| γ辐照对SiGe HBT特性的影响 |
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| 引用本文： | 杨晨,刘轮才,龚敏,蒲林,程兴华,谭开州,王健安,石瑞英.γ辐照对SiGe HBT特性的影响[J].四川大学学报(自然科学版),2007,44(3):587-590. |
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| 作者姓名： | 杨晨 刘轮才 龚敏 蒲林 程兴华 谭开州 王健安 石瑞英 |
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| 作者单位： | 1. 四川大学物理科学与技术学院微电子学系,成都,610064;微电子技术四川省重点实验室,成都,610064
2. 中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 对室温下γ射线辐照对SiGe异质双极晶体管（HBT）直流特性的影响进行了研究.结果表明, γ辐照后SiGe HBT的集电极电流和基极电流都有不同程度的增加，直流电流增益减少.并对γ辐照后引起SiGe HBT集电极电流净增加的原因进行了探讨.这可能有助于其抗辐照模型的建立.
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| 关 键 词： | 基极电流 集电极电流 γ辐照 |
| 文章编号： | 0490-6756（2007）03-0587-04 |
| 修稿时间： | 2006-12-01 |
The effects of γ irradiation on SiGe HBT |
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| YANG Chen,LIU Lun-cai,GONG Min,PU Lin,CHENG Xing-hua,TAN Kai-zhou,WANG Jian-an,SHI Rui-ying.The effects of γ irradiation on SiGe HBT[J].Journal of Sichuan University (Natural Science Edition),2007,44(3):587-590. |
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| Authors: | YANG Chen LIU Lun-cai GONG Min PU Lin CHENG Xing-hua TAN Kai-zhou WANG Jian-an SHI Rui-ying |
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| Institution: | 1. Department of Microelectronics, Sichuan University, Chengdu 610064, China; 2. Key Lab of Microelectronics Technology of Sichuan Province,ehengdu 610064,China; 3. The 24-th Institute, CETC, Chongqing 400060, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiGe HBT |
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