电氧化法处理高浓度酚钠废水

为了改善强碱性废水的可生化性,采用电氧化法处理高浓度酚钠废水.结果表明：电氧化法对废水的色度和S（重铬酸钾化学耗氧量）具有良好的去除效果,电解过程中余氯的产生对色度和S的去除有决定性作用.实验确定的高浓度酚钠废水电氧化处理条件是：电流密度为714 A/m^2、电压为10 V、电解时间为30min,采用中和→电氧化→生化工艺去除色度和S.     

硫酸盐还原菌包埋固定化技术处理含铬废水

分别以海藻酸钠和聚乙烯醇(PVA)为包埋剂, 采用蠕动泵滴加, 包埋固定经驯化后的硫酸盐还原菌(SRB)占优的活性污泥. 以小球强度、传质性能、成球难易为指标定性确定包埋条件. 评价海藻酸钙(CA)法、 PVA法、 PVA混合载体法包埋小球对含铬废水的处理效果. 结果表明: 以Cr(VI)去除率为考核指标, PVA混合载体为最好的包埋方式, 其最优条件是PVA质量浓度为9%、包泥量为1:1, 添加少量的海藻酸钠, SiO2, CaCO3和粉末活性炭(PAC)有利于颗粒球传质与耐用性能的提高. 在连续化处理含铬废水的工艺中, 进水COD质量浓度为500 mg/L, SO2-4为500 mg/L, Cr(Ⅵ)为100 mg/L, 水力滞留时间为6 h的条件下, Cr(Ⅵ)的去除率为99.68%, 出水总Cr质量浓度为0.45 mg/L, COD质量浓度为187 mg/L, 同时铬以沉淀的形式与颗粒球分离有利于铬的回收.     

磷酸二氢钠催化合成乙酸丁酯的研究

在磷酸二氢钠催化下,由冰乙酸和正丁醇合成乙酸丁酯.结果表明:当冰乙酸∶正丁醇∶NaH2PO4.2H2O=1∶1.5∶0.09(摩尔比)时,2 h内酯收率可达94%,磷酸二氢钠重复使用多次,催化活性没有降低.     

依诺沙星在胶束体系中的荧光特性及分析方法

研究了依诺沙星在胶束体系中的荧光特性,发现十二烷基硫酸钠(SDS)胶束对依诺沙星的荧光有显著的增敏作用,据此建立了直接测定人体尿样中依诺沙星的荧光分光光度法.用于样品分析,当依诺沙星浓度在2.0×10-7-4.0×10-6mol/L范围内,荧光强度与浓度呈良好的线型关系,检出限为1.4×10-8mol/L,回收率为96-103％.     

低聚丙烯酸钠用于纳米氧化锌表面改性的研究

利用低聚丙烯酸钠对纳米氧化锌进行表面改性，通过对6种不同的分散剂分散效果的比较，研究了低聚丙烯酸钠改性纳米氧化锌水分散性体系的稳定性；并利用透射电镜技术观察了水分散体系的形貌。结果表明，低聚丙烯酸钠表面改性纳米氧化锌水分散性体系的稳定性比其它分散剂分散效果好的多，其水分散性体系的形貌为单包敷结构的珠链状纳米粒子；同时认为低聚丙烯酸钠改性纳米氧化锌水分散性体系稳定性的主要因素有3个方面，即纳米胶粒间的排斥力、低的表面张力、高的空间位阻，并提出了相关模型。     

糖精钠和山梨酸电极产物的高效液相色谱分析

用电化学和高效液相色谱法对糖精钠和山梨酸在-1．6V处的还原进行分离和表征，为鉴定电极反应，推断电极反应机理，提供了一种新的方法．     

Na_2WO_4与BTA复配对碳钢的缓蚀作用

采用交流阻抗法和极化曲线法来研究环境友好型缓蚀剂钨酸盐和苯并三氮唑(BTA)、ZnSO4、D-葡萄糖酸钠等的复配对碳钢的缓蚀效果。研究发现,当缓蚀剂总浓度为5×10-4mol/L时,钨酸盐和BTA复配摩尔比为2∶1时缓蚀效果最好,当配方中含有4mg/LZnSO4,其缓蚀效果有一定增加;再加入10mg/LD-葡萄糖酸钠后缓蚀效果明显增加。     

Na+和NH+4对电沉积W合金的影响

研究了以Na2WO4为W来源、以柠檬酸盐为络合剂的CoW、CoWPt合金电镀中,Na+和NH+4对镀层W含量的影响.结果表明:镀层W含量随着溶液中Na+浓度的升高而降低,随着NH+4浓度的升高而增高.     

苯乙烯在酞菁钴分子筛催化下的环氧化反应

在相转移催化剂的协同作用下和溶剂 /水两相体系中 ,对在分子筛超笼中原位合成的酞菁钴催化剂(CoPC NaY)存在下的苯乙烯与次氯酸钠 (NaOCl)的环氧化反应进行了实验研究。采用GC MS联用仪和Varian34 0 0型气相色谱仪对环氧化产物进行了定性和定量分析。研究结果表明 ,在分子筛超笼中原位合成的酞菁钴 ,在溶剂 /水两相体系中对苯乙烯环氧化有一定的催化活性和选择性 ,苯乙烯环氧化的主要产物是苯基环氧乙烷和苯甲醛。在 5 5℃时 ,苯乙烯的转化率达到 5 4%,对苯基环氧乙烷的选择性达到 6 5 %。反应温度和氧化剂的加入量影响苯乙烯环氧化的转化率和苯基环氧乙烷的选择性 ,而反应时间只影响反应的转化率。在CoPC NaY催化苯乙烯与次氯酸钠的环氧化反应过程中 ,氧化剂 (OCl-)首先进入大分子化合物酞菁钴驻留的超笼中 ,将氧转移到酞菁钴催化剂上 ,形成一个高价的钴氧化物中间体 (OCoPC) ;然后苯乙烯在相转移催化剂的作用下通过相间扩散进入水相 ,并被分子筛吸附进入孔道 ,最后与钴氧化物中间体接触 ,此中间体将氧转移给苯乙烯 ,生成环氧化物。     

HV/CVD Grown Relaxed SiGe Buffer Layers for SiGe HMOSFETs

High-vacuum/chemical-vapor deposition (HV/CVD) system was used to grow relaxed SiGe buffer layers on Si substrates. Several methods were then used to analyze the quality of the SiGe films. X-ray diffraction and Raman spectroscopy showed that the upper layer was almost fully relaxed. Second ion mass spectroscopy showed that the Ge compositions were step-graded. Transmission electron microscopy showed that the misfit dislocations were restrained to the graded SiGe layers. Tests of the electrical properties of tensile-strained Si on relaxed SiGe buffer layers showed that their transconductances were higher than that of Si devices. These results verify the high quality of the relaxed SiGe buffer layer. The calculated critical layer thicknesses of the graded Si1-xGex layer on Si substrate and a Si layer on the relaxed SiGe buffer layer agree well with experimental results.