^31P（n,p）^31Si反应截面实验测量数据的分析和评价

本文较全面地收集了~(31)P(n,p)~(31)Si反应的实验测量数据,作了认真细致地分析.评价用三次B样条函数进行了拟合处理.对缺实验数据的能区,用理论计算数据作了补充.最后给出了从阈能(0.71Mev)到20Mev的反应截面推荐值.     

GaN大失配异质外延技术

1　引言以ＧａＮ及ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ合金材料为代表的Ⅲ族氮化物材料是近几年来国际上倍受重视的新型半导体材料。其 1 .9- 6.2ｅＶ连续可变的直接带隙 ,优异的物理、化学稳定性 ,高饱和电子漂移速度 ,高击穿场强和高热导率等优越性能使其成为短波长半导体光电子器件和高频、高压、高温微电子器件制备的优选材料。目前用于ＧａＮ外延生长的主要方法有 :金属有机化学汽相淀积 (ＭＯＣＶＤ) ,分子束外延 (ＭＢＥ)和氢化物汽相外延 (ＨＶＰＥ)等。其中ＭＯＣＶＤ是使用最广泛和实用的外延生长方法 ,具有很强的工业应用背景。ＨＶＰＥ技术…     

1.25Gbit/s光接收机CMOS共栅前置放大器

设计并实现了用于光纤用户网和千兆以太网光接收机的CMOS前置放大器．电路采用共栅结构取代常用的共源结构,大大降低了输入电阻,使得光检测器的寄生电容只影响非主极点,从而获得宽带．提出了一种优于电阻反馈的有源反馈,可获得比普通共栅结构更宽的带宽．测试结果表明,在输入805μA的光电流时,电路的单端输出电压摆幅大于64mV(峰-峰值),均方根抖动在36ps以下,可稳定工作在1．25Gbit／s的速率上．     

界面陷阱对硅纳米晶粒基MOS电容的电荷存储特性的影响

利用电容－电压（C－V）测量研究了界面陷阱对于硅纳米晶粒基金属－氧化物－半导体（MOS）电容结构的电荷存储特性的影响,研究表明硅纳米晶粒的界面陷阱与SiO2/Si衬底界面态对电荷存储有着不同的影响作用,长时间存储模式下的电荷存储行为主要是由存储电荷从深能级陷阱直接隧穿到SiO2/Si衬底界面态决定。     

基于matlab的非线性方程组求解的方法

文章结合遗传算法中的种群和适应度概念,基于matlab的非线性求解器,提出了一种快速有效的算法,用于解决非线性模型数值求解中根据已知条件无法直观判断解集或者给出合理迭代初值的问题,并用算例进行了验证。     

布地奈德气雾剂治疗支气管哮喘的疗效评价

目的：评价吸入性皮质激素——布地奈德气雾剂对支气管哮喘的疗效。方法：采用随机双盲、空白对照法,对８２例哮喘患者进行为期４周吸入布地奈德气雾剂４００μｇ,每日２次的治疗观察。结果：治疗组控制咳嗽、喘息、喘鸣音的有效率分别为８０．８％,８２．１％和７８．１％,肺功能于治疗２周后即有显著变化。治疗组症状缓解,肺功能改善,其它平喘药用量的减少均明显优于对照组。结论：布地奈德气雾剂是安全而有效的支气管哮喘治疗药物。     

高围压高水压条件下岩石卸荷强度特性试验研究

为了探讨高围压、高水压对岩石卸荷强度特性的影响,取锦屏二级水电站引水隧洞岩石(大理岩、砂岩及板岩)分别进行高围压、无水压峰前卸荷,高围压、无水压峰后卸荷及高围压、高水压峰前卸荷3种工况下的三轴压缩对比试验.试验结果表明,高围压、无水压工况下,岩石达到峰值强度后,与峰前卸荷相比,已经有很多的细小裂纹,其损伤程度远远大于峰值前岩石的损伤程度.高围压、无水压峰后卸荷时的黏聚力c、内摩擦角(p)与峰前卸荷的黏聚力c、内摩擦角(9)相比,有很大程度的降低.而高水压力的存在相当于降低了初始围压,也就是降低了岩石裂隙面及破坏面上的有效正应力,加速了岩石的破裂,从而降低了岩石的强度,因此高围压、高水压峰前卸荷的黏聚力c、内摩擦角(9)与高围压、无水压峰前卸荷相比,有很大程度的降低,且黏聚力c比内摩擦角(9)更加敏感.