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101.
Ti离子注入硅化物已能得到特性优良的硅化物薄层,采用了深度分辨率高的掠角背散射和沟道技术发现注入层是3层结构,表面~120nm为合成的连续硅化钛多晶薄层,在该层中晶格无程度达到40%~50%,中间层厚度约为200nm的高密度的晶格损伤区,晶格损伤率在硅与硅钛界面处最高,其值可达到77%,并且随深度的增加而下降;第3层则是低密度晶格损伤层,束流密度的变化对晶格损伤率有一定的影响。 相似文献
102.
氢化纳米硅薄膜的光声光谱研究 总被引:1,自引:0,他引:1
分析了纳米硅薄膜材料从可见光到近红外范围的光声光谱,并与微晶硅和非晶硅材料进行了对比.纳米硅的光吸收系数比后两者都高(特别是在1.4~1.9eV之间,高出近一个数量级),其原因是纳米硅薄膜中大量晶粒对光子的散射、晶粒界面缺陷的吸收及载流子吸收的影响,此外,纳米硅光声谱中Urbach边宽且缓,反映出这种材料很高的无序程度. 相似文献
103.
通过试验得知尿素与磷肥混和施用,土壤中水溶性磷的含量比单施磷肥时要高,表明尿素有活化难溶性磷酸盐的作用. 相似文献
104.
研究了2-十一-烷基-1-(双硫脲)乙基咪唑啉(简称SM-2)在盐酸介质中对70-1铜的缓蚀作用及其在黄铜和紫铜管表面上的成膜性能。结果表明,它优于BTA或MBT。 相似文献
105.
等离子体增强CVD氧化硅和氮化硅 总被引:3,自引:0,他引:3
利用红外吸收谱等微观分析对氧化硅和氮化硅薄膜的成分和结构进行了研究。采用高频C-V测试和准静态离子电流法测量了氧化硅、氮化硅及其复合膜的界面特性,结果表明PECVDSiO2-SiN双层结构的复合膜对半导体器件表面有良好的钝化效果。 相似文献
106.
本文介绍的活性二氧化硅的制备及性质实验是为化学专业无机化学实验课而设计的一个综合性实验。本实验具有综合性强,制备条件温和,时间短,实验耗费低及原料易得等优点。 相似文献
107.
本文研究了硅钼杂多酸—罗丹明B—阿拉伯树胶显色体系,从而建立了水相测定硅的高灵敏度分光光度法,应用于铝合金中痕量硅的测定,结果较满意。 相似文献
108.
研究了几个工艺因素对添加Y_2O_3,Al_2O_3的氮化硅陶瓷的烧结致密化的影响。结果表明:添加有少量硅粉的压块较不添加硅粉的同成分陶瓷易实现其致密化;烧结升温速度;α-Si_3N_4→β-Si_3N_4相变温度对致密化无明显影响;含有5%BN粉末的烧结填料能使陶瓷获得最高的致密度。制得了接近热压陶瓷密度的烧结陶瓷。 相似文献
109.
佘思明 《中南大学学报(自然科学版)》1990,(1)
利用测量熔体温度、液流模拟、红外吸收和扩展电阻探针研究了温场对硅单晶的氧含量和径向扩展电阻均匀性的影响。高温场中整个熔体的温度梯度与重力方向一致,矮温场中只有上部熔体的温度梯度与重力方向一致,而下部熔体的温度梯度与重力方向相反。高温场中整个熔体有热对流,矮温场中只有上部熔体有热对流。高温场中生长的单晶的氧含量明显高于矮温场中生长的单晶。高温场中生长的硅片,径向扩展电阻分布有中央平坦部分、剧烈起伏部分和边缘波纹起伏部分,矮温场中生长的硅片无剧烈起伏部分。这一部分可能是熔体中泰勒柱与热对流区之间的切变层是高氧熔体造成的。 相似文献
110.