铁磁性双层薄膜中的自旋波

本文采用界面重标度方法严格求解了双层铁磁性薄膜中自旋波的本征值问题，结果表明：在一般情况下，自旋波分为扩展模，共振禁闭模，完全禁闭模和界面模四种类型。对各种模在体内和界面处的性质与特点，以及各层薄膜中自旋波的色散关系和能量范围作了详细讨论。     

磁性薄膜自旋波共振的量子力学研究

本文完全采用量子力学方法研究了体均匀铁磁性薄膜的自旋波共振激发，特别讨论了自旋波间的相互作用对共振谱的影响，在表面自旋完全钉扎的条件下，得到了三种共振激发谱。其中两种的共振谱大至呈现方律关系，但另一种谱吸收能量后从双波态向单波态跃迁，其强度迅速速衰减到最大强度的一半后保持不变，而共振峰的位置大致按照模数的平方增加。     

双二次耦合场对铁磁/反铁磁双层膜中交换偏置场的影响

研究了界面双线性耦合和双二次耦合对铁磁/反铁磁双层膜中交换偏置场的影响.结果表明:随着双线性耦合场或双二次耦合场的增加,交换偏置场的最大值位置向易轴靠近.另外,交换偏置场随外磁场角度的变化曲线随着双二次耦合场的增加,逐渐趋于正弦图像.其根源在于双二次耦合场与铁磁层单轴各向异场二者作用相互抵消,使曲线趋于光滑.铁磁层的磁滞回线对双二次耦合场也有一定的依赖.     

磁性双层膜中自旋波的波形及其演化

研究了磁性双层膜中自旋波的低能激发，着重地讨论了横向自旋波对纵向自旋波的波形的影响，发现了由于自旋波共振；ｉ）在能带中也存在界面模（ＩＭ），ｉｉ）在较高能带与较低能带相交的区域，随着γ值的增加，存在ＰＣＡＭ－ＰＣＢＭ振荡现象。     

铁磁和反铁磁材料双层薄膜界面自旋波的存在条件

考虑外磁场的影响，重点研究了由铁磁和反铁磁材料耦合自旋链系统的界面自旋波本征值问题，获得了严格的完全解析的界面自旋波存在的充要条件及其能量范围。     

耦合半无限原子晶格链中晶格振动的界面态

本文采用界面重标度方法，精确求解了两个半无限单原子晶格链在耦合处晶格振动的界面态，首次获得了界面态存在条件的精确解析式．结果表明，在适当条件下只能存在一个界面态．     

层间反铁磁耦合双层薄膜的自旋波研究

重点研究了界面为反铁磁性耦合情况下，两层铁磁性薄膜中自旋波的本征模、色散关系及波形等问题，同时与界面为铁磁性耦合的结论作了比较，结果发现：界面耦合对膜中的体模影响不大，但是对于界面模有着重要的影响。     

两层对称铁磁薄膜中的自旋波本征模

在非周期性边界条件和在考虑表面各向异性场的情况下 ,应用界面重参数化方法精确求解了两层对称铁磁薄膜中的低能自旋波本征问题 .结果表明 :表面各向异性场对各种模的表面性质影响很大     

应力对铁磁/反铁磁双层体系交换偏置场的影响

研究在铁磁/反铁磁层体系中,当铁磁层中存在应力时对体系交换偏置场的影响.分别计算了改变应力大小和方向两种情况下,磁滞回线的变化以及偏置场随外磁场角度依赖关系的改变.结果表明:应力场沿着易轴方向时,偏置场随外磁场角度依赖关系表现为随着应力场的增大,偏置场的最大值变大,其最大值所对应的位置逐渐远离易轴.在外磁场与易轴成一定角度时,交换偏置场向左移动,并且阻碍沿磁场方向的磁化随着应力场的增加;当应力场旋转90°时,偏置场随外磁场角度依赖关系表现为随着应力场的增大,偏置场的最大值减小,其最大值所对应的位置逐渐靠近易轴.在外磁场与易轴成一定角度时,交换偏置场向右移动,并且促进沿磁场方向的磁化随着应力场的增加.