Single-molecule coordinative bonding forces in a transition metal complex

Coordination interaction is itself a very broad ar- ea in chemistry, because more than half of the ele- ments in the periodic table are transition metals. E- lectron transfer and ligand substitution reactions re present the two major classes of reactivity of transi- tion metal complexes for their crucial applications in catalysis, molecular electronics,     

稿约

1《河北理工大学学报》（自然科学版）是国内外公开发行的刊物,主要栏目有：矿业工程;冶金工业;机械、仪表工业;自动化技术、计算机技术;化学工业;数理科学和化学;天文学、地球科学;无线电电子学、电信技术;能源与动力工程;电工技术;建筑科学;交通运输;环境科学、安全科学;金属学与金属工艺等。     

高度择优取向单晶氧化锌纳米线的制备与发光特性

采用电场辅助电化学沉积法,在室温下成功的在阳极氧化铝模板（AAO）内制备了高度择优取向的硫掺杂ZnO单晶纳米线。用X射线衍射仪（XRD）、隧道电子显微镜（TEM）及选区电子衍射（SAED）对样品的形貌、结构进行分析表明,所得样品是高择优取向的单晶,纳米线,长约几到几十微米,平均直径约70nm。X射线光电子能谱（XPS）进一步证实掺杂硫原子的存在,并分析其生长机制。用荧光光谱仪（PL）分析了样品的发光特性,发现除了典型的ZnO纳米线荧光光谱外,还有紫光和蓝光发光。     

稀磁半导体/半导体量子线中的散粒噪声

采用散射矩阵方法研究在电场、磁场作用下稀磁半导体/半导体量子线结构中自旋依赖的散粒噪声性质,揭示其中自旋噪声同外磁场、偏压、温度和体系的几何参数之间的依赖关系.研究发现,稀磁半导体/半导体量子线的噪声谱密度随外磁场的增加而显著减小.自旋向下电子的热噪声随温度变化近似线性增大,而自旋向上电子的热噪声随温度变化而呈现出振荡现象.自旋向下电子的散粒噪声谱,零温时随偏压变化而线性增加,而在低温时随偏压变化在小范围内呈现出振荡现象.     

新型低功耗QSBDI红外读出电路设计

提出了一种新型红外读出电路的像素结构--四像素共用BDI结构(Quad-Share Buffered Direct-Injection: QSBDI).在这种电路结构中,4个相邻的像素共用一个反馈放大器.在开关的控制下,像素可以实现积分然后读出(ITR)和积分同时读出(IWR)功能.在30 μm×30 μm的像素面积中,实现了略大于0.9 pF的电容和4.2 pC的电荷存储能力,平均功耗只有500 nW.在实现低功耗的同时,该结构使像素级的固定模式噪声(FPN)只来源于局部的失配,与整个像素阵列的失配无关,从而使得这种像素结构非常适用于大规模2-D 读出电路(Readout IC:ROIC).后续的版图设计以及后仿真也表明这种像素结构是一种非常实用的像素结构.基于该结构的128×128的测试芯片已经设计完成,将在0.5 μm工艺下进行流片测试.     

电子回旋脉塞中相位俘获的数值分析

通过对柱型腔回旋管中电子与电磁波互作用自洽非线性方程组的数值计算,模拟出电子的相轨迹图,分析了与相位俘获有关的饱和现象,指出这种现象主要与波场幅值和互作用长度有关,可通过调整这些参数提高互作用效率。     

功率变流器EMI建模和印刷电路板(PCB)布置的优化设计

提出了无源元件和印刷电路板(PCB)布线寄生参数提取的方法;继而从器件机理出发,提出了PIN二极管和功率MOSFET的EMI高频模型和新的模型参数的提取方法;在此基础上,提出了建立功率变流器精确传导EMI时域模型的方法和步骤;探索了功率变流器PCB板布置的优化设计,可用于指导电力电子产品开发初期的EMC设计。     

自积分型CMOS读出电路硅光二极管阵列的性能分析

给出了自积分型（SI）读出电路（ROIC）构成的光电二极管阵列的电路结构,对该电路的工作原理进行了分析,讨论了电路工作时的电荷转移过程、传输效率、噪声等特性。该读出电路结构简单,适合大规模焦平面阵列。针对电路的具体性能参数测试,还进行了理论分析、推导和计算,最后提供了样品的测试参数。