Ni(~n)o-Mora和Glazebrook条件及一类排队网络的稳定性

多级排队网络的稳定性特别是全稳定性一直是随机网络研究的一个热点.Ni(~n)oMora和Glagebrook就多级排队网络的全稳定性给出了一个充分条件,即当每个工作站的峰值流量密度p＜1时,该排队网络是全稳定的.通过对该条件的应用得出了此条件成立的必要条件,即当σ(k)≠σ(k+1)时有mk＞mk+1.对一类具有两个工作站的重入排队网络证明了若σ(k)≠σ(k+1)时有mk≥mk+1,该排队网络是全稳定的.     

不饱和烃同系物凝聚型物理性质递变规律的数学描述

以H-(CH2)n-CH=CH2和H-(CH2)n-C≡CH型同系物结构重复单元数值连续变化为模型,获得了描述该同系物凝聚型物理性质递变规律的数学表达式:P=(a0+a1n+a2n2)/(1+b2n2),式中a0、a1、a2、b2均为常数,n为结构重复单元数值,P为同系物的凝聚型物理性质。通过非线性回归分析,得到回归方程,结果表明同系物的凝聚型物理性质与重复结构单元数值之间满足上述关系式,并显示优良的相关性。     

增强未成年人思想道德建设的实效牲

众所周知，学校是对未成年人进行思想道德教育的主课堂、主阵地、主渠道，在加强和改进未成年人思想道德建设方面起着至关重要的作用。如何增强工作的实效性，值得我们每一个教育工作者研究和探索。     

LaMnO3不同晶位掺杂的磁电阻效应

基于研究钙钛矿型氧化物磁电阻效应的目的,采用固相反应法制备了实验所需的单相多晶样品,主要就La位二价金属离子掺杂和稀土互掺及Mn位掺杂对LaMnO3磁电阻影响的实验结果作比较研究,发现La位稀土互掺对磁电阻的影响可以用晶格效应来解释,并明确指出La位和Mn位掺杂是提高和调制钙钛矿型锰氧化物超大磁电阻效应的一种有效途径.     

硅栅CMOS集成电路测试图形的研究

本文介绍了用于硅栅CMOSIC园片级工艺诊断和可靠性监控的微电子测试图形。重点论述了(1)用于检测漏、源及多晶硅薄层电阻和因扩散及腐蚀引起的横向变化量的组合结构,(2)用于监测CMOSIC动态参数的结构设计及其对工艺的评价。     

Micro VAXⅡ超级微型机上一种简便的图形输出

介绍了用IBM PC机作为超级微型机Micro VAXⅡ的图形输入/输出控制设备,借助于IBM PC机上AutoCAD高级绘图软件,在Micro VAXⅡ不扩展高级语言绘图功能的情况下输出图形的方法。     

创新理论在高校人事工作中的建立和运用

高校要在未来的科技、人才、就业市场经受考验,首先要解决的是高校人事人才创新问题.本文从思想观念创新、分配激励制度创新、用人管理机制创新三个方面,对创新理论在高校人事人才工作的建立和运用进行了初步探讨.     

加强管理体制改革与创新努力使实验教学和管理上一个新台阶

结合化学系实验室现状 ,探讨了实验教学在实现两个重要转变的过程中 ,进行实验室体制改革等方面的思路和实践 .     

图像相关方法中采用多种子区进行位移测量

在图像相关位移测量方法中一般采用正方型子区搜索中心点的位移.当测量靠近裂纹或缺陷部位的位移时中心型子区失去效果,为了解决这一问题提出了非中心型子区的方法.证明了方法的有效性.认为在相关搜索时测量点既可选定在子区的中心位置,也可选定在非中心位置.进而提出了将测量点确定在子区角点的多种子区的方法.除通常的中心型子区外,至少还有4种子区可以采用,分别是右下角型、左下角型、右上角型和左上角型,这4种子区不但适用于表面裂纹或缺陷部位的位移测量,而且增加了图像有效信息的提取面积.     

硒铟镓银多晶材料的合成研究

根据Ag2Se-Ga2Se3赝二元相图,对AgGa1-xInxSe2按同成分点配料,通过机械和温度振荡的方法合成出AgGa1-xInxSe2多晶材料.并对合成的多晶材料进行了XRD测试,与直接法合成的AgGa1-xInxSe多晶材料进行对比.结果表明,改进工艺后合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料的图谱与标准PDF卡片相符,表明其是高纯单相的AgGa1-xInxSe2多晶材料.用新方法合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料进行单晶生长,获得了完整的AgGa1-xInxSe2单晶体.实验结果表明,机械和温度振荡法是合成高质量AgGa1-xInxSe2多晶材料的一种有效方法.