K波段双通道集成CMOS发射前端芯片设计

采用TSMC 90 nm CMOS工艺,设计并实现了一款具有移相功能的K波段双通道集成发射前端芯片.该芯片主要由一个功率分配器、两组参数不同的有源移相器和功率放大器构成,同时在片上集成了用于控制移相器的数字模块.测试结果表明,在中心频点25 GHz处,两个通道的增益分别为19.1 dB和18.9 dB,输出1 dB压缩点分别为9.57 dBm和8.41 dBm,相位误差分别为1.38°和1.47°,供电电压为1.2 V,总功耗为0.32 W,芯片总面积为2.2 mm×1.25 mm.      

基于MATLAB的D类功率放大器的仿真分析

D类功率放大器是将欲放大的信号转化为脉宽调制信号，用来驱动PWM开关逆变器；相比线性功放，其输出信号中含有较高的谐波成分，本文对波形失真进行了仿真分析，并提出了一种补偿方法。     

基于HPA特性曲线拟合的自适应预失真技术

提出了一种用于正交频分复用(OFDM)系统中补偿由大功率放大器引起的非线性失真的基带自适应预失真方法。自适应预失真器是基于对大功率放大器的非线性特性进行分段估计,由曲线拟合逐段取逆变换来训练大功率放大器的预失真器的非线性参数,以达到预是真补偿的目的。计算机仿真结果表明,该方法具有收敛速度快、需要动态存储器(RAM)少、补偿效果好等特点。     

天津市知识产权局推荐项目(2006年第一批)

1数字功率放大器；2紫龙金片；3肾炎康复片；4辣椒碱；5血必净注射液……     

高频丙类功率放大电路的设计

高频功率放大器是无线电发射机中的重要单元电路,也是高频电子线路教学中最基本的实验课题.为了进一步研究电源电压与集电极负载对功率放大器功率和效率的影响,我们设计出方便调整与测试的电路--高频丙类谐振功率放大电路.     

引信体外射频电源技术研究

该文提出了一种引信体外射频电源技术，通过分别置于发射器和引信中的初、次级耦合线圈，实现能量的非接触传输，对引信体内电容充电，为引信电路和起爆装置提供所需的能量。在低耦合系数条件下，通过基于初级漏感的E类功率放大器和次级漏感的补偿方法，提高电容充电电流和传输效率。最后提供了原理样机和实验结果。     

RF功放非线性特性的在线神经网络建模

为了改善功放系统的非线性特性,采用了基带数字预失真技术,其中功放系统的建模是其关键技术.由于功放系统是一个复杂的带记忆效应的非线性时变系统,为了能够实现实时校正,采用级联相关算法进行在线神经网络建模.首先选用残差相关性判别方法来确定神经网络功放模型的结构和初始参数,然后使用带遗忘因子的递推最小二乘法对神经网络模型参数进行在线自适应调整.对实测数据的验证表明,建立的神经网络模型完全能达到给定的性能指标要求.     

前馈技术在TD-SCDMA功率放大器中的应用

前馈技术是功率放大器线性化的主要 技术之一。针对TDSCDMA系统对功率放大器的线性要求较高的特点 ，介绍了前馈技术的基本原理和性能，并通过仿真证明基于功率最小 化的自适应前馈技术可以改善系统邻信道泄漏功率比(ACLR)指标，从 而适用于TDSCDMA系统的功率放大器线性化技术。     

电子线路基础实验中几个实验的改进

对一些电子线路实验作改进，经过改进的实验的数目，达到了教育部颁发的教学大纲要求的实验数目的63％，基本形成了本校电子线路实验课程的框架。