氮化烧成后硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态

研究了不同温度氮化烧成后,硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态.结果表明:1300℃氮化后,硅的外层包裹着絮状的O'-Sialon;1400℃时,硅颗粒破裂且内部有氮化硅生成;1 500℃时,已没有残留硅保留下来,硅氮化生成了O'-Sialon和氮化硅;1 600℃时,硅氮化完全,其中的杂质相CaO,Fe2O3等富集在一起.     

可溶性人干细胞因子的原核表达和纯化

用Trizol提取人骨髓总RNA，通过RT-PCR扩增人干细胞因子DNA，克隆到pMD18-T载体中并测序．将其定向连入原核表达载体pET32a( )，获得了重组表达载体pET32a( )／hSCF，其cDNA长度为504bp，测序结果与已知序列吻合．然后在大肠杆菌BL21中经IPTG诱导表达，获得37kD的融合蛋白，约占菌体总蛋白量的30％．经Ni^2 -NTA树脂亲和层析柱纯化获得纯度大约90％的重组蛋白．     

双机架热轧中厚板轧机负荷分配的工艺优化研究

介绍了一种适用于中厚板双机架轧机负荷分配的优化方法，并采用Visual Basic 6．0软件编制成应用程序。该方法以轧制力和轧制周期为目标函数，采用一维搜索法进行迭代计算，可以得到实用的轧制规程。其优化轧制规程在生产上应用效果良好，提高了生产能力。     

爆炸喷涂爆炸波参数数值计算

对爆炸喷涂燃烧室爆轰波的形成及爆轰产物热力学及动力学参数进行了数值计算．结果表明，爆炸喷涂气相爆轰系统爆轰特性主要取决于气相系统的选择和初始混合气体配比．C2H2 O2气相爆轰系统更适合于喷涂高熔点的陶瓷、金属陶瓷及纳米复合陶瓷粉体，其最优化工艺参数应该选择在零氧平衡附近．而H2 O2气相爆轰系统则适用于喷涂低熔点的金属及其合金，金属粉体的熔点越高，最优化参数越接近于零氧平衡点．     

铜熔体的过滤脱氧

采用常用的脱氧剂对铜熔体脱氧时,残余的脱氧剂往往对其导电性能造成一定影响.实验研究了采用木炭过滤的方法对液态铜进行脱氧.结果表明,木炭过滤是一种非常有效的铜熔体脱氧方法,而且不会对熔体产生二次污染.此外,对过滤脱氧技术在废旧紫铜的回收利用方面进行了研究,在炉料中分别添加0.1,0.2,0.3,0.5和1.0(质量分数)的废旧铜丝后,净化后的试样中wO≤10×10-6,直径3mm铜丝的硬态电阻率不超过1.75μΩ·cm,满足无氧铜的技术要求.     

镁铝尖晶石本征色心的计算机模拟

利用计算机模拟技术和经验参数化方法，通过对镁铝尖晶石(MgAl2O4)晶体结构、晶格形成能及本征缺陷形成能的计算，论证了镁空位VMg^2-、氧空位Vo^2 和少量的AlMg^ 是MgAl2O4中的本征点缺陷．并指出其会以[VMg^2--Vo^2 ]空位对和[VMg^2--2lMg^ ]的形式实现电荷补偿．     

NaCl晶体中电子型色心的电子结构研究

运用密度泛函离散变分（DV-Xα）方法研究了NaCl晶体中可能存在的色心，模拟计算得到含色心的NaCl晶体的电子结构．计算结果表明，F、F2心在禁带中引入了新的能级；分析了可能存在的光学跃迁，并用过渡态方法计算得到相应的跃迁能量为2．74eV和1．74eV．该计算结果与实验测得的吸收光谱的峰值位置吻合较好．而F^＋心不存在光学跃迁吸收，但使晶体的禁带宽度变窄．计算结果还解释了NaCl晶体吸收光谱的结构起因．     

钨酸铅晶体中F型色心电子结构的研究

运用相对论性的密度泛函离散变分（DV-Xα）方法模拟计算了PbWO4（PWO）晶体中F型色心的电子结构，得到了PWO晶体的态密度分布，讨论了色心的可能光学跃迁模式，并用过渡态方法计算了跃迁能量。计算结果表明，F、F^＋心在PWO晶体的禁带中引入了施主能级，F、F^＋心可向W 5d轨道发生跃迁，其跃迁能分别是1.83eV、2.28eV，因此，可推断F、F^＋心能引起PWO晶体中680nm、550nm的吸收。     

MgAlON-Al2O3复合材料的抗渣性能

采用坩埚法研究MgAlON-Al2O3系复合材料的抗渣性能，分析了复合材料的高温稳定性能和材料受渣侵蚀后的显微结构变化。研究结果表明，MgAlON的抗渣性能优于刚玉和刚玉-MgAlON系复合材料；同时在Mg-AlON-Al2O3系复合材料中，随着MgAlON含量增加，复合材料抗渣性能增加。     

基于CAD技术的产品包装设计的研究

将CAD技术应用于产品包装的设计过程中,提出了在多种设计软件辅助下产品包装设计的流程。对包装设计过程中平面标贴经三维贴图后发生的畸变现象和不同软件间数据传送存在的问题提出了解决方法,避免了传统产品包装设计中不必要的重复性劳动,使得设计过程更合理,效率更高,提高了设计效果。