基于印刷碳纳米管薄膜阴极的场发射显示器发光稳定性的提高

针对印刷CNT薄膜中CNT与衬底的不良接触对发光稳定性的影响, 提出了一种可改善器件发光稳定性的阴极共烧结制造工艺. 通过对银浆印刷层和CNT印刷层采用的共烧结处理, 在CNT和银导电衬底接触部位可形成几何匹配或产生CNT镶嵌于银层的结构, 在薄膜顶部则形成CNT团聚物与银块互相嵌套的结构. 这些结构使CNT与银导电层的接触面积增加, 形成欧姆接触的可能性大大提高, 从而使采用共烧结阴极制造的器件在高亮度下的发光稳定性及寿命较采用普通阴极的器件提高5.6倍.     

多孔硅及其应用研究

２０世纪９０年代初期人们发现的多孔硅的光致发光现象对硅被认为不可能制作可见光区光电器件的传统概念产生了巨大冲击。国际上掀起了一股多孔硅热国内也已经起步。结合作者在多孔硅方面的部分工作对多孔硅的形成机理,微观结构,发光机制和应用前景作了较详细的介绍。     

真空度对碳纳米管场发射显示器的影响研究

建立了碳纳米管场发射环境下电子与气体碰撞的数理模型。通过实验观察和理论分析说明：碳纳米管场发射显示器在常规阴阳极间距下。在不同真空度下的显示均为电子轰击荧光粉发光所致，在低真空度下也无气体放电产生紫外光致荧光粉发光；当真空度太低时，气体电离会降低实际加在阴阳极间的电压，致使电子无法发射。通过电子与气体分子的碰撞频率计算可以说明，用气体压力与阴阳极间距的乘积作为标准衡量气体对场发射的影响比仅用真空度来衡量更为合理。场发射显示器阴阳极间距越大，对真空度的要求越高。     

LCD偏置电压的数字建模方法

在液晶显示屏驱动电路中,偏置电压具有多个取值,而其他信号均仅用"0"、"1"两个数字量表示,通常的液晶显示屏驱动电路建模需要采用verilog-A建模方法.根据COM和SEG建模后的数字量的状态去判断液晶显示屏是否处于显示状态,把COM和SEG的偏置电压分别用数字量"0"、"1"表示,从而实现LCD偏置电压的数字建模.这种方法简单有效,不仅可用于在不同偏置、不同种类波形液晶显示屏的偏置电压建模,而且也有利于带入到数字仿真后期的图形译码.     

基于极点分析方法的晶体振荡器电路设计及仿真

提出了一种利用Hspice软件进行极点数据分析去设定振荡器电路参数值的方法.利用极点与系统稳定性的关系,结合振荡器的工作过程,只要选取合适的电路参数将整个系统的极点设置在一个恰当的位置,振荡器在最终瞬态仿真中的参数就比较理想.这种分析设计方法的好处是避免了反复进行电路的瞬态仿真,大大节省了电路设计的时间.利用极点分析的方法,也可以进行其他复杂电路的稳定性分析.     

一种摆率可控的PD发射机模拟前端电路的设计

文章针对通用串行总线(universal serial bus, USB)电源传输协议(power delivery, PD)通信过程中的电磁干扰(electromagnetic interference, EMI)以及传统电路中电容不同带来的工艺偏差的影响，从电路层面对PD发射机模拟前端进行优化设计，提出一种摆率可控的PD发射机模拟前端电路。采用同一电流双路对称镜像进行单电容充放电结构，抑制了电容不同带来的工艺偏差的影响，并通过调节电流进行摆率控制，可有效抑制电磁干扰，输出级采用高增益两级运放组成的驱动器来提供强驱动能力。采用HHGRACE 0.35μm BCD工艺进行电路和版图设计，利用Spectre和Hspice软件进行仿真验证。仿真结果表明，设计指标满足USB PD协议标准的要求。     

一种具有自校准、自控制功能的I2C接口电路

文章提出一种在开漏模式下通过硬件自检测、自校准实现高性能I²C(inter-integrated circuit)接口的设计，并给出一种I²C接口自控制实现开漏功能的方法。在传统I²C接口电路的基础上，增加了自检测拉低时钟总线并进行自校准的功能，使得在开漏模式下，硬件能够自动检测到时钟总线在上拉过程中的低电平并进行自校准高电平，在改善通信稳定性的基础上实现了性能提升。考虑到不同的应用场合，增加了开漏使能控制电路，为提高IP的可移植性，I²C接口可自控制开漏功能，支持软件配置，灵活地应用于各种通用输入输出(general-purpose input/output, GPIO)模型中。成品开发板电路测试表明，在系统时钟为120 MHz时，该电路在开漏模式下高速通信中的位速率高达5.98 Mbit/s,在推挽模式下超快速通信中的位速率高达30.00 Mbit/s。