化合物半导体CdSe和ZnSe材料的状态密度

本文用Ｔ．Ｂ．－Ｒｏｃｕｒｓｉｏｎ方法计算了化合物半导体ＣｄＳｅ和ＺｎＳｅ的状态密度曲线，求出了费米能级和带隙，与实验结果符合得很好。     

碳纳米管增强镁基复合材料长径比对力学性能影响的有限元分析

建立复合材料中(镀铜)碳纳米管增强镁基复合材料空间轴对称分析模型,直接采用有限元法研究长径比对纳米复合材料的力学性能的影响.研究表明,长径比较高时,增强基应力集中程度较高,饱和应力范围较大,说明提高长径比可以提高应力传递效率,有利于增强基高弹性模量的发挥;随着长径比的提高,复合材料整体弹性模量增大,当长径比超过临界值后整体弹性模量趋于稳定;对于碳纳米管增强镁基复合材料,长径比临界值为45,弹性模量的临界值为49 GPa.     

缺陷对石墨烯纳米带金属度的弱化作用

通过在石墨烯纳米带(graphene nanoribbon, GNR)中引入一对跳跃参数相等的零模(即一对零模态的C–C键)构建金属石墨烯纳米带模型,在金属GNR模型的基础上建立单空位缺陷浓度为1.429%和2.857%的石墨烯纳米带模型,并基于密度泛函理论探究缺陷位置对其金属度的影响.研究表明:零模C–C键引入后, GNR表现出比未引入之前宽得多的金属带,其金属带宽由91.49 me V增加为452.92 meV.在金属GNR中,缺陷所处位置对引入单空位缺陷的难易程度影响较大.在GNR超晶胞中引入一个单空位缺陷时,缺陷对距离较近的零模C–C键产生的影响远强于较远的零模,这导致GNR几何结构对称性被破坏,局域的电荷转移加剧.当缺陷位置接近纳米带边缘时, GNR的电子特性容易发生改变,部分GNR带隙被打开,缺陷模型完成从金属向半导体的转变.在缺陷浓度为2.857%的GNR中,由于缺陷位置的对称设置, GNR在几何构型和电荷转移情况方面保留了其原始对称性,最大程度地保证了两零模间的跳跃幅度,使GNR保持金属性不变.石墨烯纳米带缺陷模型的金属带宽均低于仅引入零模C–C键的GNR模型金属带宽,...     

硼对钢中小角度晶界的加强作用

利用位错模型构造纯净的和B掺杂晶界的原子结构,并用Recursion方法研究了B/Fe53°小角度晶界的结合性质·态密度(DOS)和键级积分(BOI)的计算结果表明:B在钢中的小角度晶界区起‘桥梁’作用,增强晶界的结合强度·计算的每个原子的平均结合能差ΔE为-0419eV,这一结果从理论上进一步证实了B对钢中小角度晶界的加强作用