| P 型掺杂对AlGaInP 双异质结发光二极管的Al 组分确定的影响 |
| |
| 引用本文： | 陈贵楚,范广涵,陈练辉,刘鲁.P 型掺杂对AlGaInP 双异质结发光二极管的Al 组分确定的影响[J].华南师范大学学报(自然科学版),2003,0(3):64-68. |
| |
| 作者姓名： | 陈贵楚 范广涵 陈练辉 刘鲁 |
| |
| 作者单位： | 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州,510631 |
| |
| 基金项目： | 国家科技攻关计划资助项目(00-068) |
| |
| 摘 要： | 在双异质结发光二极管(DH-LED)实际材料生长过程中,它的限制层的Al组分的确定有较大的随意性.在不同的P型掺杂程度下,通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了限制层Al组分分别对应确定为一个最合适的取值,此时有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,LED的复合效率最高.从而可以探索P型掺杂对限制层Al组分确定的影响的规律,并得到一个较合适的掺杂浓度.这对于器件结构设计以及相关的金属有机化合物气相沉积(MOCVD)材料生长有一定的指导意义.
|
| 关 键 词： | AlGaInP 发光二极管(LED) Al组分 掺杂 |
| 文章编号： | 1000-5463(2003)03-0064-05 |
| 修稿时间： | 2002年12月10 |
THE EFFECT OF P-DOPING UPON DEFINITION OF Al COMPOSITION OF AlGaInP QUATERNARY DOUBLE HETEROJUNCTION LIGHT-EMITTING DIODES |
| |
| CHEN Gui-chu,CHEN Lian-hui,FAN Guang-han,LIU Lu.THE EFFECT OF P-DOPING UPON DEFINITION OF Al COMPOSITION OF AlGaInP QUATERNARY DOUBLE HETEROJUNCTION LIGHT-EMITTING DIODES[J].Journal of South China Normal University(Natural Science Edition),2003,0(3):64-68. |
| |
| Authors: | CHEN Gui-chu CHEN Lian-hui FAN Guang-han LIU Lu |
| |
| Abstract: | In the case of no determination of Al composition on blocking layer,the authors have proved there is an optimum Al composition on occasions of various p-doping so that carriers in undoped layer would recombine on the largest scale by analyzing their transportion in double heterojunction. The law of p-doping upon definiton of Al composition and the optium p-doping density have achieved. These achievments would have a guidance to device structure design and MOCVD epitaxy. |
| |
| Keywords: | AlGaInP Light emitting diode(LED) Al composition P-doping |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《华南师范大学学报(自然科学版)》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《华南师范大学学报(自然科学版)》下载免费的PDF全文 |
