VDMOS—NMOS兼容功率集成电路结构

提出一种完全新型的ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ全兼容功率集成结构的设计方法。该结构采用与ＶＤＭＯＳ工艺兼容的对接沟道结构形成ＮＭＯＳ器件，利用ＶＤＭＯＳ工艺中ｐ＾＋区反刻过程形成ＮＭＯＳ器件的有源区，利用ＶＤＭＯＳ工艺中刻双扩散口有成ＮＭＯＳ器件的栅区及多晶性互连线。     

沟道地貌自动提取技术下的贺家川镇沟道整治研究

选取陕北黄土高原地区沟壑地貌典型的神木县贺家川镇作为研究区域,从沟道地貌的空间形态特征和沟道整治的坡度组合思想着手,以DEM地貌信息自动提取为技术支撑,绘制出沟道地貌特征区域分布图和沟道整治潜力区域分布图,定量化掌握研究区沟道地貌的空间分布和面积情况,并针对不同地貌类型进行沟道整治模式探讨。     

四大名扇的独特风采

我国地大物博,各地出产的名扇不胜枚举。浙江湖州、湖南岳阳、江西吉安的羽毛扇;北京、杭州、苏州、绍兴、安徽泾县的折扇;广东和福建的蒲葵扇;四川垫江的棕榈扇;自贡的龚扇;浙江、山东的麦秆扇;成都、苏州的绢扇;肇庆的牛骨扇;广西阳朔的画扇等,都闻名遐迩。而最为著名的自然是四大名扇,即檀香扇、火画扇、竹丝扇和绫绢扇。     

扇子,收藏市场中的“潜力股”

扇子早已由实用之物演变为有实用功能的艺术品,使人心生爱羡和收藏之意。扇子的收藏与一般收藏不同,是件追求儒家风雅,延续人文逸品的乐事。因此,扇子已经成为收藏的一大门类,并成为收藏市场中的一只潜力股。     

慈竹的华丽转变——竹丝扇技艺

竹丝扇为中国的四大名扇之一。我们以营山何氏竹丝扇为例,了解竹丝扇的制作工艺。制作要领营山何氏竹丝扇采用细如发丝的天然慈竹丝编制而成,竹丝细如发丝,一方寸之内可用竹丝400～450根。正视扇面,其画荡然无存,整个扇面似细绢白绫、薄如蝉翼、蛟若菱荷、细腻绵密、质感可人。图案、文字全靠竹丝千变万化的搭配来构成。扇边缘采用优质钢条,并用几千根竹丝细细缠绕,与扇面浑然一体。扇把选用蜀北光洁度好、色泽素雅、质地坚硬的黄牛角加工而成,与扇面交相辉映,再配上艳丽的精丝穗子,玲珑雅致。     

Ti注入硅合成硅化物层精细结构分析

Ｔｉ离子注入硅化物已能得到特性优良的硅化物薄层，采用了深度分辨率高的掠角背散射和沟道技术发现注入层是３层结构，表面～１２０ｎｍ为合成的连续硅化钛多晶薄层，在该层中晶格无程度达到４０％～５０％，中间层厚度约为２００ｎｍ的高密度的晶格损伤区，晶格损伤率在硅与硅钛界面处最高，其值可达到７７％，并且随深度的增加而下降；第３层则是低密度晶格损伤层，束流密度的变化对晶格损伤率有一定的影响。     

相对论粒子在晶格中相关散射

本文采用与粒子运动纵向分量相同的坐标系来考察相对论粒子同晶格原子相关碰撞及其量子辐射。通过相对论变换,使三维运动问题转化为两维问题(轴向沟道运动)或一维问题(面沟道运动),从而大大简化了计算步骤,并以几种典型的相互作用势,讨论了沟道轻粒子在晶格中运动时束缚态之间的跃迁。用Moliere势计算出MeV电子在晶格轴向沟道中运动时发射与韧致辐射不同的量子辐射谱的特征,与实验结果相当符合。     

超晶格"锯齿形"势垒的穿透系数

指出了沿生长方向的超晶格沟道不再是直的,而是"锯齿形"形的,对于n层等厚薄膜组成的超晶格,每一个锯齿都可视为一个等腰三角形,而"锯齿形"沟道则由n/2个三角形串联而成.于是"锯齿形"势垒的穿透问题就转化为三角形势垒的穿透问题.假设一个三角形势垒的穿透系数为γ,则n/2个三角形势垒的穿透系数可近似表示为γn/2=γn/2.结果为粒子与物质相互作用研究提供了一种理论描述.     

新型垂直沟道的NPN型偶载场效应晶体管的设计及特性

研制了一种新模式的半导体场效应晶体第－－垂直沟道的偶载场效应晶体管（VDCFET），这种结构可以避免现有光刻技术的制约，使用常规的半导体双极晶体管工艺，既可把有效沟道长度减短，大大提高器件的速度，又可将电源电压降低到小于1V，大幅度降低功耗，改进其电学性能。本器件可应用于高频电路、D触发器、环振电路及反相器等重要电路。从纵向和横向报道了器件的设计思想，并给出了器件特性的测量结果。     

沟道粒子的非线性过程

从经典的角度,采用双势井模型与余弦势模型,研究了沟道中粒子的经典运动及其俘获态与非俘获态;从量子的角度,研究了沟道中粒子波函数的传播.所得结果与用Lindhard势及Mo-liere势的结果一致.