铁素体基Ti-Mo微合金钢超细碳化物析出规律

利用光学显微镜、透射电镜和能谱分析等方法对两种不同Ti含量的铁素体基Ti--Mo微合金钢中析出相的尺寸、分布特征、析出规律和成分进行了研究.结果表明:钢中绝大多数析出相为超细碳化物,尺寸小于10 nm,析出相尺寸呈正态分布.随着Ti质量分数由0.072%增到0.092%,析出粒子平均尺寸增大,分布峰值向粒子尺寸增大的方向移动.Ti--Mo微合金钢具有栅格状的相间析出方式,栅格间距受冷速的影响较大,晶内和靠近晶界处的栅格间距不同.能谱分析发现,不同尺寸的粒子Mo含量不同,较大颗粒(50 nm左右)析出相中不含Mo,小颗粒(20 nm)中碳化物是Ti和Mo的复合析出相,且随着粒子尺寸的减小,成分中Mo所占比重增大.     

Density and structure of undercooled liquid titanium

For liquid Ti, it is difficult to achieve high undercooling because of its chemical reactivity; as a result, there is little information available on its properties and structure in the undercooled state. In this study, we investigate the density and structure, using molecular dynamics method, for the undercooling and superheating ranges 0-743 K and 0-457 K. The density increases quadratically for undercooling. At the melting temperature, the density is 4.14 g/cm3, and first and second temperature coefficients are obtained. The pair correlation functions and coordination numbers indicate that the short range degree of order becomes increasingly significant with increasing undercooling.     

烷氧基钛水解制备TiO_2超细粒子 Ⅱ.水解反应动力学及粒子形成

测定了烷氧基钛水解成核的诱导时间,研究了水解反应形成TiO_2超细粒子的机理,及溶剂和反应底物对水解反应机理的影响规律。导出了丁氧基钛在醇溶剂中的水解反应速率方程与对应的水解和聚结反应历程该机理同实验结果相吻合。     

金属有机化合物化学气相淀积含钛硬质涂层的过程研究

在垂直冷壁CVD反应器中进行了文题的探索性研究。以二乙胺基钛(Ti(NEt_2)_4)为源,在不锈钢或硬质合金基体上完成了氮化钛(TiN)和碳氮化钛(Ti(C,N))硬质薄膜低温下的淀积。发现(TiN)和(Ti(C,N))分别在773K和973K下形成;在操作范围内整个反应器流场由自由对流控制;反应过程由表面过程控制;反应活化能为235 kJ/mol;二乙胺基钛反应级数为1级。进行了热力学计算,提出了反应历程假设。结果表明:用二乙胺基钛进行MOCVD淀积含钛硬质薄膜可以降低温度,以扩大基体的选用范围,为获得硬质薄膜提供了一条新的途径。     

热传导、渗流和快速扩散三类方程的比较

对热传导方程，渗流方程，快速扩散方程在相同初边值情形下的解进行了比较，建立了有关不等式。     

含流体多孔介质中的快速传播断层(英文)

用含流体多孔介质中Ⅱ型运动裂纹对剪切断层的快速传播作了系统分析,对断层不稳定性建立了判据,并对这一理论在地震学中应用的可能性作了探讨。     

负载铜硅藻土作为精制四氯化钛除钒材料的研究

本文首次报道采用负载铜硅藻土作为精制四氯化钛除钒材料的研究结果。负载铜硅藻土除钒材料与工业现行的铜丝球除钒材料比较,前者具有较好的除钒性能。此方法可以较大地减少铜耗。负载铜硅藻土在除钒处理后,可以再生,或作为有机催化氧化反应的有效催化剂。     

刚性多孔介质回水过程传质特性的研究

回水现象是物料干燥的逆过程，本文综合应用对流传热体质理论、热质扩散理论及吸附与凝聚理论，对刚性多孔介质的回水机理进行了分析，建立了回水现象的数学模型，获得了回水传质过程的理论解，进而得到了刚性多孔介质回水过程的３个阶段和４个主要影响因素。     

Ti注入硅合成硅化物层精细结构分析

Ｔｉ离子注入硅化物已能得到特性优良的硅化物薄层，采用了深度分辨率高的掠角背散射和沟道技术发现注入层是３层结构，表面～１２０ｎｍ为合成的连续硅化钛多晶薄层，在该层中晶格无程度达到４０％～５０％，中间层厚度约为２００ｎｍ的高密度的晶格损伤区，晶格损伤率在硅与硅钛界面处最高，其值可达到７７％，并且随深度的增加而下降；第３层则是低密度晶格损伤层，束流密度的变化对晶格损伤率有一定的影响。     

旁流式多孔电极非稳态行为数学分析

根据 Newman 的多孔电极理论,本文给出旁流式多孔电极非稳态行为数学模型。该模型涉及三个区域,即:液相主体、多孔区和界面。为了获得解析解,该模型被化简为两个较简单的模型:多孔区模型和液相主体模型。前者仅考虑多孔区的积累项,属于微分方程的本征值问题;后者仅考虑液相主体的积累项,属于非稳态的 Leveque 问题。文中给出旁流式多孔电极内进行 Br_2/Br-氧化还原反应时非稳态行为的计算实例。该实例表明:本文给出的简单模型的解析解,在处理更复杂问题时,可用于判断所使用技巧的正确性。