快速低漂移光电流放大器的研制

本文结合硅光电二极管的特性通过实例讨论了光电流放大器设计中的一些问题。较详细地论述了运算放大器参数对放大器特性的影响,並从理论上进行了推导计算。对噪声电压的影响也作了一些讨论,得出了测定元件参数的参考方法。最后给出了放大器的测试结果和在光电高温计中的应用情况。     

OLED矩阵显示屏运动图像的一种实现方法

介绍了实现有机发光二极管 (OL ED)图形显示的一种方法 .通过设计软件 ,实现了无交叉效应、高清晰度的OL ED矩阵运动图像的图形显示     

技术市场

电子连接器新材料，新工艺，自动化；烟气污染源自动监测系统（CEHS）；封装玻封二极管过程中微小气泡的产生问题[编者按]     

高效无源三次倍频器研究与设计

为解决目前市面上毫米波倍频器制作工艺与体积之间的矛盾,设计了一款工艺简单、体积小、效率高、成本低的毫米波无源三倍频器。该倍频器在印制电路板上采用砷化镓变容二极管的反向并联电路结构,能有效抑制偶次谐波,改善输入阻抗特性;并在电路中增加空闲电路,大大提高了倍频信号的输出功率;最后通过仿真软件对倍频器进行优化和仿真,结果表明该倍频器效率高达55.78%、基波抑制大于50 dBc。     

有机电致发光的过去、现在和未来

简要介绍了有机电致发光器件的过去、现在和未来．在激子利用机制上,有机电致发光材料经历了3代更迭,最近人们又提出了几种新的方法来提高激子利用率．与此同时,结合机器学习和人工智能等新型数据驱动技术也成为目前探索新颖高效有机电致发光材料的趋势．有机电致发光器件在经历了60多年的发展后,已经成功地从实验室走进千家万户,正慢慢地改善着人们的生活．      

肮频二极管掺金,掺铂和12MeV电子辐照性能的研究

对高频二极管掺金，掺铂和１２ＭｅＶ电子辐照试验结果进行了对比分析研究，实验研究结果表明：掺金器件有最佳的ＶＦ－ＴＲＲ折裹曲线，但高温特性却最差掺铂器件有最佳的高温特性，但ＶＦ－ＴＲＲ折衷曲线却最差；全面衡量器件各参数，１２ＭｅＶ电子辐照最有利于器件参数的最佳化，据化，提出了不同类型的高频二极管少子寿命控制技术的优选方案。     

高压VDMOSFET中的快恢复体二极管的设计新方法

提出了一种提高高压垂直双扩散MOS场效应晶体管（VDMOSFET）的体二级管恢复速度的新方法，在这一方法中，肖特基接触集成于VDMOSFET中的每一单胞中，据此生产的样品的实验结果表明，对于500V／2A的VDMOSFET，反向恢复电荷减小了50％，体二极管的恢复因数增大了60％．     

浅谈有机发光显示屏

文章简要介绍了有机发光显示器(OLED)的工作原理、优缺点及其应用前景。     

天幕靶基级放大电路的噪声模型研究

通过对单电阻I／V转换和T型网络两种典型的基级电路的分析，提出了光电二极管阵列与这两种电路相结合的噪声模型，仿真分析了输入电阻热噪声和运算放大器输入噪声双重作用下的输出噪声水平．经比较，T型网络输出信号的信噪比要比单电阻的I／V转换电路高6dB．实验结果证明，T型网络的误差主要由并联电阻个数决定，所以减小每个与T型网络相连的光电二极管数量，可以大幅度提高系统的信噪比。     

SiOx(X≤2)基电致发光体系研究进展

近年来,SiOx(X≤2)基电致发光材料发展迅速。着重讨论了5种具有实用潜力Si基LED包括离子掺杂、Si-nc嵌SiO2、多孔硅、a-Si(C):H以及MOS结构,并对其电致发光机理以及存在的问题如量子效率低、稳定性差进行了分析,认为电致发光原子SiOx(X≤2)中发光中心和界面缺陷处载流子的辐射复合。在激子碰撞和电子空穴复合发光体系中,提高载流子的平衡注入能够显著提高量子效率。在对比SiOx(X≤2)基LED研究的基础上,对下一步发展提出了建议。