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丁鹏 《长春师范学院学报》2004,(2)
本文采用溶胶凝胶法在超细TiO2表面掺杂Sn,制备了Sn掺杂TiO2的复合光催化剂。结果表明,Sn掺杂TiO2的光催化活性与纯TiO2相比有明显提高。同一种方法中,Sn最佳掺杂量是10%,在实验数据的基础上,可看出溶胶凝胶法是较优的合成方法。 相似文献
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Sol-Gel方法制备BST粉体的化学机理和晶化过程研究 总被引:7,自引:0,他引:7
以钛酸丁酯、醋酸钡、醋酸锶为原料,乙二醇甲醚为溶剂,采用溶胶凝胶法按Ba:Sr=0.65:0.35的组分要求制备了(BaxSr1-x,)TiO3粉体.应用FT-IR、X射线、DTA/TGA等分析手段,研究了Sol—Gel方法制备BST粉体过程中的物理化学过程及其晶化行为.实验结果表明:在BST凝胶中,COO-部分进入了凝胶的空间网络结构,起到一种中间连接体的作用;粉体在750℃时,完全晶化. 相似文献
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TiO2-SnO2复合粉体光催化降解亚甲基蓝 总被引:1,自引:0,他引:1
以钛酸四丁酯和SnCl(4.5)H2O为先驱物,乙醇为溶剂,经过溶胶-凝胶法和热处理制备出TiO2-SnO2复合纳米粉体.探讨了掺杂锡量、热处理温度对TiO2-SnO2复合纳米粉体光催化降解亚甲基蓝的影响,采用X射线衍射分析了热处理过程中样品的晶型转化.考察了水溶液pH值和粉体用量对光降解速率的影响,分析了TiO2-SnO2粉体对亚甲基蓝降解过程的表观动力学特点. 相似文献
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为使YIG磁性薄膜应用到Si集成电路中,利用Sol-Gel技术晶化温度低的特点,结合快速热处理(RTP)工艺在Si基上制备了Y2.97Bi0.03Fe5O12薄膜.讨论了Sol-Gel工艺薄膜制备条件的优化,使用原子力显微镜(AFM),X射线衍射仪(XRD)和交变梯度磁强计(AGM)研究了RTP工艺对薄膜样品表面形貌、晶相结构及静态磁性能的影响.结果显示:Sol-Gel技术有效降低了薄膜晶化温度,RTP热处理工艺对Y2.97Bi0.03Fe5O12薄膜结晶温度、晶相结构没有影响,对表面形貌影响较大,从而使薄膜静态磁性能略有降低,但通过低温退火可有效改善RTP工艺对薄膜磁性能的影响. 相似文献
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Li2O掺杂Li4SiO4导体材料的合成及离子导电性研究 总被引:1,自引:1,他引:0
采用溶胶-凝胶法,经Li2O掺杂,合成了Li4SiO4-xLi2O(x=0.00-0.50)离子导体材料,并用DTA-TG,XRD及交流阻抗等技术对样品进行了测试,结果发现,用溶胶-凝胶法可降低Li4SiO4的合成温度;随Li2O的掺入可增强基质材料的致质材料的致密性提高了其离子的导电性能,而以x=0.30为最佳。 相似文献
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目的研究掺杂对(Sr,Pb)TiO3半导性及微观组织的影响。方法在溶胶-凝胶法中,采用不同的掺杂浓度及不同的烧结温度来进行研究。结果改善了烧结温度,改进了PTC复合效应,提高了电学特性。结论通过掺杂可以改变(Sr,Pb)TiO3的半导性。 相似文献
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以丁醇钛(Ti(OC_4H_8)_4]和无水醋酸铅(PbC_2H_3O_2)为原料制得干凝胶,在550℃焙烧即生成单一的晶相钛酸铅,常温下将焙烧后的产物研磨、压片、在1200℃煅烧成陶瓷片,其体积密度为7.90g/cm~3,晶体粒子尺寸约为5μ,所得陶瓷片中Pb/Ti原子比,与原料配料组成相差甚少。 相似文献
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探讨了文题的方法,研究了反应物与催化剂浓度对凝胶化速度、颗粒大小及分布的影响。结果表明,烷氧基钛在醋酸催化作用下水解和缩聚可制备均匀透明的块状凝胶,经干燥、焙烧得到金红石型的TiO_2超细颗粒。颗粒平均粒度随水含量增加而下降;随水解底物浓度的增加而下降,然后略有上升;随醋酸浓度增加而降低。醋酸根离子浓度不仅作为催化剂,而且作力能形成Ti(OC_4H_9)_x(Ac)_y络合物的配位体而起作用,改善了颗粒粒度的均匀性。凝胶透明度与颗粒的粒度及其分布有关,而与凝胶化时间无关。本法制备的TiO_2颗粒粒度细(20~200nm)、单分散性好且纯度高。 相似文献
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为改善TiO2的光电性质,笔者采用溶胶-凝胶法制备了TeO2/TiO2纳米复合物.分别用SEM、XRD、EDX、IR、UV-Vis等对产物进行了一系列表征,结果表明,复合物TeO2/TiO2为粒径20 nm左右的均匀球形锐钛矿相纳米粒子. 相似文献
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采用溶胶-凝胶法制备CoxFe3-xO4钴铁氧体,在不同的退火温度下(1100℃~1300℃)得到了一系列的样品,利用X射线衍射仪(XRD)、振动样品磁强计(VSM)对粉末样品的结构和磁性进行了分析.实验结果表明,当钴含量高(x>0.7)时,样品形成单一的具有尖晶石结构的钴铁氧体,当钴含量较低时,样品生成尖晶石结构的钴铁氧体和α-Fe2O3的复合相. 相似文献