排序方式： 共有35条查询结果，搜索用时 0 毫秒
31.
基于Mishin势函数,用分子动力学方法模拟了金属铜的固液两相共存系统.在熔化过程中固液界面逐层推进,由collision-limited理论确定到零压下（001）表面熔点为1392.9±9.2 K,动力学系数为82.3 cm·s-1·K-1. 相似文献
32.
采用高温固相反应法,ＬｉＦ／ＭｇＦ２／ＡｌＦ３＝１２０／１１０／１００,烧结温度为１００８Ｋ,烧结时间为４ｈ,在流动的高纯Ａｒ中合成了ＬｉＭｇＡｌＦ６：Ｔｍ３＋。对其结构和发光特性进行了研究。 相似文献
33.
以工业钛液为钛源,通过插层、包覆引入到可膨胀石墨上,经高温膨胀制备得到高膨胀体积二氧化钛/膨胀石墨复合材料. 分别用扫描电镜、红外光谱仪、X射线衍射仪和电子能谱对复合材料进行表征. 结果发现：工业钛液直接沉淀制备的复合材料中二氧化钛能较好固着于膨胀石墨表面,随钛液加入量增加,二氧化钛/膨胀石墨复合材料的含钛增加但膨胀体积减小. 复合材料中二氧化钛为锐钛型与金红石型的混和型态. 红外光谱分析表明复合材料保持了类拟膨胀石墨的性能. 复合材料的脱色效率优于纯膨胀石墨. 相似文献
34.
CdGeAs2多晶合成研究 总被引：1，自引：1，他引：0
以高纯(6N)Cd、Ge和As单质为原料,按CdGeAs_2的化学计量比配料,采用机械振荡和温度振荡相结合新方法合成出CdGeAs_2多晶锭,经X射线粉末衍射分析表明合成产物为高纯单相的CdGeAs_2多晶.用20℃/min的升温和降温速率对合成的CdGeAs_2多晶进行了DTA分析,结果显示CdGeAs_2多晶的熔化温度为669.24℃、结晶温度为615.55℃.根据DTA分析结果设计CdGeAs_2晶体生长温场,采用改进的Bridgman法生长出外观完整、尺寸为φ15 mm×45 mm的CdGeAs_2晶体,并对其进行解理实验,获得了完整、光滑的解理面,经XRD分析结果显示,连扫谱呈现(101)面的四级衍射峰,(101)面回摆谱峰尖锐、对称性好. 相似文献
35.
CdSe纳米材料化学制备方法的研究 总被引：1，自引：0，他引：1
作者通过对CdSe纳米材料化学制备方法的综合评述 ,对CdSe纳米线阵列的制备和性质进行了初步研究 . 相似文献