基于ARM7的光伏并网发电模拟系统设计与实现

设计了一种采用单级DC-AC 工频变压器的拓扑结构,主电路为IR2110驱动的半桥式逆变电路。控制电路以NXP公司ARM7核心处理器LPC2148,由软件生成SPWM波控制DC-AC逆变。系统通过反馈信号监测频率、相位,经由A/D采样欠压、过流信号,控制频率、相位的跟踪和欠压、过流保护,并且在此系统之上提出了一种创新的测量频率与相位的方法。经测试,本系统的变换效率高。输出正弦波形失真度小,实现了同频同相的跟踪控制和过流欠压保护。     

谈分光计的调整方法

谈分光计的调整方法杨恢东（五邑大学数学物理系江门市５２９０２０）在光学测量中，很多物理量诸如折射率，光栅常数，光波的波长，光的色散率等的测量都可以通过相应的角度的测量来实现。因此，分光计作为一种精确测定光线的偏转角的光学议器，在整个光学测量中占据非常...     

光致负阻效应及其机理探讨

本文介绍了由间接耦合光电探测器产生的光致负阻现象、并以实验为依据，基于一些合理的简化和假设，提出了一种物理模型。由此建立的几个基本的物理方程及进一步的理论推导的结果表明：该物理模型可以较好地对耦合区电流的负阻特性进行定性地解释。     

正弦激励下的R-L电路的暂态过程

深入地讨论了正弦激励下的R－L一阶电路的暂态过程，分析了该电路在接通正弦交流电时，直接进入稳态响应的条件以及该电路产生过电压、过电流现象的原因。     

基片温度对RF磁控溅射GaAs/SiO_2纳米颗粒镶嵌薄膜光谱特性的影响

利用射频（ＲＦ）磁控共溅射技术,以光学石英玻璃为基片,在不同基片温度下制备了系列ＧａＡｓ／ＳｉＯ２半导体纳米颗粒镶嵌薄膜样品。采用岛津光谱仪,对薄膜在２００至２０００ｎｍ波段范围内的透射光谱进行了测量。结果表明,与ＧａＡｓ块体材料相比,薄膜样品吸收边发生明显的蓝移;且随着基片温度的降低,蓝移量增大。而当基片温度达到３００℃时,光谱中出现了明显的吸收峰。量子限域效应是导致这种结果的主要原因。     

改进物理教学，培养开拓型人才

改进物理教学，培养开拓型人才丁瑞钦，李渭清，胡林，关小泉，杨恢东（五邑大学数学物理系江门市５２９０２０）１９９４年１２月９日，在广州举行的“广东省高等学校首届大学生物理实验设计大奖赛决赛”上，我校参赛的两位建工系学生，和中山大学物理系的参赛者并列获得...     

有机薄膜电致发光器件研究及其应用前景

从有机发光材料、器件结构与制备、工作原理、发光机理以及器件的稳定性等方面对有机电致发光器件的研究现状进行了评述，并对有机电致发光器件可能的应用前景进行了展望。     

纳米材料制备技术研究进展

综述了近年来在纳米材料制备领域的一些最新研究进展，并对每种制备技术的优缺点进行了比较和评价 。     

直流磁控溅射制备透明导电ZAO薄膜退火处理时间的研究

为改进太阳能薄膜材料制备工艺,利用直流磁控溅射方法,在较高氩气压强——12.7 Pa下制备出透明导电掺铝ZnO(ZAO)薄膜,并对其进行退火处理时间的研究。与其他研究者不同,利用较高压强也制备出高性能ZAO薄膜,并且可以利用退火处理改善薄膜的晶体结构、内应力、表面形貌以及光电性能。薄膜的电阻率随着退火时间的增加而降低,从原位沉积时的3.5×10-3Ω.cm,下降到1.9×10-3Ω.cm;薄膜的平均透光率增加到80%以上,光谱吸收边发生蓝移。结果表明,退火2 h,ZAO性能改善最优。