渐变方式对量子阱激光器电流注入效率的影响

通过在量子阱激光器中的分别限制结构层引入4种不同的渐变方式,即线性渐变、抛物线渐变、扩散渐变以及高斯渐变,利用电流连续方程、泊松方程以及边界条件进行数值计算,得到了在不同渐变方式下器件的电流注入效率与注入载流子密度、有源层厚度及渐变长度的关系.     

芴基荧光共聚物与芴基磷光共聚物光电性能的比较研究

通过对芴基荧光共聚物(PFO-TPP)和芴基磷光共聚物(PFO-TPP-Pt)的光电特性的比较研究,结果发现PFO-TPP-Pt磷光共聚物相对于母体荧光共聚物PFO-TPP的PL效率低很多,但是磷光聚合物比相应的不含金属的母体荧光共聚物的EL效率却显著提高,PFO-TPP-Pt器件的最大外量子效率为1.95%,相应的发光亮度为8.3 cd/m2和色坐标(C IE1931)为(0.700,0.293),此外,磷光共聚物在EL过程中的能量转移比母体荧光共聚物更完全。     

MOCVD 生长的动力学模式探讨

讨论金属有机化合物气相沉积(MOCVD)方式生长晶体的一种动力学解释．应用分子动力学、化学反应动力学等推导出MOCVD反应过程中晶体生长速度—原材料输运速度有关的公式，并应用这个公式进行了计算，计算结果与实际生长时的参数接近．     

高亮度InGaAlP DHLED结构设计的研究

InGaAlP双异质结LED结构设计的目的在于减少器件的光、电、热损耗 本文分析各层成分、层厚度、掺杂浓度以及有关的辅助技术 ,例如厚电流扩展层、电流隔离层、布拉格反射层、金属电镀反射层、透明衬底等对LED性能的影响 ,提出一个性能优良的高亮度LED应具有的结构模式     

用于UHB- LED 的AlGaAs/ AlAs DBR光学性质的研究

从光学传输矩阵出发，研究了用于超高亮度发光二极管的AlGaAs/AlAs布拉格反射器光学性质，并分析了材料吸收、组分漂移和层厚偏差对布拉格反射器光学性质的影响。     

ZnSe-ZnS双层结构的非线性光波导

ZnSe是受重视的光学非线性材料,尤其是ZnSe-ZnS应变超晶格由于其室温激子效应,可望成为激子型,快响应速度的光双稳器件的理想材料。1989年我们在77K温度下首次观测到无腔的ZnSe-ZnS/CaF_2应变超品格的光双稳,随后又在室温观测到具有ps响应的     

P 型掺杂对AlGaInP 双异质结发光二极管的Al 组分确定的影响

在双异质结发光二极管(DH-LED)实际材料生长过程中,它的限制层的Al组分的确定有较大的随意性.在不同的P型掺杂程度下,通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了限制层Al组分分别对应确定为一个最合适的取值,此时有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,LED的复合效率最高.从而可以探索P型掺杂对限制层Al组分确定的影响的规律,并得到一个较合适的掺杂浓度.这对于器件结构设计以及相关的金属有机化合物气相沉积(MOCVD)材料生长有一定的指导意义.     

化学沉淀法和溶胶- 凝胶法制备纳米二氧化钛及其抑菌性的研究

用化学沉淀法和溶胶-凝胶法制备纳米二氧化钛颗粒;利用X射线衍射和紫外-可见光吸收光谱分析法,重点研究氨水浓度和煅烧温度对二氧化钛纳米晶生长及其光学性质的影响.结果表明:氨水浓度的上升有利于纳米晶粒径的下降;煅烧温度的上升能促进结晶度的上升,同时煅烧温度和结晶度对粒径也有影响.随着粒径的下降,纳米晶的光吸收边蓝移.在得到颗粒的各项性质参数后,实验验证了普通日光灯下纳米二氧化钛颗粒的光催化抑菌性能.     

现代MOCVD 技术的发展与展望

ＭＯＣＶＤ是一门制造化合物半导体器件的关键技术。本文综合分析了现代ＭＯＣＦＶＤ技术的基本原理,特点及实现这种技术的设备的现状及其发展,重点讨论了能实现衬底温度,衬底表面反应源流均匀性的立式高速涡轮转盘ＭＯＣＶＤ技术,并对ＭＯＣＶＤ技术的进一步改进和应用作了展望。     

白光LED中的荧光粉老化研究

利用同批次芯片的白光LED与蓝光LED在相同条件下进行老化实验,根据老化过程中电致发光谱(EL谱)和光功率变化情况计算了白光LED中蓝光被转化为黄光的比例,研究了荧光粉转换效率对白光LED老化的影响,并测量了荧光粉老化规律,发现转换率呈指数衰减变化,且电流加大时衰减也更快。据此认为荧光粉转换率的衰减是造成白光LED老化的重要因素之一。