PSO电机低损方案模糊预补偿转速转矩优化

针对矿用驱动电机节能控制中存在的电动机转矩脉动和速度波动问题,提出模糊预补偿调速控制方案.以元器件分类建立异步电机损耗模型并提出基于粒子群算法的变磁通控制方案.提出模糊预补偿给定转速控制以降低系统对参数摄动、干扰和非线性因素的敏感度,修正由于磁通降低带来的电机转速波动问题.利用YVP-100电机参数实验表明,所提方案在额定转矩下,降低了约0.1kw的无功损耗,同时保证了电机转速/转矩的平稳输出.     

基于DSP的FIR数字滤波器的实现

可编程DSP(digital signal processor)是一种能够快速进行数字信号处理的特殊微处理器,而数字滤波器是DSP的基本应用之一.通过介绍利用DSP技术,采用线性缓冲区和带移位双操作寻址的方法实现FIR滤波器的设计.目前所见文献,多数为滤波器的模型设计,所得结果只是在MATLAB等实验环境下模拟仿真完成,带有很大的局限性,而FIR数字滤波器可在TMS320C5402 DSK系统板上实现,保证了仿真和实现结果的一致性.     

在线实时辨识控制通道模型的振动主动控制

结构振动自适应滤波前馈控制采用离线辨识策略获得控制通道模型参数,很大程度上导致该方法的实用性和适用性受限. 分析该方法的基本控制结构和辨识策略,在此基础上提出一种在线实时辨识控制通道模型参数的振动主动控制方法. 在控制输出端引入随机噪声,以FIR滤波器为受控通道模型进行实时在线参数辨识. 控制环节采用滤波-X控制算法. 给出控制器组成结构与算法过程描述,结合实验模型结构和测控平台进行实验分析与验证,并评估模型在线实时辨识结果. 实验结果表明所提控制方法的可行性和有效性.     

基于FULMS算法的压电机敏柔性结构振动主动控制

面向航空航天器挠性结构振动主动控制研究背景,针对FXLMS控制算法无法直接从振动结构提取参考信号的缺陷,以经过传感器作动器优化配置的压电机敏柔性梁为模型结构,研究了一种基于多通道FULMS算法的结构振动主动控制器.针对参考信号取自激振信号和直接取自振动结构两种情况,对FXLMS控制算法及FULMS控制算法进行了仿真分析与验证;结果表明FXLMS算法高度依赖参考信号选取,FULMS算法相对FXLMS算法具有更好的收敛性,且能够实现参考信号直接提取策略.在此基础上构建了测控系统和实验平台,进行基于多通道FULMS控制算法的压电柔性结构振动主动控制实验,验证了参考信号从振动结构中直接提取策略的可行性与多通道FULMS控制算法的有效性.     

基于建构主义的微机类课程教学方法研究

针对微机类课程概念抽象、内容重叠交错、教材滞后严重和教学难度大等问题,并结合具体教学实践,探讨了基于建构主义的教学方法和具体教学实施方案.构建主义教学方法的核心思想是:学生不再是教学内容的被动接受者,而是知识的主动获取与建构者,教师由舞台上的主角转换为幕后导演,成为学生的协助者和指导者.根据建构主义教学理论,本文以《单片机原理及应用》课程为例,给出基于建构主义的教学模式要点:即应抽出教材核心主线,应合理分解学生完成的目标任务,给学生提供获得资料的途径.     

矿井无线传感器网络数据链路层的研究

随着无线传感器网络的广泛应用,节点的节能问题已成为关注的焦点.介质访问控制(MAC)协议是一项数据链路层基础结构的重要技术.比较目前国内外的研究成果,从节能角度分析了当前几种比较典型的MAC协议.并结合矿井的特殊环境,提出了一种适用于矿井的新型MAC协议.     

可变磁通永磁游标电机设计及静态特性分析

为实现永磁电机在体积和槽数不增加情况下产生低速大转矩输出,将混合励磁概念引入永磁游标电机,提出了一种新型可变磁通永磁游标电机。通过将磁通调制极引入到电机定子齿以及在相邻磁通调制极间布置励磁绕组,实现了电机磁通可控,从而保证在增磁及弱磁过程中宽调速范围运行。分析了其工作原理,采用时步有限元方法计算了电磁特性,包括空载永磁磁链、空载感应电动势、齿槽转矩和输出转矩,对其增磁弱磁过程进行了分析。制作了一台1 kW样机;并对其静态特性进行了测试。结果表明该电机具有转矩密度大、齿槽转矩小、调速范围宽特点,适用于风力发电、电动汽车领域。     

硅膜厚度对Si/β-FeSi2/Si在宽光谱范围的传输特性影响

分析了β-FeSi₂和Si在可见光和近红外(NIR)范围内的复折射率，并设计了由Si和β-FeSi₂组成的简单的三层薄膜结构Si/β-FeSi₂/Si。顶层硅的厚度是可变的，但中间层β-FeSi₂的厚度和底层硅的厚度都是固定的。在可见光和近红外范围内，利用菲涅耳理论和有限元数值分析方法分析了该结构在光垂直入射情况下的光学传输特性，并解释了其物理机制。材料Si在波长0.30～0.37μm范围有巨大的反常色散dn/dλ=30.5μm^-1,而材料β-FeSi₂在波长0.30～1.10μm范围有较大的反常色散dn/dλ=5μm^-1。结果表明，这种设计简单的膜层结构可以应用于许多光电器件中，并且反射率和透射率等性能可以通过顶层硅厚度的变化进行灵活调整。当波长在可见光范围和近红外范围内时，该结构的透射率和反射率均有显著差异。