首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   41篇
  免费   0篇
  国内免费   1篇
系统科学   1篇
教育与普及   2篇
现状及发展   1篇
综合类   38篇
  2022年   1篇
  2020年   1篇
  2019年   1篇
  2015年   1篇
  2014年   3篇
  2013年   2篇
  2012年   1篇
  2011年   3篇
  2010年   2篇
  2009年   1篇
  2008年   4篇
  2006年   1篇
  2004年   1篇
  2002年   1篇
  2001年   5篇
  1998年   2篇
  1997年   3篇
  1995年   1篇
  1994年   1篇
  1992年   3篇
  1988年   1篇
  1987年   1篇
  1986年   1篇
  1981年   1篇
排序方式: 共有42条查询结果,搜索用时 500 毫秒
21.
给出一种新型的工业用内窥镜摄影系统,该系统由内窥镜、光学关节(四节刚性转像透镜导管)、摄影联接管和摄影机四部分组成。它可将图像传到高速摄影机拍摄和记录各种动态过程,也可用CCD摄像机接收信息送计算机处理,以进行工业检测。给出了内窥镜摄影系统的基本原理、设计要点和实验结果。  相似文献   
22.
讨论了激光共焦扫描显微镜的三维超分辨率成像特性,通过实验论证了在理论分析上所具有的三维超分辨率成像特性.理论分析和实验结果表明这种新的显微系统可以成高分辨率的二维层析图像并重构成三维图像.  相似文献   
23.
针对金属氢化物热压缩机(MHTC)在实际应用过程中存在的吸放氢非对称性限制,开展了MHTC传热传质对称性的研究和优化。根据局部热平衡模型,以2D圆环剖面为计算区域,对MHTC多管束反应器实施了模拟,并对模拟过程中的参数及结构进行了优化。优化结果表明:以4层管的多管束反应器为基准,改变吸放氢反应条件能改善反应过程的不对称性特征,即吸、放氢压力分别为2、0.05MPa,温度为293、393K,传热系数为1 000 W/(m2·K)时,吸氢反应分率由0.1上升到0.9;放氢反应分率由0.9降至0.1时,所用时间分别为350和360s,温度变化幅度分别为40和43K,显示出明显的对称性。在反应前20s内,放氢过程中平衡压力的变化剧烈,占平衡压力总变化量的50%以上,为反应过程中的高效反应阶段。  相似文献   
24.
提出以平面投影形态结合等高特征线评价织物悬垂形态美观性。在修正形态要素指标基础上借助主成分分析法确定了评价悬垂形态美观性的计算公式。  相似文献   
25.
正2013年5月25~26日,在复旦大学哲学学院成功举行了由该学院主办及《复旦学报》协办的全球化视野下的中国儒学研究国际学术研讨会。中国、美国、日本、韩国、越南等海内外儒学研究专家25人在会上宣读了学术论文。  相似文献   
26.
高斯光波和平面光波聚焦特性的评价   总被引:1,自引:0,他引:1  
从衍射理论出发研究了平面光波和高斯光波通过光学系统孔径的聚焦特征,对其轴上点强度分布和焦面强度分布进行了定量比较,最后,用斯特列尔比对像差光学系统的聚焦特性进行了评价。  相似文献   
27.
28.
研究了细分步进电机的峰值转矩-相电流关系;指出传统的线性数学模型只有在磁路的近饱和状态才具有相对近似的意义;提出在欠磁饱和情况下应用抛物线来对其进行描述的理论;给出了相应的计算机模拟运行结果,并用反插值算法求得与非线性i-θ关系相补偿的电流波形,从而在欠磁饱和情况下获得了高角度均匀性的步进电机运行特性  相似文献   
29.
提出了一套新颖扫描成像系统方案,它综合了共焦扫描方式与光外差探测方法的优点.该系统具有μm级的纵向层析分辨率能力,且能大大改善对低反射试样或较厚试样的深层扫描成像的图像质量.对其成像机理、光学特性进行了分析.  相似文献   
30.
Cl2/Ar/BCl3感应耦合等离子体GaN/Al0.28Ga0.72N的非选择性刻蚀   总被引:3,自引:0,他引:3  
利用Cl2/Ar/BCl3感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对GaN与Al0.28Ga0.72N材料之间的非选择性刻蚀和刻蚀以后GaN/Al0.28Ga0.72N异质结的表面物理特性进行了研究. 实验表明, 优化等离子体中BCl3的含量(20%~60%), 提高ICP功率和直流偏压, 降低反应室压强有利于获得非选择性刻蚀. 而GaN/Al0.28Ga0.72N异质结刻蚀后的表面形貌与等离子体中的化学组分、反应室压强有密切的关系. 在Cl2/Ar(4︰1)中加入20% BCl3可以在较高的刻蚀速率条件下获得GaN和Al0.28Ga0.72N之间的非选择性刻蚀, 并将GaN/Al0.28Ga0.72N异质结刻蚀后的表面均方根粗糙度由10.622 nm降低至0.495 nm, 优于未刻蚀的GaN/Al0.28Ga0.72N异质结的表面. AES分析表明, 在刻蚀过程中从AlGaN的表面有效除去氧对获得非选择性刻蚀和光滑的刻蚀表面是至关重要的.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号