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1.
钛合金因具有高比强度、强耐蚀性、无磁等诸多优异特性,被认为是空天海等战略领域最理想的轻型结构材料.然而,采用铸锭冶金技术制造钛合金及其构件,仍存在高能耗、高成本等世界性难题.研究表明,坩埚式真空感应熔炼是解决上述难题的有效途径之一,但钛的高化学活性使其几乎能与目前已知的所有耐火材料发生反应.因此,新型熔钛坩埚材料及其制备技术是实现钛合金低成本、优质、高效熔炼的关键.对此,本文重点综述国内外钛合金感应熔炼用陶瓷坩埚材料(耐蚀机制、成分优选)及坩埚耐久性两大方面的研究现状,并结合华中科技大学的近期研究进展,对其未来发展方向提出新的思考. 相似文献
2.
用Monte Carlo程序(MCNP)模拟主探头外包NaI(Tl)晶体构成阱型反Compton谱仪的输出谱. 通过调整FU卡参数, 实现对外探测器中脉冲高度的筛选, 给出反Compton抑制谱和Compton电子谱, 验证MCNP的FU卡在反符合测量中的使用方法, 并分析外探测器厚度对反Compton谱的影响. 相似文献
3.
为了制备出不同光电性能的氧化铋薄膜,并明晰其性能机理,以便后续研究与氧化锌薄膜复合成压敏薄膜.采用磁控溅射法,改变溅射气氛中氧气和氩气的流量比,在玻璃衬底上制备出了三个氧化铋薄膜样品,并对其微观形貌、结构及光电性能进行了测试分析.结果表明:溅射气氛中的氧氩流量比对薄膜微结构及光电性能影响显著;不同氧氩流量比制备的Bi2 O3薄膜中均含BiO2和Bi杂相,且随着氧氩流量比由0:40增大至4:36,薄膜中Bi含量减少,BiO2增加;薄膜颜色由黑变黄;沉积速率由14 nm/min减少至12 nm/min;晶粒尺寸增大,表面趋向致密均匀,可见光区透过率由0.25%增加到56.73%;禁带宽度由0增加到3.17 eV;载流子浓度、导电性能急剧降低,调节溅射气氛中氧氩流量比可有效控制氧化铋薄膜的禁带宽度,载流子浓度等,从而获得不同光电性能的薄膜样品. 相似文献
4.
热运动对纳米级磁流变液系统的颗粒团聚行为和宏观流变特性扰动影响不可忽视.为研究施加外磁场后系统微结构与热运动间的关系,探讨在不同颗粒粒径情况下热运动能量在系统总能量中的占比.采用CCD设计方法,分析Monte Carlo仿真获取的颗粒位形信息,生成关于外磁场磁感应强度、颗粒粒径和体积分数的系统热耦合系数<λ>回归模型;成链团聚的临界颗粒粒径计算值比文献经验值高出约23%,证实在考虑系统内多因素的综合影响下,纳米级磁流变液具有更严格的流变现象临界发生条件. 相似文献
5.
针对已有模型计算CO_2膨胀体系混合物黏度精度低的问题,在对已发表文献中的7种CO_2膨胀体系气液混合物(包括CO_2与正癸烷、正十四烷、正十八烷、甲醇、乙醇、丙醇和丙酮)的黏度数据进行搜集整理的基础上,建立了适用于CO_2膨胀体系的改进的Eyring-NRTL黏度模型,确定了模型中的二元作用交互参数与混合物平均摩尔质量之间的关系,并通过文献数据回归得到了模型中的参数。结果表明,对于CO_2/正癸烷体系黏度推算的平均偏差小于3%(310.93 K除外),CO_2与正十四烷、正十八烷、甲醇、乙醇、丙醇和丙酮体系的绝对平均偏差小于4%。通过与其他黏度模型的比较,表明改进的黏度模型可以用于计算CO_2膨胀体系的黏度数据。 相似文献
6.
《萍乡高等专科学校学报》2020,(6):53-56
传统光纤自动切换保护装置存在光功率在线监控精度低、保护倒置模式不可自适应配置等缺点,为此,设计了一种新型的光纤自动切换在线检测仪。新方法利用熔融拉锥型工艺将输入端进行90%︰5%︰5%分光,90%光作为业务光透传,5%光进行功率测量,5%光用于光保护倒置电路设计。光功率测量采用独立光路,并使用低暗电流、高响应度的InGaAs-PIN光电探测器进行光电转换,功率在线检测误差精度设计小于0.2 dBm;使用嵌入式单片机控制,光保护装置内置在线可调电压DAC,迟滞比较器的比较电压动态可调,从而实现任意功率自适应跳变的功能,解决传统光纤自动切换不可配置的缺点。 相似文献
7.
8.
9.
研究了泡生法生长蓝宝石单晶过程中,单晶内的气泡的产生、分布形态以及形成原因等。结果表明,原料的纯度、固液界面的稳定性是决定气泡分布的关键因素,其中固液界面的稳定性又取决于合理的生长工艺条件,尤其是晶体的生长速率和合适的温场设计。 相似文献
10.
分析了不同的填充强化剂(后处理A液)、不同的后处理B液基料、后处理B液中水性环氧乳液的掺量及后处理液浸泡时间对石膏基打印器件耐水性、抗压强度、尺寸偏差、表面微观结构的影响.结果表明:经纳米硅超硬固化剂处理后的打印器件抗压强度大幅提高,纳米硅超硬固化剂最适宜作为后处理A液;水性聚氨酯乳液PU-202B最适宜作为后处理B液的基料;后处理B液中加入水性环氧乳液,处理后打印器件的抗压强度增加、吸水率降低,但水性环氧乳液含量增加到一定程度后会出现尺寸偏差;后处理A、B液最佳浸泡时间分别为130 s和35 s;先浸泡后处理A液、后浸泡后处理B液的打印器件具有抗压强度高、吸水率小、表面较光滑、不脱粉等优良性能. 相似文献