基于投影的CT图像金属伪影非线性权重校正

为抑制计算机层析造影(CT)系统重建图像中出现的金属伪影,提高图像的质量,采用一种基于金属投影非线性权重衰减的方法进行校正。对原始的投影直接重建,在得到的图像中利用阈值分离出金属区域,并重新对该金属区域进行投影,便得到原始的投影中金属投影的区间。只对该金属投影进行合适的非线性衰减。再用传统的滤波反投影方法重建图像。数值模拟表明,该方法不但能基本消除由射线硬化和射线剧烈衰减而引起的金属伪影,而且能保留金属信息,同时能增强金属区域不同部分之间的对比度,使得重建图像的质量得到很大的提高。该算法计算复杂度较小,实现简单,具有较高的实用价值。     

刮板流量计在高含水含砂原油计量中的应用

随着油田的开发，我国大多数油田已进入开发后期，原油高含水、含砂这一矛盾逐渐显现出来，如我们滨南采油厂的原油含水大多都在60％90％之间，过去使用的原油流量计由于计量介质的改变，使用中卡、堵、轴承磨损等故障现象急剧增加，已难以满足原油生产的正常计量，因此积极做好适合现场原油计量流量计的选型，是十分必要的。     

一种可动态更新的高可用中间件框架

针对动态更新缺乏对分布式应用支持的缺陷，提出了一套可动态更新的高可用中间件框架，用于分布式环境中高可用服务的开发．它包含了一套灵活的动态插件管理框架，可完成单进程的动态更新，同时提供了一套分布式协作服务管理框架，来完成多进程协同服务的同步动态更新．通过实现服务可用性论坛提出的高可用应用接口规范，验证了该框架具有单进程及多进程同步动态更新的能力．     

掺杂对高导MnZn铁氧体材料性能的影响

采用传统陶瓷工艺制备了高磁导率MnZn铁氧体材料.从分析材料微观结构入手,研究了SnO2和Nb2O5掺杂对高磁导率MnZn铁氧体材料性能的影响.Sn4 能进入尖晶石晶格内,由于电中性条件可使Fe3 转化为Fe2 并生成相对稳定的Sn4 -Fe2 对,从而有效补偿磁晶各向异性常数K1,且Sn4 可促进晶粒均匀生长,提高材料的起始磁导率及烧结密度,有效降低材料的比损耗因子.Nb2O5的添加起到细化晶粒的作用,可以改善材料的频率特性,降低材料损耗,磁导率稍有降低,但当Nb2O5的质量分数大于0.005%时会显著降低材料的起始磁导率.     

基于H∞最优控制理论的高超声速飞机纵向逆控制

针对高超声速飞机复杂的气动特性以及不确定的非线性模型,提出了基于H∞最优控制理论的逆控制方法。该方法将H∞最优控制的鲁棒性能与动态逆控制的非线性解耦控制能力有机结合,能够在复杂的飞行条件下,实现对高超声速飞机高度非线性解耦控制;同时还能抑制模型参数变化的扰动,从而确保了高超声速飞机的纵向稳定性,改善了其纵向模态的飞行品质。通过仿真实验验证了该控制方法的有效性。     

节能建筑的时代节拍:低能耗与高舒适度

创造高舒适度的生活和工作环境是人类建房的目的，低能耗则是节约自然资源、保护生态环境的必要条件，它不仅要考虑使其建造的室内环境运行的费用少，还要考虑材料自身的生产和销毁所需能耗和产生的污染小，这样才能真正做到可持续发展。对整个社会来讲，它会节省自然资源、提高环境质量；就个人或集体来讲，高舒适度低能耗建筑可以在提高生活和工作质量的同时，减少使用运行的费用。节约资金。     

城市热岛效应现状及监测方法

近年来城市规模的扩大和城市建筑物不断的增加引发了城市生态环境空间格局的变化,其中热岛效应的加强就是一个比较突出的环境改变的问题.热岛效应是城市中环境恶化的直接表现,同时也会产生种种不利的影响,因此备受重视.本文通过对城市热岛成因、危害及其现有的监测方法的阐述,指出利用高光谱和偏振光对城市热岛效应监测方法的发展趋势.     

Rapid dendrite growth in quaternary Ni-based alloys

Dendritic growth is one of the most common micro-structural formation mechanisms during crystal growth. Its morphology provides the kinetics information of crystal growth. Therefore, it is valuable to perform the research on rapid dendrite growth in order…     

机顶盒硬件接口信号的研究及应用

数字电视机顶盒的技术含量非常高,它集中反映了多媒体、计算机、通信技术和网络技术的发展水平.本文对其接口信号进行的分析比较研究,对于数字电视信号的高质量传输,硬件设备的合理配置以及充分发挥音视频设备的最大效能,具有重要的实践意义.     

高k介质纳米MOSFET栅电流和电容模型

介绍了一种纳米MOSFET（场效应管）栅电流和电容的统一模型，该模型基于Schrfidinger-Poisson方程自洽全量子数值解，特别适用于高k栅介质和多层高k栅介质纳米MOSFET。运用该方法计算了各种结构和材料高k介质的MOSFET栅极电流，并进行了分析比较。模拟得出栅极电流和电容与实验结果符合。