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11.
12.
研究了一种Cr-Ni-Mo-V-Ti-B多元合金化,强度高于785MPa的可焊结构钢(HQ80C)淬火态和400-700度回火态显微组织与拉伸性能及冲击性能之间的定量关系,发现钢的韧脆转化温度(50%FAT)与马氏体板条束截线长度呈线性相关,建立了调质态钢的屈服强度计算公式,回火温度范围为500-700度时理论计算值与实测值相对偏差均小于3%。 相似文献
13.
含Hf和Ta新型镍基高温合金粉末中碳化物相 总被引:1,自引:0,他引:1
对含Hf和Ta新型镍基高温合金FGH98Ⅰ等离子旋转电极(PREP)雾化原始和不同温度下预热处理粉末中的碳化物相进行了研究.结果表明:原始粉末中MC′型碳化物可分为两类,一类为富Ti、Ta和Nb,另一类为含Ta、Hf和Zr.两类碳化物均含有一定量非碳化物形成元素Co和Ni及中等强碳化物形成元素Cr和Mo,并以块状、粒状分布于枝晶或胞晶间;随着预热处理温度升高,粉末中富Ti、Ta和Nb的MC′型碳化物转变为MC型碳化物,且其所含Ti、Ta和Nb的总量增大;含Ta、Hf和Zr的MC′型碳化物发生分解和转变,析出稳定的M23C6、M6C和MC型碳化物,M23C6碳化物的析出和溶解温度为950℃和1150℃,M23C6和M6C碳化物共存温度为1000~1100℃.另外,粉末中微量元素Hf和Ta主要以碳化物和γ′相参与碳化物反应. 相似文献
14.
网络控制系统时延的预测控制补偿方法 总被引:1,自引:0,他引:1
针对网络控制系统的时延问题,提出一种补偿方法。对于反馈通道,时延是已存在的,可以进行测量,这部分时延通过预测控制算法进行补偿。前向通道的时延对于控制器是未发生的,是不可知的,为此在系统输出端和前向通道间附加一个控制补偿环节以减小前向通道时延的影响。该方法简单可行,实时性强,便于工程应用。最后分析了系统的稳定性并通过仿真实验表明该策略的有效性,保证了网络控制系统的良好性能。 相似文献
15.
采用Gleeble-1500热模拟试验机,研究了某油井管生产工艺中张力减径过程变形量以及C和N含量对中碳V-Ti-N微合金非调质钢室温组织的影响.结果表明:HCLN钢在800℃变形量为20%、40%和60%时,对应的室温组织中铁素体的体积分数依次为17.2%、19.7%和29.9%.N质量分数为2.3×10-4时,800℃变形60%后控冷钢中铁素体的体积分数为含低N(1.1×10-4)钢的1.7倍左右,使含C0.34%的钢中铁素体含量接近于含C0.26%的钢,并使铁素体平均晶粒尺寸降低到3μm左右.变形量和钢中N含量二者增大均有利于增加钢中铁素体的数量,且二者综合运用的效果更有效.通过分析可知,800℃变形量的增大,可以提高未再结晶奥氏体晶粒内的缺陷密度,有利于过冷奥氏体连续冷却转变时为晶内铁素体形核提供更多的形核位置.N含量的增大,能够促进第二相析出物的析出,诱导晶内铁素体的析出,提高铁素体含量,并细化其晶粒尺寸. 相似文献
16.
流动注射式化学发光分析是一种近几年发展起来的新型分析方法,具有灵敏度高,检出限低、线性范围宽及稳定性好等许多优点。但由于影响其测定结果的因素较多,从而给寻找最佳测定条件带来许多困难。本文应用改进单纯形(MSM)优化法对Cr(Ⅲ)—Luminol—H_2O_2发光体系的实验条件进行了研究,给出了七种试验因素的最佳工作区域及最佳值,同时将其与传统优化法探索的实验条件进行了初步比较,证明MSM法更具优越性。 相似文献
17.
氧化的碳化硅与铝镁合金之间的界面反应 总被引:2,自引:0,他引:2
通过FE-SEM(filed emission-scanning electron microscopy),TEM(transmission electron microscopy)和X射线衍射研究了高温氧化的SiC颗粒增强含镁铝合金基复合材料的界面反应过程。发现该界面反应首先形成纳米MgO,然后是否继续与铝液反应取决于Mg的含量以及纳米MgO层致密程度。在Mg含量不足以形成致密的纳米MgO层时,SiO2与MgO和铝液继续反应形成MgAl2O4晶体;当Mg的含量足以形成致密的纳米MgO层,则其能良好地保护内层SiC免受铝液的进一步侵蚀。表明MgO和MgAl2O4为高温热稳定界面反应产物。澄清了对于该界面反应过程的模糊认识和推测。这对于复合材料界面反应控制及界面设计具有重要价值。 相似文献
18.
工具钢碳化物自动评级的模糊可识模式空间模型 总被引:3,自引:0,他引:3
应用模糊可识模式空间的框架结构,尝试构造了一个自动评定钢中碳化物级别的数学模型,并借助标准图谱对合金工具钢中共晶碳化物的不均匀度进行了实际检验,准确率较高。 相似文献
19.
一种三维个体晶粒长大理论模型 总被引:5,自引:0,他引:5
晶粒的拓扑学特征及其演变规律对于晶粒长大的理论、实验及计算机模拟研究具有重要意义.50年代初,von Neumann最早揭示了单个二维晶粒长大速率与二维晶粒拓扑学之间的精确定量关系,获得广泛认可和实验验证,但至今仍缺乏单个三维晶粒长大速率与晶粒拓扑学之间的定量关系.1 基本原理及假设二维系统晶粒长大的研究常采用如下3个基本假设:(1)线性假设.即假设晶界的局部运动速率υ与迁移率m(定义为单位驱动力作用下的晶界运动速率)及作用在该局部的晶界迁移驱动力p之间存在下述线性关系:υ=mp(1)而驱动力p与晶界能γ及晶界局部曲率半径ρ关系如下:P=γ/ρ(2)(2)均一性假设.认为晶界迁移率m及晶界能γ为常数.(3)局域平衡假设.即在晶界迁移过程中,晶界相交处保持动态平衡.根据均一性及局域平衡假设,一个二维晶粒网络中,2个、3个晶粒相交分别形成一条棱和一个交点.在交点处,任两条棱之间的夹角为120°.基于上述3个基本假设,von Neumann采用沿晶界周线积分的方法导出了单个二维晶粒的长大速率方程: 相似文献
20.