LiNbO_3晶体室温—300℃相变的研究

测量了纯LiNbO_3单畴单晶(Z切)11℃至300℃的直流体电阻率及18℃至88℃的热释电系数。体电阻R的对数与温度T的倒数之间关系为四段直线,按R正比于exp(E/2KT)的公式,激活能E分别为1.53×10~(-1)ev,1.07ev,2.26ev,3.38ev。四段直线的三个交点温度为78.9℃,135.O℃,276.3℃,热释电系数P与T关系为二段直线,交点温度为79.60℃。由P与T的关系s发现在转变温度二相的自发极化强度P_s相等,Ps对T的一阶导数连续,但二阶导数不连续。还发现相变中存在热滞现象,并测量了30℃至95℃的介电常数,发现75℃附近无异常变化,但在66.O℃有异常变化。     

铌酸锂单晶的内旋转和电子态

将铌酸锂单晶在各种温度下出现的结构参数和物性参数异常现象同氧八面体内旋转理论进行了对比,单纯从晶格动力学角度不足以解释实验现象.用正电子湮灭寿命谱技术在20—85℃范围对晶体中的电子态探测的结果表明,存在着自由态和捕获态两种湮灭机构.捕获态的长寿命和相对成份在75℃附近出现异常,可以解释为价电子态在转变过程中的弛豫效应.     

铁电-驻极体复合膜的性质和测量方法

近年来兴起了研究复合材料在热释电材料中以硫酸三甘氨酸(TGS)单晶粉末和聚偏氟乙烯(PVDF)复合薄膜最为引人注意。因复合材料具有新的物理和化学性质,在测量物性参数时若只简单地采用传统的方法,很可能引起错误。下面介绍TGS-PVDF复合热释电薄膜的热释电系数、热激电流(TSC)和介电谱的测量方法和结果。     

聚对苯二甲酸乙二醇酯的冷冻介电谱

用冷冻介电谱方法将聚对苯二甲酸乙二醇酯在液氮温度下冷冻下来的驻极体效应的不同微观机构分开，得到１个快极化和３个偶极取向慢极化成份．     

时域冷冻介电谱方法

介电极化衰减函数普遍形式为exp[-(f/τ)~α];若介质中有多种弛豫机构则可表为类似形式的项之和。面积为S的两电极间充以介质,经电压U_0充电极化达平衡后再通过电阻R自由放电,则电极上电压衰减规律为     

慢极化效应和因果律

在 10 - 4～ 10 5Hz的宽频段测量了钛酸锶钡的复介电常数 ,归纳出了ε(ω)的经验公式 ;它不满足K_K关系 ,实验证明了慢极化效应的存在使马尔可夫过程的因果律不再正确 ,而必须采用非马尔可夫过程的更为广泛的因果律。     

氧化锌陶瓷的非线性电容效应

近年来有三种利用晶粒间界效应的电子陶瓷引起应用和机理研究者的注意。这就是内边界层电容陶瓷、PTC(positive temperature coefficient)陶瓷和变阻器(varistors)陶瓷。一些掺杂钙钛矿型晶粒结构的陶瓷,其中的晶粒具有高电导率而晶粒间界是绝缘的,因而具有很高的等效介电常数,已广泛用于电容器的小型化,并有希望用于能量存贮。后两种晶界层陶瓷因为在于利用其电阻效应,对其电容效应研究的报道极少。其实,掺杂氧化锌陶瓷在低电压     

铁电体性能的低温研究

测量了LiNbo_3单畴晶体(Z切)72k至310k的热释电系数P~T,以及15k至273k的介电常数~T,发现热释电系数在226k、170k及137k有异常变化,170k至310k的p~T与T关系为二段直线,交点温度为226k,72k至130k的P~T正比于爱因斯坦比热函数,介电常数在230k及100k出现明显的异常变化,在137k及170k也有变化,还测量了一种ZBN陶瓷新材料11k至470k的介电常数及11k至290k的损耗,发现介电常数从11k开始随温度较快地上升,从100k开始缓慢上升,125k达到极大值后缓慢下降,损耗从11k开始随温度较快地上升,在65k呈现峰值后迅速下降,从125k开始缓慢下降,属扩散型相变。