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71.
高硅沸石中二元物系表面扩散系数的预测 总被引:1,自引:0,他引:1
用动力学蒙特卡罗(Kinetic Monte Carlo,KMC)方法模拟客体分子单组分及双组分混合物在高硅沸石(Silicalite)分子筛中的扩散,与分子动力学(Molecular Dynamics,MD)方法的模拟结果及Maxwell-Stefan(M-S)方程计算对比说明KMC方法的合理性,而由真实的体系性质获得正确的跳跃频率值及合适的晶格模型是获得正确计算结果的关键,且一旦由单组分研究获得正确的跳跃频率值及晶格模型,便可直接移用至多组分体系的KMC模拟中。 相似文献
72.
按照茂型稀土金属有机化合物中稀土金属原子的个数分类,分析了双核和多核茂型稀土金属有机化合物的结构特点,初步介绍了此类化合物在催化领域中的应用,预测了其发展趋势. 相似文献
73.
利用X-RAY衍射、偏光显微镜和微电泳仪研究了降凝剂对原油中蜡的结晶的影响。 取得以下主要结论:从原油中分离出的蜡晶为正交晶型的晶体,晶面距为0.4156nm,结晶度 为70.5%,表现出长程有序;原油组分增大了蜡晶转化成斜方晶型的趋势,使蜡晶的晶面距 增大,蜡晶表现为短程有序,这种转化依赖于原油组分的性质和含量;降凝剂降低蜡晶体的 有序度,晶面距增大到0.4190nm,57%的蜡转化为斜方晶型;降凝剂使蜡晶带电,由于电性 排斥使蜡晶高度分散而稳定存在. 相似文献
74.
通过水热法合成了无机-有机杂化硼酸盐[Zn(C4H13N3)2][B5O6(OH)4]2,并通过红外与拉曼光谱分析以及元素分析对化合物进行了表征.X射线单晶结构分析结果表明,晶体属于单斜晶系,P2(1)/c空间群,晶胞参数:a=0.856 96(14)nm,b=1.178 07(19)nm,c=1.454 2(2)nm,α=90°,β=91.260(2)°,γ=90°,Z=2,V=1.467 7(4)nm3,Dc=1.602 g/cm3.五硼酸根阴离子[B5O6(OH)4]-之间通过氢键相互连接形成三维的框架结构,沿着a轴和c轴的方向存在大的孔洞,模板剂[Zn(C4H13N3)2]2 阳离子镶嵌在这些孔洞中. 相似文献
75.
工件加工时间为非线性分段函数的单机排序问题 总被引:1,自引:1,他引:1
讨论工件加工时间是开工时间非线性分段函数的单机排序问题,目标函数为极小化最大完工时间,总完工时间和加权总完工时间.对于目标函数为极小化最大完工时间和总完工时间的问题,给出了求解最优排序的多项式算法,对于目标函数为加权总完工时间的问题,给出了工件间的一致关系。 相似文献
76.
采用纳米压痕硬度计,测量了沸石分子筛方钠石SOD大单晶的力学性能,得到了载荷 位移曲线图和硬度、弹性模量随压痕深度变化的值。并利用ANSYS有限元程序对沸石单晶体SOD的弹性阶段进行了二维数值模拟,考察了摩擦、压头尖端半径对模拟结果的影响,得到了压痕过程中加卸载时的载荷 位移曲线,模拟结果在趋势上与实验结果有较好的吻合,与理论分析的载荷 位移关系基本一致,较好地反应了弹性纳米压痕的实验过程。 相似文献
77.
TiO2薄膜光催化降解二氯乙酸和三氯乙酸水溶液 总被引:1,自引:0,他引:1
用常压化学气相沉积法镀TiO2薄膜,以紫外灯为光源,对二氯乙酸和三氯乙酸溶液进行光催化降解,并证实了此过程符合一级反应动力学方程。结果表明:卤代度以及不同的半导体化合物底物均对二氯乙酸和三氯乙酸溶液的降解有影响,卤代度低的二氯乙酸比卤代度高的三氯乙酸降解效果要好;同样条件下半导体的带隙能越低,降解效果越好。 相似文献
78.
考虑具有凝固平直界面的二维非稳态晶体生长过程,由于凝固过程中溶质原子的吸附作用,电磁搅拌等诸多因素的干扰,在固液平直界面会产生扰动,从而影响界面的形态。本文研究凝固过程中具有固液平直界面的温度场扰动分析,用多重尺度法求出一阶渐近解,指出在扰动条件下,温度变化沿晶体生长方向呈指数衰减,提出扰动条件下固液平直界面晶体生长的稳定性条件。这为晶体生长的理论研究及实验工作提供了理论依据。 相似文献
79.
利用TEM法,对比分析不同测线视电阻率-深度断面图,得出地下岩层含水层的埋藏条件及富水性,初步确定取水井位;再结合区域水文地质条件,对比分析不同测线中单井涌水量的相对大小,最终确定理想井位.以TEM在内蒙古正镶白旗地区地下水勘察中的应用为例,证明了TEM在确定含水层及井位上的有效性. 相似文献
80.
基于DS18B20的矿用温度传感器 总被引:2,自引:0,他引:2
为了满足矿井测温的实际需要,应用数字式温度传感器DS18820和AT89C51单片机,开发了一种矿用实时温度检测系统。该系统采用红外线遥控调校技术,可实现仪器自动校零、报警值界限设定等的遥控操作,提高了整机的密封性和安全性。实践表明,该系统测量数据精确、简单实用、维护方便,满足矿井温度检测的实际要求。 相似文献