2和3连通图中的禁止子图与哈密顿性质

证明了如下结果：（１）若Ｇ是２－连通的（Ｋ１，３，Ｐ５，Ｂ）－自由图，或２－连通的（Ｋ１，３，Ｚ２，Ｐ５）－自由图，则Ｇ是哈密顿图，（２）若Ｇ是３－连通的（Ｋ１，３，Ｚ１）－自由图，或３－连通的（Ｋ１，３，Ｚ２，Ｐ５）自由图，或３－连通的（Ｋ１，３，Ｐ５，Ｂ）－自由图，则Ｇ是哈密顿连通的。     

爪与圈可扩性

图Ｇ中一个与Ｋ１，３同构的导出子图叫做Ｇ的一个爪，爪中的３度顶点叫它的爪心。用ｒ（ｖ）表示图Ｇ中所有以顶点ｖ为爪心的不同爪的数目。证明了阶数≥３的连通、局部连通图Ｇ，如果Ｇ的爪心集合Ａ是点独立集，且Ａ↓ｖ∈Ａ，ｒ（ｖ）≤ｄ（ｖ）－３，则Ｇ是完全圈可扩的。     

先锋孤立子生成的理论平均波阻：II.数值研究

基于ｆＫｄＶ方程系数的正则特性，以二维两层流的先锋孤立子生成问题为算例，胜数值方法对本文部分（Ｉ）中的理论平均波阻，能量劈分及能量劈分比进行检验。从理论与数值结果的比较知，理论与数值结果符合得很好。这表明本文部分（Ｉ）中的理论平均波阻，能量劈分及能量劈分比可用于先锋孤立子生成参数的预报，也表明本文部分（Ｉ）中的理论可推广应用于二维非线性强迫系统。     

局部β-凸空间中的f-齐次嵌入子空间及其最佳逼近性质

本文在局部β-凸空间中,对一类具φ-齐性的β-凸泛涵f,引进了f-齐次嵌入子空间的概念,并得到了它们是f-切比雪夫子空间的充要条件等。     

算子代数上同调论进展

本文系统地总结了算子代数上同调理论的产生和发展过程。全面地介绍了已见到的各种算子代数上同调理论及其相互关系。并阐述了这个理论在导子的提升,一般的提升,扩张问题,摄动理论和量子力学半群等方面的最新结果。最后,还提出了有待研究、解决的十个问题。     

表面品格振动的高分辨电子能量损失谱研究

阐述了利用高分辨电子能量损失谱(HREELS)研究表面晶格振动的原理和方法,结合2种不同类型的半导体GaAs(110)和Si(111)表面声子谱的实验观察,讨论了表面声子谱的特征。确定了GaAs(110)剖理面在液氦温度下及Si(111)剖理面在室温下的表面声子能量分别为35.6和56meV,其1次增值峰对损失峰的相对强度分别为0.002和0.1。     

Banach代数的T—上同调与零化子理想

本文将对Banach代数的T—上同调作较深入的探讨,重点讨论T—上同调的维数降低与上同调之间的关系,以及T—上同调中的零化子理想。     

电机双开梨形槽气隙磁场的次纯函数解

本文应用复变函数保角映射理论把电机双开梨形槽气隙磁场映射为均匀磁场,把磁感强度用次纯函数来精确表示。通过它对电机双开梨形槽气隙磁场的分布进行定量分析。     

Locale的紧正则极不连通反射

本文从任一给定LocaleA,构造出一个紧正则极不连通Locale J(A),且证明了:(1)A是J(A)的稠子locale当且仅当A是正则极不连通(2)对是范畴Loc到子范畴KREDLOC的函子(3)J是子范畴KREDLOC到范畴EDLOC的包含函子的左伴随函子,(即KREDLOC是范畴EDLOC的可反射子范畴。