几种RLC并联谐振电路特性的比较

文章分析了三种不同结构的RLC并联谐振电路的输入复导纳、谐振频率和品质因数Q,指出了它们之间的联系,为选择RLC并联谐振电路提供一定的依据。     

宽自由光谱区平面扫描干涉仪

本文描述了用平面扫描干涉仪测量半导体激光光谱的一种新方法。     

环绕光子晶体微带贴片天线衬底厚度影响分析

以有限元法模拟一种环绕光子晶体的微带贴片天线,解出与理论结果有极好吻合的谐振频率后并进一步求解辐射性能,与常规微带贴片天线相比较证实了这种贴片天线能够抑制表面波,提高辐射增益,再改变天线衬底厚度进行仿真并讨论反射系数和辐射方向图的变化.     

基于FDTD方法的电磁场均匀性研究

针对激励源的不同位置以及数量,用三维FDTD（时域有限差分）方法对矩形谐振腔内电磁场分布进行了模拟。本文采用余弦调制的高斯脉冲激励源,考虑了FDTD方法的Courant稳定性条件,以及空间离散间隔所产生的数值色散等情况。研究了不同情况下观察平面电磁场的均值、方差、能量衰减系数随迭代时间的变化,并引入了变异系数（COV）来评价电磁场分布的均匀性。研究表明：在腔体内部能量达到稳定状态后,单平面多馈口对电磁场的均匀性有较好改善作用。     

SEPIC变换器中的非线性现象及其控制

基于峰值电流模式SEPIC变换器的Simulink模型,通过仿真揭示了变换器的非线性动力学行为。利用离散映射模型,对变换器的稳定性进行了分析,探讨了电路参数对系统稳定性的影响。分别采用延迟反馈法和参数共振微扰法,探讨了峰值电流模式SEPIC变换器的混沌控制问题,仿真结果证明这两种控制方法均能够将SEPIC变换器从混沌状态控制到周期状态。     

光电子成像方法研究N2多光子电离过程

利用速度映像成像技术实验探测了N2在70 fs,410 nm,场强(1-3)×1014W/cm2范围内的光电子成像,获得了光电子的动能分布和角分布.研究表明分子强场电离有一些和原子相似的性质.电子产生于两步过程,中间态有真实布居.在低场强非共振布居转移起主要作用,在较高场强共振布居转移起主要作用.光电子角分布体现中间态的角量子数特征.     

RLC混联电路中串并联谐振判断方法

针对谐振电路中谐振频率判断方法不明确的问题,提出用阻抗或导纳虚部为零来对应判断串并联谐振.从具有普遍性的RLC混联结构入手,对电路进行结构直观判断,用数学推导,通过Multisim进行仿真分析,对实例进行验证.为应用电路中谐振点进行判断提供可靠的依据.     

高k栅栈MOSFET共振隧穿模型

针对高介电常数（k）栅堆栈金属氧化物场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET）实际结构,建立了入射电子与界面缺陷共振高k栅栈结构共振隧穿模型.通过薛定谔方程和泊松方程求SiO2和高k界面束缚态波函数,利用横向共振法到共振本征态,采用量子力转移矩阵法求共振隧穿系数,模拟到栅隧穿电流密度与文献中实验结果一致.讨论了高k栅几种介质材料和栅电极材料及其界面层（IL）厚度、高k层（HK）厚度对共振隧穿系数影响.结果表明,随着HfO2和Al2O3厚度减小,栅栈结构共振隧穿系数减小,共振峰减少.随着La2O3厚度减小,共振峰减少,共振隧穿系数却增大.随着SiO2厚度增大,HfO2,Al2O3和La2O3基栅栈结构共振隧穿系数都减小,共振峰都减少.TiN栅电极HfO2,Al2O3和La2O3基栅栈比相应多晶硅栅电极栅栈结构共振隧穿系数小很多,共振峰少.     

一维势垒问题中的变换矩阵表述

证明可以用两个普遍适用的矩阵———在常数势区域传播波函数的矩阵和使波函数越过势不连续处的矩阵 ,对一系列势垒问题建立起 1种精确的变换矩阵表述 .用这种方法在讨论一些简单问题时可以很方便地得到一些标准的结果 ,而且很容易将讨论推广到两个 ,甚至多个势垒 (例如 ,Kronig_Penney势 )的情况 ,有利于拓宽我们的研究领域 .     

超声波波速测量装置中存在的三个问题

分析了测量装置中的信号发生器、声速 定仪和示波器等仪器中的某些因素，对采用共振干涉法和相位比较法的测量结果的影响，指出了提高结果精确度的途径。