组合式金合金圆平面磁控靶的设计

首先对传统的圆平面磁控靶的形状进行改进,设计一个靶材利用率高的纯金靶．利用金合金的色区图,计算沉积不同Ｋ值和颜色的镀金膜时,组合式Ｋ金靶上金、银、铜的面积比,从而在纯金靶上固定相应面积的扇形银片和铜片,研制出不同Ｋ值和色度的组合式金合金靶．     

Linux 系统设备驱动程序设计一例

结合自行开发设计的加密卡的工作原理 ,介绍在Linux系统下可卸载字符设备驱动程序的设计过程     

两端系有不同集中质量的弹性杆的振动问题

通过提出一种变换 ,将两端系有不同集中质量的弹性杆的振动问题的边界条件化为第三类边条件 ,其本征值问题为规范的斯特姆 -刘维本征值问题 ,本征函数系 {Xn(x) }为正交完备的函数系 .最后 ,给出了该问题的解析解 .     

掺锡纳米α-Fe2O3的高温霍尔测量

采用恒pH值共沉淀法 ,制备了掺锡 5mol%的纳米α -Fe2 O3 粉体 .运用霍尔效应的原理 ,在低真空、高温 (390～ 5 40K)下用直流法测量了该α-Fe2 O3 压片的霍尔电压与电阻 .数据表明在该实验条件下α -Fe2 O3 的导电类型为n型 ,载流子浓度随温度的升高而逐步升高 .在低温区 ,数据表征的能量为 0 .18eV ,可能由深杂质能级引起 .高温区 1.7eV的表征能量 ,与Fe2 O3 的禁带宽度的一半相符 .迁移率随温度的变化关系表明 ,在低温区杂质对载流子的散射是主要因素 ,高温区晶格散射成为主要因素     

介质、地下介电常数和电导率剖面的时域重建

从散射场时域积分方程出发，导出了一种新的重建非铁磁性不均匀媒质介电常数及电导率剖面的数值计算方法．     

非线性聚焦梯度折射率光纤高斯光束的模式变换

导出了非线性聚焦梯度折射率光纤中高斯光束模式变换的新公式。数值结果表明，足够大的入射光束的功率对模式变换有显著影响。     

热敏电阻温度曲线的中点线性化方法

指出ＮＴＣ－热敏电阻与电阻组成的并串联电路存在一段线性工作温区，并给出温区中点位置及阻值随温度变化率或微分电阻的计算公式。此外，介绍中点线性化方法在ＦＴＣ－４型高精度温度变送器中的应用。     

非线性阶跃折射率棒透镜高斯光束的物像变换

从麦克斯韦方程出发，用变分法和数值法分析了高斯光束经克尔型非线性大直径阶跃折射率棒透镜的物像变换，讨论了光束功率和非线性系数对物像变换的影响。     

非局域磁捕获共振现象对回旋激射的影响

讨论磁镜场中弱相对论捕获电子的非局域磁捕获共振现象对回旋激射的影响。在高能电子分量与冷背景等离子体分量相比为一小量的近似下，用解析方法研究了回旋捕获共振所导致的沿磁力线传播的回旋激射，其结果与局域理论比较，发现非局域效应有很强的抑制作用。     

Si／GaP（111）界面生长及其形成过程

研究用电子束蒸发方法把Ｓｉ淀积在ＧａＰ表面的界面生长过程。用ＸＰＳ在线测量Ｓｉ／ＧａＰ（１１１）界面形成过程中各原子芯能级的移动趋势来研究界面原子间的成键情况；借助Ｇａ３ｐ峰强随Ｓｉ覆盖厚度的变化确定Ｓｉ的生长模式。还用ＬＥＥＤ监测Ｓｉ生长时的表面结构状态。