苜蓿雄性不育系MS-4雄蕊发育的细胞形态学研究

通过直接压片和连续石蜡切片法对苜蓿雄性不育系MS-4雄蕊发育的细胞形态学进行了观察分析,寻找其雄性不育形成的细胞学原因.结果表明:不育系MS-4花粉败育的时期是在小孢子四分体分开至单核花粉粒时期,花药绒毡层细胞形态的变异是苜蓿雄性不育系MS-4花粉败育的主要细胞形态学原因.     

东濮凹陷桥口构造沙三3-4亚段气藏储集因素

目的 为更好地勘探桥口构造含气层沙三段中下部的天然气，研究了影响气藏的诸因素。方法利用薄片观察统计和X衍射分析，对桥口构造沙三^3-4亚段气藏岩性特征、沉积相特征进行了研究。结果该区含气层段具砂层厚度薄，粒度细，沉积相变快，埋藏深度大，储层物性纵、横向差异明显的储集特点；影响含气层段的储集因素包括岩石学组分、沉积相、砂体展布、成岩作用及物性等；沉积相是最主要的因素，以重力流沉积为主；好的储集体主要有湖底扇中扇辫状水道砂体和轴向重力流水道砂体。结论通过以上研究，结合气源条件，指出该地区天然气勘探的方向应为桥东斜坡带。     

新疆哈萨克族人血管紧张素原基因M235T多态性与原发性高血压相关性研究

探讨血管紧张素原(AGT)基因M235T分子变异与哈萨克人原发性高血压(EH)的关系,采用多聚酶链式反应法及限制性片段长度多态性技术(PCR-RFLP)对132例EH(EH组)及75例正常者(正常对照组)进行AGT基因M235T多态性检测.新疆哈萨克族原发性高血压AGT基因型频率为TT0,TM41.67%,MM58.33%;T235与M235等位基因频率分别20.83%,79.17%.而对照组其相应频率分别为0,46.67%,53.33%;23.33%,76.67%,两组相比无显著性差异(P＞0.05).按性别分组后,男女等位基因频率两组相比亦无显著性差异(P＞0.05).证明AGT基因M235T分子变异可能与哈萨克族人群高血压发病无关联.     

雌二醇对大鼠离体脂肪组织释放游离脂肪酸的影响

将大鼠离体脂肪组织置于组织灌流肌槽中,分别加入不同浓度的雌二醇及雌二醇加心得安、异搏定或无钙液,测定离体脂肪组织所释放的游离脂肪酸(freefattyacid,FFA)的含量,观察雌二醇对大鼠离体脂肪组织释放FFA的影响,并探讨其作用机制.结果发现雌二醇促进大鼠离体脂肪组织释放FFA(P<0.01),并存在剂量效应关系(r=0.845,P<0.001);;心得安、异搏定和无钙液可不同程度地阻断雌二醇对离体脂肪组织释放FFA的促进作用.由此表明雌二醇可通过增加FFA的释放,促进离体脂肪组织的分解代谢,且其作用可能部分经肾上腺素能β受体、异搏定敏感的L型Ca2+通道及细胞外Ca2+内流介导.     

天津市重点实验室建设现状及发展对策

简要介绍了国家及地方重点实验室的建设概况，对在天津的国家级、部级重点实验室和天津的地方实验室进行了分析，在此基础上提出了天津今后的发展思路和对策。     

从刘永福旧居建筑群看建筑形式与功能的关系

通过对刘永福旧居三宣堂的考察，分析了其布局、建筑特征及装饰艺术，探讨了建筑功能与建筑形式的关系，旨在探索我国民居建筑文化的内涵及承传。     

化学专业课程设置改革构想

为了适应国家经济建设的需要，高等学校面临进一步的教学改革。化学专业原有的课程设置，缺少课程之间的有机联系，难以适应现代科技高速发展、多学科之间紧密联系、相互渗透的发展趋势，也不能适应通才教育的要求。为了让学生在四年的学习过程中，既能系统、牢固地掌握化学的基础理论，又尽可能多的了解化学最新前沿知识，化学专业课程的设置必须改革。     

牙科CAD/CAM可加工微晶玻璃的体外表面抗腐蚀性

按牙科陶瓷国际标准ISO6872推荐标准对一种新型的牙科计算机辅助设计加工(CAD/CAM)陶瓷进行了体外表面抗腐蚀性研究．该材料表现出与其他牙科陶瓷相同的现象，在玻璃相出现孔洞，这些孔洞在负载时成为破坏的起点，导致材料强度降低．     

先验符号学中的语用学转向

先验符号学是当代德国著名哲学家卡尔-奥托·阿佩尔(Hatt-otto Apel)的基本思想。本文分析了先验符号学中语用学转向的理论背景、具体内涵以及在此基础上形成的先验语用学思想,从而揭示语用学转向的意义在于塑造先验哲学的新形态,进行一种哲学范式的转换。     

HAsO2在金电极上的阴极还原行为

采用环盘电极实验和交流阻抗技术等研究了ＨＡｓＯ２在硫酸钠溶液（ＰＨ＝４．０）中在金电极上的阴极还原行为。结果表明,ＨＡｓＯ２可以最终还原为ＡｓＨ３,整个还原过程可以分为两步：ＨＡ２Ｏ２还原为金属Ａｓ的金属Ａｓ进一步还原成ＡｓＨ３,在电极上的吸附较强,溶出性能较差。这两步还原过程在阻抗的复数平面图上呈现二个明显的电容弧,利用ＥＱＵＩＶＣＲＴ软件对其进行计算机拟合,得到了对应的等效电路以及其中的反应电