中国伽利略测试场研究进展

本文以中国伽利略测试场（CGTR）项目为背景,详细介绍了基于微波暗室的室内测试环境、基于伪卫星网络的室外测试环境和基于软件接收机和仿真设施的多媒体综合应用推广平台的整体方案,并介绍了这些系统的最新研究进展,以及主要的技术突破情况.本文对卫星导航接收机测试、室内外测试环境建设、软件接收机研究、以及相关应用推广仿真具有重要的参考价值.     

基于多源数据分析的三峡库区抗滑工程优化与比选

抗滑工程优化与比选主要是工程应用的研究。针对三峡库区抗滑工程选型、多排抗滑桩位置选取与抗滑工程参数设计问题,通过分析整理三峡库区已成功治理257组地质灾害数据,运用分类统计参数方法,分析最优支护结构形式,基于FLAC3D软件,建立力学分析数值模型,选取多排抗滑桩合理位置,将理正软件设计参数与收集资料进行对比,确定最优桩间距与锚固深度取值,并应用于工程实例验证,研究表明：（1）当滑坡剩余推力小于100kN/m且工程设置位置处滑体厚度小于5m时,宜采用重力式挡墙;大于100kN/m或滑体厚度较大时建议采取抗滑桩。（2）当两级设置抗滑桩支护滑坡时,前排桩位于反翘端点,排距占反翘端点与滑坡后缘距离为20%时,滑坡的总推力最小,为最优方案。（3）三峡库区重庆段滑坡抗滑桩锚固深度与桩长比值推荐值为0.45,桩间距推荐值5.5m或6.0m。（4）应用于三峡库区滑坡工程实例,对比分析得出此优化设计方法具有可行性和实用性,为后续滑坡治理提供有效指导。     

90年代测控系统的主导总线

本文首先从系统集成和制造集团规模等几方面同STD总线相比较,说明VME或MultibusⅡ为什么在90年代测控领域里将处于主导地位;然后描述VXI在90年代对自动测试设备之影响以及VXI的主要体系结构;最后,本文讨论VME和MultibusⅡ的一些应用特点以及Futurebus比VME和MultibusⅡ更优越的一些性能。     

25A高精度稳流电源的研制

针对磁场电源需要具有较好的电流稳定度,研制了一种25A高精度稳流电源。着重讨论了其主要电路的设计,给出了此稳流电源的关键技术和主要参数。实际应用中证实了该电源的有效性。     

具有钛框架增强结构的人工骨的降解规律

为了解决磷酸钙骨水泥(CPC)复合骨形态发生蛋白(BMP)植入体强度低的缺陷，提出一种钛框架／CPC／BMP复合结构的人工骨，并通过长达半年的动物实验及后续分析研究其降解规律，得出了这种植入体降解的动力学模型．研究表明：在植入动物体内后，CPC的孔隙率按对数规律递增，靠近植入体表面的孔隙     

谈积极的财政政策与国债市场的发展思路

长期以来，我国国内市场需求不足，为了解决通货紧缩问题，我国应继续实行积极的财政政策。而财政政策与货币政策作为政府宏观调控的两大手段，应加以综合利用。文章就积极的财政政策及其与货币政策的协调运用进行了理论上的研究，并进一步提出了我国国债市场的发展思路。     

浅谈我国个人所得税征管现状及其完善

在现代社会中，个人所得税的征管至关重要，它不仅关系到社会公正问题，更是社会稳定的基础。文章就我国个人所得税征管中现有的状况和问题进行了研究和探讨，并指出了我国个人所得税征管制度的完善思路。     

战略性贸易政策理论的评价

战略性贸易政策理论的学术价值体现在对传统贸易理论基本假设的突破上,并引入了市场结构因素;其实践价值体现在对各国贸易政策制定的指导上,尤其是贸易政策与产业政策相结合的特点和战略因素引入贸易政策的制定。但是该理论也有消摘要:极的影响和缺陷,主要体现在经济和政治两个方面。     

轮古7试验区奥陶系潜山构造裂缝特征研究

基于岩芯定量描述和FMI成像测井资料的系统统计和分析,明确了轮古7试验区奥陶系潜山构造裂缝基本特征.本区构造裂缝以NE-SW走向为主,总体上较发育但非均质性强,裂缝发育区局部集中分布.构造裂缝纵向上主要分布在潜山面以下0—150m范围内,以发育中-高角度缝为主.构造裂缝充填物主要为泥质和方解石,充填缝占60.6%.发育在潜山面附近的裂缝常被泥质半-全充填,而与岩溶作用有关的洞顶缝为未充填或方解石半充填.钻井统计表明本区裂缝型储层所占比重较大,达到44.9%.构造裂缝发育带与中-小型洞穴发育区叠合位置易发育缝洞型储集体,这也是本区今后优选上钻的重要目标,比较合适的井型为水平井或大斜度井.轮古7试验区构造裂缝易沟通下部水体,导致油井快速见水并影响原油采收率,因此开发过程中要及时根据油井生产动态特征采取合理措施控水增油.预测了13个构造裂缝比较发育的区域,优选出5个为缝洞型储层钻探有利区.     

脑深部刺激电极的结构优化及其模拟分析

为了进一步揭示脑深部电刺激术中微脑电极的结构与电刺激参数之间的关联作用对神经活动的抑制机理,利用有限元方法,研究微脑电极刺激触点结构对其作用区域的刺激范围和刺激程度.分析结果表明,电极触点阵列,特别是触点长度和触点间距是微脑电极结构尺寸中的关键因素,也是对脑电极作用区域影响最大的结构尺寸.电极触点长度或触点间距的增加将会增大对脑部的刺激强度和刺激范围,同时触点长度2倍于触点间距将使得脑部的刺激更加平稳、有效.电极触点长度和触点间距不仅直接影响其作用位置,而且影响其对脑部作用区域的刺激强度和刺激范围的变化规律.研究结果为微脑电极的构建提供了新的设计依据.