均匀沉淀法制备纳米氧化镍

文中采用Ni(NO3 ) 2 ·6H2 O为主要原料 ,CO(NH2 ) 2 为沉淀剂制备了球片状纳米NiO粒子 ,并研究了反应物料配比、反应温度以及煅烧温度等条件对产品粒径和产率的影响。采用热重 差热 (TG DTA)、透射电子显微镜(TEM)、电子衍射 (ED)、X射线衍射 (XRD)等分析手段对产物性能进行了表征。结果表明中间产物从 32 0℃开始分解 ;粒子形貌基本呈球状 ,平均粒径 1 5nm左右 ,分散性良好 ;制得的纳米NiO粒子结晶性完好 ,属纯度较高的立方晶系结构 ,晶型完整     

溶胶—凝胶法研制NiO薄膜

用溶胶－凝胶法合成了结构均匀而无裂纹的ＮｉＯ薄膜．借助Ｘ射线衍射仪和光学显微镜等手段，对ＮｉＯ薄的晶体结构和形貌进行了分析；利用光干涉仪测定了薄膜的厚度．讨论了浸沉涂布时垂直引上速度对薄膜厚度和成膜性的影响．为了制备结构均匀而无裂纹的ＮｉＯ薄膜，引上速度不应超过１２ｃｍ／ｍｉｎ．     

氧化镍一氧化锌复合薄膜光波导气体传感器的制备及气敏性能研究

本文通过溶胶-凝胶法,研制了氧化镍一氧化锌复合薄膜／Sn掺杂玻璃光波导（OpticalWaveguide,owe）气体传感器,并调节敏感层（yio—ZnO薄膜1中NiO的最佳含量对挥发性有机物气体进行检测。所研制的（5％）NiO—ZnO复合薄膜／sn掺杂玻璃光波导气体传感器对体积比浓度为1×10—7（v／vo）的二甲苯气体具有一定的选择性响应。该传感器具有灵敏度高、容易制备和重复使用等特点。     

氧化镓异质集成和异质结功率晶体管研究进展

超宽禁带氧化镓(Ga₂O₃)半导体具有临界击穿场强高和可实现大尺寸单晶衬底等优势,在功率电子和微波射频器件方面具有重要的研究价值和广阔的应用前景.尽管Ga₂O₃材料与器件研究已取得很大进展,但其极低的热导系数和缺少有效的p型掺杂方法成为限制其复杂器件结构制备和器件性能提升的主要瓶颈.针对上述两大关键瓶颈,本文综述了利用异质材料集成的方法实现高导热衬底Ga₂O₃异质集成晶体管与基于p型氧化镍/n型氧化镓(pNiO/n-Ga₂O₃)异质结的Ga₂O₃功率二极管和超结晶体管的研究进展.采用离子刀智能剥离-键合技术实现的高导热衬底Ga₂O₃异质集成方案可有效解决其导热问题,碳化硅(Si C)和硅(Si)基Ga₂O₃异质集成晶体管展现出远优于Ga₂O₃     

聚丙烯纤维膜为基底的聚吡咯合成及其电容性能研究

通过对吡咯蒸汽的化学氧化,在聚丙烯纤维表面原位生成了聚吡咯及其与氧化镍的复合物.用XRD、SEM对样品进行了结构表征,用四探针法测试了样品的电导率.用循环伏安、恒电流充放电和交流阻抗法研究了复合材料的电化学电容性能.结果表明:复合膜的形貌、电导率和其用作电容的性能受到反应条件、聚吡咯度其复合物含量的影响;掺入氧化物有利于改善电容器的充放电性能.     

沉积时间对锌掺杂氧化镍电致变色薄膜电化学性能的影响

本文利用有机体系电化学沉积法,以FTO导电玻璃为基底,从N,N-二甲基甲酰胺(DMF)溶液中制备出了锌掺杂氧化镍电致变色薄膜。在制备薄膜过程中,沉积时间是一个重要的工艺参数。本文用能谱对薄膜的组成进行了表征,并用电化学工作站考察了不同沉积时间所制备薄膜的电化学性能。通过对不同沉积时间薄膜电化学性能的比较,结果表明,镀膜时间为15 min的薄膜具有电化学较好的性能。     

CO在NiO（100）表面吸附的DV—Xα研究

采用ＳＣＣ－ＤＶ－Ｘα嵌入簇模型方法，研究了ＣＯ／ＮｉＯ（１００）吸附体系。比较表面电场作用与轨道作用对ＣＯ性质的影响，并考虑到ＢＳＳＥ校正，对ＣＯ在ＮｉＯ（１００）面上的吸附行为有了较深入的认识。计算结果表明，ＣＯ以Ｃ端垂直吸附阳离子吸附位；Ｏ与表面的作用主要为静电作用，表面电场作用是使得吸附态ＣＯ的ＩＲ峰蓝移的原因。     

氨水沉淀法制备纳米NiO中溶液的反应与竞争平衡

以NiCl2 ·6H2 O为原料 ,水为沉淀剂 ,在常温下 ,用水作溶剂 ,通过单相沉淀法制备出纳米NiO。该法简化了操作程序、降低了加工成本 ,且原料易得价廉 ,便于实现工业化生产。该法的关键是如何控制好溶液中的化学反应及其竞争平衡 ,本文从原理到应用作了详细的阐述。     

电致变色氧化镍薄膜的制备与性能

电致变色氧化镍薄膜的制备与性能张旭苹，陈国平（东南大学薄膜研究所，南京２１００１８）电致变色是指材料的光学性能（光的透射、反射和吸收）通过外加电场或电流的作用在包括可见光波长的某一波长范围内发生可逆变化的现象，氧化镍薄膜是目前发现的性能最好的电致变色...     

氧化镍在γ－Al_2O_3和TiO_2－Al_2O_3上的分散状态研究

采用浸渍法制备了系列ＮｉＯ／γ－Ａｌ２Ｏ３，ＮｉＯ／ＴｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３催化剂样品，用ＸＲＤ，ＥＸＡＦＳ等方法对这些样品进行了分析．ＸＲＤ相定量方法测得ＮｉＯ在γ－Ａｌ２Ｏ３载体上的最大分散量为０．０６５ｇＮｉＯ／１００ｍ２Ａｌ２Ｏ３，而ＮｉＯ在ＴｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３载体上的最大分散量为０．０８１ｇＮｉＯ／１００ｍ２ＴｉＯ２Ａｌ２Ｏ３。ＥＸＡＦＳ分析结果表明：ＴｉＯ２的引入改变了ＮｉＯ在载体表面上的分散状态．