白宝石及红宝石晶体的电子结构

本文用DV—SCC—X_a方法计算了白宝石及红宝石的电子结构,包括能带结构、能隙值、总态密度和轨道态密度以及电荷密度等,所得结果与实验相符.白宝石晶体的禁带宽度的计算值为9.91ev与实验所得9.90±0.10ev一致.算得的总态密度和轨道态密度与x射线光电发射谱的结果也非常类似.从红宝石的计算结果与白宝石相比较得到了铬的含量对特征影响的规律.最后又对白宝石及红宝石的介电常数进行了计算,得到介电常数与入射光子能量的关系,     

粒子束辐照在AlGaAs/GaAs量子阱材料中引入的深能级缺陷

作者对AlGaAs/GaAs结构调制掺杂材料及多量子阱材料,分别使用电子束或质子束辐照.电子束辐照能量为0.4～1.8MeV,辐照注量为1×1013cm-2～1×1016cm-2,质子束辐照能量为20～130keV,辐照注量为1×1011cm-2～1×1014cm-2.辐照前后的样品均经过深能级瞬态谱(DLTS)的测试.测试结果表明,电子束辐照引入了新缺陷,其能级位置为E3=Ec-0.65eV,而质子辐照引入的深缺陷能级为E1=Ec-0.22eV,电子和质子束辐照同时对与掺Si有关的原生缺陷Dx中心E2=Ec-0.40eV也有影响,即浓度发生改变,峰形亦不对称,说明其中包含有其他邻近缺陷的贡献.DLTS测试给出了这些深中心的浓度及俘获截面等参数.     

关于多束质子辐照晶闸管的退火研究

作者研究了多束质子辐照对晶闸管开关特性和通态电压的影响 ,分析了退火机理 ,找出了最佳退火流程 ,获得了优良的通态电压与关断时间 (VTM～Tq)的折衷关系 .     

GaAsX射线探测器及其电子辐照改性的研究

研制出了 1种双微带结构的GaAsX射线探测器 ,该种探测器具有良好的探测性能 .通过对本征GaAs探测器和经过 1 6MeV电子辐照的探测器的X脉冲响应的测量 ,及对其响应时间、后沿下降时间和半高宽 (FWHM)的对比研究结果显示 ,经电子辐照后的探测器的性能得到了明显的改善 .