全文获取类型
收费全文 | 3168篇 |
免费 | 43篇 |
国内免费 | 73篇 |
专业分类
系统科学 | 127篇 |
丛书文集 | 114篇 |
教育与普及 | 166篇 |
理论与方法论 | 26篇 |
现状及发展 | 13篇 |
综合类 | 2838篇 |
出版年
2024年 | 8篇 |
2023年 | 51篇 |
2022年 | 44篇 |
2021年 | 31篇 |
2020年 | 43篇 |
2019年 | 72篇 |
2018年 | 92篇 |
2017年 | 38篇 |
2016年 | 61篇 |
2015年 | 75篇 |
2014年 | 153篇 |
2013年 | 139篇 |
2012年 | 148篇 |
2011年 | 161篇 |
2010年 | 197篇 |
2009年 | 221篇 |
2008年 | 208篇 |
2007年 | 201篇 |
2006年 | 150篇 |
2005年 | 129篇 |
2004年 | 122篇 |
2003年 | 115篇 |
2002年 | 83篇 |
2001年 | 104篇 |
2000年 | 94篇 |
1999年 | 67篇 |
1998年 | 59篇 |
1997年 | 68篇 |
1996年 | 41篇 |
1995年 | 47篇 |
1994年 | 53篇 |
1993年 | 35篇 |
1992年 | 25篇 |
1991年 | 24篇 |
1990年 | 21篇 |
1989年 | 22篇 |
1988年 | 17篇 |
1987年 | 6篇 |
1986年 | 6篇 |
1985年 | 8篇 |
1984年 | 11篇 |
1983年 | 5篇 |
1982年 | 4篇 |
1981年 | 8篇 |
1980年 | 2篇 |
1979年 | 5篇 |
1963年 | 2篇 |
1959年 | 1篇 |
1957年 | 3篇 |
1956年 | 1篇 |
排序方式: 共有3284条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
用溶胶-凝胶法制备符合SrAl2O4:Eu^2 ,Dy^3 化学组成的溶胶,通过水热反应组装后还原的多孔硅主客体材料的荧光光谱发生显蓝移,并出现一个新的400~450nm的余辉发射峰,分析其原因主要是发光材料进入了多孔硅的纳米孔洞,二价铕离子周围的环境变化和发光材料受到了量子尺寸效应产生的。 相似文献
42.
基于数学形态学的图像处理方法 总被引:7,自引:0,他引:7
从图像的描述方法出发,在二值形态变换的基础上,通过引入图像的阀集合和本影,导出了多值形态学基本形态变换建立的方法.并揭示了二值形态学与多值形态学在结构算法上的相互联系.在图像处理的形态学方法上,提出了基于形态变换的图像边缘提取、多种形态梯度、形态骨架表示方法,以及具有去噪和形态平滑功能的开、闭形态变换在图像分析中的应用. 相似文献
43.
为提高差分密码分析的速度,提出了一种同时采用两个圈特征的差分分析方法,并以简化的8圈DES为例,分别从小存储空间和大存储空间两种情况描述了该方法的具体实施过程,包括两种圈特征的选取以及该方法的性能分析.所提出的方法同样也适用于对其他密码算法的差分分析. 相似文献
44.
45.
利用计算机仿真技术对双螺杆进行动态模拟仿真研究,讨论了双螺杆在啮合运动过程中的关键技术及本动态模拟软件实现过程中的几个重要问题。 相似文献
46.
草莓小孢子细胞学发育时期与花器外部形态,大小密切相关。本研究通过调查观察,了解了草莓小孢子细胞学发育时期的特点,以及相应的花蕾外部形态,大小,花花的颜色的相关性和花序中不同序位花蕾发育时期的差异。 相似文献
47.
提出了基于神经网络实现用于BISDN的快速分组交换的输入访问方案。引入输入访问控制是为了提高交换机的吞吐率。由于它属于组合优化问题,可采用连续型Hopfield神经网络实现。给出了能量函数、网络参数、连接矩阵及计算机模拟结果。 相似文献
48.
损耗对双折射光纤中孤子相互作用的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用变分原理了有损耗的情况下双折射光纤中孤子间的相互作用,发现损耗减弱了孤子间的相互作用,但同时使光纤中继间隔缩短,这就为实际应用中如何控制孤子间的相互作用了一定理论依据。 相似文献
49.
利用变分原理研究了双芯耦合光纤中具有线性啁啾的光学孤子之间的相互作用,得到了啁啾的演化表达式,发现啁啾增大了孤子之间的相互作用势,并且提出了减弱孤子相互作用的新方案。 相似文献
50.
用热激发电流法研究金刚石薄膜中的陷阱 总被引:1,自引:0,他引:1
对微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)的硅衬底金刚石薄膜,做了在液氮温区注入载流子,升温测其电流-温度关系的实验,观察到as-grown样品有明显的热激发电流峰,重复实验时,峰基本消失,经氢等离子体在 ̄900℃处理2.5h后,再重复实验,该峰又出现,推断热激发电流峰是由硅衬底金刚石薄膜内氢致陷阱中的载流子撤空引起的,这些能级在金刚石禁带中的陷阱是可以通过热处理消除的。 相似文献