多孔薄膜介电常数的测试方法研究

为了降低超大规模集成电路中的信号传输延迟和串扰,多孔低k薄膜材料日益受到人们广泛关注。介绍了测试多孔低k薄膜材料介电常数的几种常用方法及其原理和优缺点,并详细分析了不同的测试方法对测试结果产生的影响。     

热处理对La2O3-MgO-Al2O3-SiO2-ZnO系微晶玻璃微波介电性能的影响

研究了不同的热处理制度对La2O3-MgO—Al2O3-SiO2-ZnO微晶玻璃系统微波介电性能的影响。应用X射线衍射（XRD）分析了它们的晶相组成,结果表明,ZnO质量分数为14％的样品在600℃保温不同时间,其介电常数温度系数（τε）在115．9×10^-6／℃～-81．8×10^-6／℃线性可调,相应的主晶相由MgSiO3变为ZnAl2O4,证明了晶相的组成及其相对质量分数是介电性能变化的根本原因。在600℃保温7h,850℃保温40h获得的样品的参数为：ετ=14．301;Q=1437;ετ=2．5×10^-6／℃。     

利用复合型介质透镜的毫米波成像研究

毫米波焦平面成像技术有广泛的应用前景.本文采用一种复合型介质透镜,将其用于主动式毫米波成像系统,测量了透镜材料的折射率,对金属板进行成像,得到了轮廓较为清晰的图像.     

介质覆盖层对微带天线带宽的展宽作用

覆盖层可以显著地提高天线的增益,并且覆盖层技术已经得到了广泛的应用.但是,覆盖层在提高天线增益的同时,也对天线的回波损耗产生影响,而关于这方面的研究较少.本文以均匀介质覆盖层和底馈微带天线为例,以数值仿真为手段,着重研究了覆盖层对天线回波损耗的影响.仿真结果显示,通过设计适当的结构参数,如覆盖层与微带天线的距离以及微带天线的馈电位置等等,覆盖层在大幅提高微带天线增益的同时,还可以改善其阻抗带宽.本文加工并测试了一款覆盖层天线,其增益为14.5dBi,|S_(11)|-10dB阻抗带宽为11.19%,进一步验证了上述结论的正确性.     

Abnormal dielectric characteristics of PMN-32%PT single crystal under dc bias

It has been reported that the single crystal of relaxor ferroelectrics (1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3 (PMN-xPT) with the compositions near the morphotropic phase boundary (MPB, 0.28相似文献   

关于金属介电常数的讨论

考虑金属中的电子位移极化,利用谐振束缚电子模型,导出了金属中相对介电常数的表达式,并讨论低频极限和高频极限两种重要的特殊情况,对关于金属介电常数的一些说法作出了解释,从而对金属介电常数有了更为全面的理解。     

介质阻挡放电的气体参量和电学参量

在10kHz频率级上，用李萨茹图形法测量了介质阻挡放电连续处理装置的放电功率；分析了低频介质阻挡放电的电压分布；研究了氩气以及氩气分别与氮气、氢气和氧气混合后的气体成分、气流量对放电效果的影响；系统测量分析了气体放电时的最大转变电压以及相应的极板充电电流、放电功率和功率密度随气隙厚度的变化。     

圆柱介质波导特征方程的求解

本文介绍介质波导特征方程的一种数值解法.给出了程序流图与数值结果,并讨论了由计算引出的若干结论.该方法可用于求解介质圆柱谐振器及阶跃光纤等结构的场问题.     

焰熔法生长LaAlO_3晶体的介电性质研究

报道 LaAlO_3晶体的焰熔法生长及其介电性质.所生长晶体的最大尺寸达Φ15×25mm~3.LaAlO_3晶体具有六方结构,晶胞参数为a=b=5.36■,c=13.11(?).晶体在室温下介电常数为24.2,介电损耗小于5×10~(-4)(10kHz).