一类局域一维非公度体系的量子扩散

研究一类局域一维非公度体系（格点势能ｕｉ＝λｔａｎ（２πδｉ）,其中δ＝（５－１）／２）的量子扩散,分析了自关联函数Ｃ（ｔ）在不同哈密顿量参数区域的长时特征,发现电子在整个体系中是不扩散的,自关联函数Ｃ（ｔ）～ｔ０．     

Be原子的奇宇称(J=2)的高激发能级

本文应用本征通道量子亏损理论（ＥＱＤＴ）研究Ｂｅ原子的高激发态结构,得到了表征高激发态结构的ＥＱＤＴ参量（μα,Ｕｉα）,以这些参量作为输入,获得了２ｓｎｐ、２ｐｎｓ、２ｓｎｆ、２ｐｎｄ组态的Ｒｙｄｂｅｒｇ能级。计算结果表明,在高激发能区,理论值与实验值吻合。     

HLR数据库数据的一致性与安全性研究

基于某种ＧＳＭ移动程控交换机归属位置寄存器（ＨＬＲ）数据维护系统的工作原理,详细分析了ＨＬＲ数据库的数据内容、存储结构和操作模式,定义了各种一致性标签及其链表,进行内外存数据和主、备机数据的一致性维护．通过数据校验模块,定时检查数据内容,及时恢复异常数据．这种数据库维护方案简明、可靠,适合于同类数据维护系统的设计．     

双光子光学双稳态的量子理论

提出了由三能级原子构成的非线性介质中双光子双光束光学双稳态的全量子分析,应用等效哈密顿量研究了两输出光束强度和与强度差的涨落谱．结果表明,在适当的参量取值下,强度和与强度差的涨落谱可低于发射噪声水平,且光学Ｓｔａｒｋ效应对涨落谱有显著的影响．     

Ge量子点材料的制备工艺研究

采用射频磁控技术,用Ge、SiO_2的复合靶制备锗纳米晶镶嵌在二氧化硅中的复合薄膜.作为量子点的Ge纳米晶粒的尺寸是决定这类材料物性的关键,因而研究对镶嵌在SiO_2中的Ge晶粒尺寸调制的工艺十分重要.本文研究了制备过程中各种工艺参数与薄膜中Ge晶粒尺寸的关系.结果表明通过溅射时控制基片温度能有效地对锗晶粒尺寸进行调制.     

壳聚糖交联膜的量子化学研究

采用Gaussian92程序，用AMI半经验量子化学方法优化壳聚糖交联膜模型的分子结构，在此基础上用从头算Sto—3g方法最优点的单点计算，研究了壳聚糖-戊二醛交联膜的几何构型、能量、健序和电子迁移。     

三维各向同性谐振子实现量子群SUq（3）

给定三维各向同性谐振子的ｑ变形产生湮灭算符，用这些算符构造出ＳＵｑ（３）的生成元，实现了量子群ＳＵｑ（３）。讨论了嵌入的ｅ０和ｆ０指出也能同样的各向同性的三维谐振子实现量子包络圈代数ＳＵｑ（３）。     

有限差微分算子与量子代数之间的联系

本文讨论了有限差微分算子与量子代数之间的一些联系，进而研究了一些量子代数的实现。     

用变分Monte Carlo方法直接计算相关能

本文对变分ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法处理分子提出了一个新的算法；与传统算法不同，它直接计算体系的相关能而不是体系总能量的期望值。实例计算表明，本文提出的这个变分ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ新算法对于小分子能得到大约８１％～９９％的相关能。本文还提出了一种新的试探函数，给出了一种新的随机数子程序的编法。     

畴壁运动的量子效应

本文用规范交换和热力学平均的办法，讨论畴壁运动的能量变化，发现低温下畴壁运动是由零点振动所决定的，并且这个量子效应与畴壁参数有关，特别与阻尼有关．