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分析降低表面场(reduced surface field, RESURF)横向功率器件耐压机理,假定共享区电荷沿对角线分配给横向和纵向耗尽区,建立了一个新的RESURF横向功率器件击穿电压模型. 该模型能准确描述漂移区全耗尽和不全耗尽情况下的耐压特性,并具有数学表达式简单以及物理概念清晰的优点. 在此基础上,导出了一个新
的RESURF判据,进而给出了一个用于指导器件设计的漂移区剂量上下限. 解析结果与实验结果吻合较好,验证了击穿电压模型和RESURF判据的正确性. 相似文献
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