基于粘结强度特征数的烧结矿强度评价方法

烧结矿的强度主要取决于含铁矿物的强度、粘结相自身的强度以及粘结相与含铁矿物间的粘结强度。研究表明粘结相与含铁矿物间的粘结强度是烧结矿强度的主要制约因素。将粘结强度与能满足工厂生产要求标准的烧结矿粘结强度(12.58 MPa)的比值定义为粘结强度特征数,并用其评价烧结矿的整体强度。同时,结合烧结矿的微观结构对烧结矿强度进行研究。结果表明,与粘结相自身微观结构相比,粘结相与含铁矿物界面的微观结构较为疏松;固液两相之间的冷收缩系数不同,粘结相与含铁矿物之间易形成内应力,不利于粘结强度的提高。因此,粘结强度满足一定要求时,烧结矿的强度就能满足生产要求。     

过冷池沸腾中气泡聚并对壁面换热影响的实验研究

该文实验研究了气泡聚并对核态池沸腾换热的影响。在恒壁温的边界条件下,利用微加热器阵列加热液态FC-72产生气泡,同时利用高速数据采集系统测量特定区域的热流密度。由于气泡之间液体层的蒸发和气泡聚并后产生的振荡,沸腾过程中发生气泡聚并时热流密度的波动远强于加热表面仅有单气泡生成时的情形。与单气泡成核相比,气泡聚并所产生的振荡提高了加热表面的再润湿频率,从而显著增加了平均传热。观测还表明,由于气泡之间的液体层被仍处于惯性生长阶段的气泡推离,气泡聚并速度非常快时并不会伴随热流量的增加。实验结果表明:当无量纲的聚并数Ncoal0.2时,气泡聚并能够增强换热;反之,当Ncoal0.2时,气泡聚并则会减弱换热。     

微分几何及其应用

本书是2007年8月27～31日在捷克Olomoue举行的第10届“微分几何及其应用”国际会议（DGA2007）的论文集，汇集了会议邀请报告和研究论文共58篇，涉及微分几何的经典的和现代的各个研究领域、整体分析及在物理学中的应用。与会学者主要来自欧、美及东亚等地区。会议召开之际正值数学大师L.欧拉诞生300周年，书的卷首为R．Wilson所撰写的纪念文章，介绍了欧拉生平、主要数学成就及对后世的影响。     

全隐式E-CUSP迎风格式大攻角分离流数值模拟

采用全隐式、低耗散E-CUSP格式,通过求解雷诺平均Navier-Stokes方程耦合Spalart-Allmaras(SA)湍流模型,模拟了细长旋成体在超声速、大攻角下的流场,分析了背风面涡的发展过程.结果表明:E-CUSP格式耦合SA湍流模型能够准确地模拟背风面的流动分离和精细的二次涡,对横向分离具有较高的模拟精度;预测的物面压力系数分布和激波位置与实验数据吻合良好,力和力矩的相对误差在1.98%之内;E-CUSP格式可用于模拟复杂的分离流动,具有高的计算精度和效率.     

智能照明控制系统在景观照明设计中的应用

随着社会经济的发展，人们对生活质量要求的提高，人们对灯光的需求不仅仅局限于室内的功能性照明，走到室外，城市中流光溢彩的灯光效果更让人迷恋。近几年，我们可以发现我们的城市无论是道路、高楼还是公园愈发的亮了和愈发的美丽了。     

省科技厅扎实开展 政务公开“深化年”活动

按照省政务公开办公室部署，省科技厅高度重视、周密安排，扎实开展政务公开“深化年”活动，重点抓了以下工作。一是精心部署安排。制订印发了《政务公开“深化年”活动实施方案》，明确了“深化年”的总体要求、重点任务和组织推进等事项，     

科学文化的魅力

本期《世界科学》"书评"栏目选介了几本物理学领域的新书,有史蒂文·温伯格的量子力学教科书,肖恩·卡罗尔和吉姆·巴戈特风格迥异的"上帝粒子"传奇故事,还有菲利普·舍韦倾情打造的弗里曼·戴森传记。其中,除了巴戈特是物理学局外人,其他作者,包括传记人物戴森在内,都是知名的物理学家。另外,正如舍韦对弗里曼·戴森的评价,他们都还有作家的头衔、向公众传播科学文化的热情,以及成为当代艾默生的追求。科学家传播科学文化并不鲜见,像卡尔·萨根和艾萨克·阿西莫夫就以科普作家和科幻小说家为世人熟知。戴森和温伯格则在取得     

壳聚糖对益生菌生长的影响及其机理——以地衣芽孢杆菌为例

壳聚糖对细菌的影响是当前壳聚糖应用研究的热点问题。选择益生菌地衣芽孢杆菌为研究对象，采用控制变量法，实验观测不同浓度的壳聚糖对地衣芽孢杆菌生长的影响。结果表明，不同浓度的壳聚糖对于益生菌地衣芽孢杆菌生长既有抑制作用，也有促进作用。以O．50％壳聚糖浓度为限，浓度小于O．50％时表现为抑制作用，而浓度大于O．50％时表现为促进作用。     

初中计算机新课程教学实施策略探析

初中计算机新课程强调以学生发展为本,以培养学生创新精神和实践能力为目标,坚持可持续发展道路,在计算机教学中让学生有更多的机会参与创新实践活动,培养学生学习计算机的方法,学会正确使用操作计算机这种处理信息的工具,让学生终身受益.本文阐述了初中计算机新课程教学实施策略.     

应变层超晶格界面AISb－GaSb，AISb－InSb和GaSb－InSb的价带偏移

采用平均键能理论结合形变势方法对由ＡＩＳｂ，ＧａＳｂ和ＩｎＳｂ所构成的应变超晶格界面在任意应变状态下的价带偏移值进行了确定，并分析了阳离子浅ｄ轨道对价带偏移值的影响．结果表明，它们的价带偏移值具有显著的应变效应，此一显著的应变效应来源于应变的单轴分量及其与自旋－轨道分裂能量的耦合．这一效应导致了ＡＩＳｂ－ｌｎＳｂ和ＧａＳｂ－ＩｎＳｂ系统中最高价带排列的Ⅰ－Ⅱ型超晶格的转变．