γ辐照对SiGe HBT特性的影响

对室温下γ射线辐照对SiGe异质双极晶体管（HBT）直流特性的影响进行了研究.结果表明, γ辐照后SiGe HBT的集电极电流和基极电流都有不同程度的增加，直流电流增益减少.并对γ辐照后引起SiGe HBT集电极电流净增加的原因进行了探讨.这可能有助于其抗辐照模型的建立.     

土体塌陷下各参数对埋地管线的影响

土体塌陷是导致埋地管线破坏的重要原因之一。到目前为止, 国内外对塌陷区埋地管线反应的有限元分析甚少。为分析土体塌陷对埋地管线的影响,通过ANSYS有限元分析软件,建立管土模型,通过设置不同参数,如塌陷范围、埋深、管壁厚度,得出埋地管线在塌陷情况下的挠曲变形和轴向应力曲线。得出在土体塌陷下,增加壁厚和减少埋深均可减小埋地管道的破坏,同时得到埋地管道受力最大的位置在塌陷与非塌陷区交界处,因此应选此处为控制截面。设计中,应避免在控制界面附近设置接头。     

专利情报分析在企业研发中的应用研究

专利信息的有效利用可以节省研发资源，提高企业研发效率，缩短研发周期。专利情报分析作为挖掘专利信息的重要工具，在企业研发活动中有着广泛的应用。介绍了专利情报分析方法，并时其在企业研发相关环节中具体应用进行了研究。