非破坏性新方法，并给出了它的一般分析．利用这种方法，可以判断一个二极管有无界面层存在，并测量在不同正向电压下串联电阻、结电容、结电压、理想化因子和界面层阻抗的数值．用A—V方法研究了采用不同的欧姆接触的Ni／n—GaN肖特基二极管，观察到肖特基二极管的负电容现象，并确认是一种结的效应．研究还发现，无论缺乏n^ 层还是缺乏适当的退火都能够导致界面层的形成，界面层应被看作具有非线性电阻和电容的层状结构．     

晶体管结电容对频率稳定性的影响

从晶体管结电容自身的特点出发，对电源波动时频率产生异常变化的现象进行了分析和研究，具有一定的实际意义。     

脉冲功率源系统中隔离硅堆动态特性分析

在脉冲功率源系统中,隔离硅堆起着模块间隔离与保护的作用。分析隔离硅堆的动态特性有助于在硅堆出现故障时推测其原因。结合实验数据,利用软件仿真分析硅堆上电压与电流的曲线;并探究波形变化原因。结果表明,隔离硅堆内部存在电容效应,且结电容会使与后触发电容相连的二极管上出现较大反压,可能影响硅堆的正常使用。结电容值越大,二极管上电压的过渡过程越长,与后触发电容相连的二极管的反向电压过冲越高;对应的反向电流峰值越高,反向恢复时间越短。